多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体局域态密度影响的研究

在t-J-U模型下,应用Gutzwiller平均场近似及Bogoliubov-de Gennes(BdG)理论研究了CuO2平面内多个非磁性杂质对铜氧化物高温超导体电子局域态密度的影响。结果表明,在远离杂质点处电子局域态密度呈现出典型的非对称性,而在杂质点附近由于杂质的存在产生零能量诱导峰,同时超导相干峰受到强烈抑制。随着杂质间距的增大,杂质点附近超导相干峰受到的抑制逐渐变小,同时零能量诱导峰的强度也随着变小。     

MEASURING THE IMPURITIES AND NEPS ON COTTON GRAY GOODS BY IMAGE ANALYSIS

In this paper, a test system was developed in which a CCD camera was used as a sensor together with an IBM-AT-compatible computer with an Intel 80486 processor to measure the impurities and neps on a piece of cotton gray goods, and a method was proposed by which the differences of degree of gray between samples and interference caused by surface unevenness, creasing and the like within a test sample can be removed effectively. The whole test system is reliable, accurate and causing fewer subjective errors.     

GaAs中杂质扩散机制

针对杂质在ＧａＡｓ中扩散机制这一基础研究和技术应用中急需解决的问题，主要介绍了应用广泛的ｎ型杂质Ｓｉ、Ｓｎ，ｐ型杂质Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ的几种可能扩散机制以及国际上有关这些杂质研究的进展情况，从目前的研究状况可以得出这样的结论：在ＧａＡｓ中，Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ等ｐ型杂质是以置换填隙机制扩散的，Ｓｉ、Ｓｎ等ｎ型杂质是以替位机制扩散的。     

Ti－Al相图的高温液相线

应用余氏固体与分子的经验电子理论（ＥＥＴ）结合ＣＶＭ计算Ｔｉ－Ａｌ相图的高温液相线，分析了间隙元素对相变的影响，从主要影响因素上解释了目前尚有争议的实验结果．     

磁性和非磁性杂质对高Tc超导材料结构相变的影响

本文研究了磁性和非磁性杂质对高Tc超导体结构相变温度的影响,结果和已有的实验定性符合。     

金属薄膜中的杂质散射效应

考虑到杂质散射效应，运用量子统计的方法，计算金属薄膜中杂质散射的弛豫时间和电导率．计算结果表明：这些物理量都是金属薄膜厚度的函数，具有量子尺寸效应．     

GC/MS法测定杀虫剂甲拌磷中的杂质

应用毛细管气相色谱和质谱法对杀虫剂甲拌磷原油进行了很好的分离和分析,通过MSLS质谱数据检索系统对多数杂质进行了定性。讨论了甲拌磷及两种硫代磷酸酯的质谱特性,并通过质谱解析对主要碎片和裂解机理加以证实。     

发射光谱法测定硫氰酸镧中的微量杂质

引言镧及其化合物中微量杂质的光谱分析已有很多报导。采用在盐酸介中用氢氧化铵将非稀土杂质A1、V、Ti 等定量地与部分镧共沉淀出来,然后用粉沫法进行分析。文献在硝酸介质中用磷酸三丁酯萃取镧中的杂质,反萃后转变成氧化物,再用粉沫法进行分析,富集倍数15—20倍。文献则在二乙基磺酸钠及聚丙烯胺存     

ZL104合金直接加锑变质处理的性能与组织分析

本文提出对ZL104合金采用直接加纯锑的方法同样可以铸成高强度的大型砂型铸件。合金中含锑量为0.2％左右时,其强度值和硬度值最佳,含锑量在0.05～0.7％范围时,共晶硅与含铁杂质相可被细化。由于合金中含有较高的锰量(Mn0.48％),针状的Al_9Si_2Fe_2相转变为骨骼状的AlSiMnFe相,从而改善了合金的塑性。     

磁场和杂质对二维3电子量子点基态的影响

使用少体物理方法，计算了在不同的磁场，杂质作用下二维3电子量子点基态的能量和角动量，获得了它们受磁场和杂质影响的结果，并且从动力学和对称性两方面对结果进行了分析。