镍盐溶液处理ITO表面改善OLED的性能

文章介绍了用一定浓度的醋酸镍来对ITO表面进行前处理.把ITO玻璃浸泡在浓度分别为2.5 g/L,5 g/L,10 g/L的醋酸镍溶液中超声15 min,然后制备双层结构OLED器件.器件的基本结构为ITO/NPB（50 nm）/Alq3/（50 nm）/LiF（0.5 nm）/Al.经过处理的器件,开启电压变低,器件的亮度变化不大,但效率明显提高,尤其是用浓度为5 g/L的醋酸镍溶液超声后制备的器件效率最大,提高了2倍.而且用此方法制备的器件重复性很好.     

ITO退火膜的光学和电学特性

对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理,并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析．结果表明,N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性,同时使ITO薄膜质量得到优化,并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性．     

射频磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟锡透明导电薄膜性能的影响

ITO薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜,通过在ITO中掺杂其他金属可以进一步改善ITO薄膜的光学和电学性能。本文采用射频(RF)磁控溅射法制备了掺钨氧化铟锡(ITO∶W)透明导电薄膜,研究了薄膜厚度、表面形貌、晶体结构以及光学和电学性能与各溅射参数之间的关系。当溅射功率大于40 W时,制备的ITO∶W薄膜为方铁锰矿结构的多晶薄膜,此时薄膜表面光滑平整而且具有良好的结晶性。在基板温度320℃、溅射功率80 W、溅射时间15 min、工作气压0.6 Pa条件下得到了光学和电学性能优良的ITO∶W薄膜,其方块电阻为10.5Ω/、电阻率为4.41×10^-4Ω·cm,对应的载流子浓度为2.23×10²⁰ cm^-3、迁移率为27.3 cm²·V^-1·s^-1、可见光(400～700 nm)范围内平均透射率为90.97%。此外,本研究还发现通过调节基板温度影响氧元素的状态可以改变ITO∶W薄膜的电学性能。     

材料冲蚀磨损影响因素分析

<正>冲蚀磨损是指金属表面与流体之间因相对运动而导致金属表面损坏的现象。这种现象广泛存在于很多行业中,是导致设备损坏的一个重要原因。本文,笔者总结了影响材料冲蚀磨损的主要因素,以供参考。一、入射角的影响入射角也叫攻角或冲击角,是指靶材表面与入射粒子轨迹之间的夹角。流体作用于靶材表面时,同时具有水平和垂直分量,水平分量会对靶材造成切削损伤,垂直分量会对靶材造成撞击或冲击损伤。研究表明,韧性材料和脆性材料在冲蚀过程     

用系统学研究ADS靶材料的质子反应裂变截面

用系统学公式研究ADS靶材料的质子反应裂变截面，旨在为核设计提供依据。首先在液滴模型、壳修正模型等相关的理论模型的基础上，利用铅、秘这两个重要核材料质子裂变反应截面的实验数据得到了一系列的理论参数。基于所给出的一组最佳理论参数，对无实验数据的能区裂变截面及其他重要核素的裂变截面进行了预言，可知随着靶核的质子数Z和质量数A的减小，裂变截面减小得很快。     

溅射靶材的制备及应用研究

随着电子及信息产业迅猛发展,全球溅射靶材的需求量越来越多。文章介绍了靶材的分类、制备方法和应用情况,并指出了目前溅射靶材急需解决的几个重大问题。     

纳米CuAl_2-Al复合微粉热稳定性的研究

作者根据惯性约束聚变(ICF)靶材料研究的需要,采用自悬浮定向流法制备了金属间化合物CuAl2-Al纳米复合微粉.经TEM和XRD检测表明所制备的纳米颗粒基本呈球形,粒径分布在30~50nm之间,颗粒的主要组成相为CuAl2,并有少量的Cu9Al4和Al.CuAl2复合纳米微粒热稳定研究所采用的退火方案基于DTA实验数据,实验表明在DTA曲线中的548℃和769℃处的吸热峰对应着Cu9Al4向CuAl2的相转变,并伴随着一定程度的晶粒尺寸长大,并且热处理前后样品的相结构和晶粒尺寸变化的结果表明,所制备的CuAl2纳米复合微粒具有良好的热稳定性,可以用于780℃甚至更高温度下进行加工.     

新材料技术领域“大尺寸超高纯铝靶材的制造技术”重点项目申请

1.项目名称 大尺寸超高纯铝靶材的制造技术 2.项目主要研究内容 （1）超高纯度铝原料的制备技术。针对大规模集成电路制造用及TFT-LCD制造用超高纯铝及铝合金靶材的要求,开展化学纯度99.999%-99.9995%的超高纯铝精炼提纯技术研究。     

常压固相烧结法制备ZAO靶材及其性能的研究

采用常压固相烧结法,通过优化烧结工艺,制备出平整、组织均匀、致密的ZAO靶材.研究了掺杂含量、烧结温度对陶瓷靶材微观结构和性能的影响,并使用自制靶材,采用射频磁控溅射法镀膜.结果表明:Al2O3的掺杂没有破坏ZnO晶体结构,Al原子对Zn原子进行有效替位;晶粒尺寸随着掺杂量的增多而减小;靶材的电阻率随掺杂量的增加呈U型变化,在3wt%时取得最小值4.2×10-2Ω.cm;靶材致密度超过96%.使用该靶材生长的多晶ZAO薄膜具有(002)择优取向,结晶均匀,呈柱状生长,薄膜电阻率和可见光平均透射率可分别达到8×10-4Ω.cm～9×10-4Ω.cm和85%.图9,表1,参14.     

碳、钇、银三元素研究进展

地球上没有铟矿资源,然而氧化锡铟(ITO)却是太阳能电池、平板显示器以及接触式传感器所需要的重要材料.ITO有三大基本特征:透明、导电、玻璃黏性好.正因如此,需求大增,结果是供给的有限导致了其价格的飞速上涨.