全文获取类型
收费全文 | 85篇 |
免费 | 3篇 |
国内免费 | 12篇 |
专业分类
系统科学 | 1篇 |
丛书文集 | 4篇 |
教育与普及 | 2篇 |
现状及发展 | 1篇 |
综合类 | 92篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 1篇 |
2022年 | 1篇 |
2020年 | 2篇 |
2018年 | 2篇 |
2017年 | 1篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 1篇 |
2013年 | 6篇 |
2012年 | 6篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 5篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 4篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 1篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 2篇 |
1990年 | 1篇 |
排序方式: 共有100条查询结果,搜索用时 312 毫秒
61.
采用激光气相蒸发-液相收集新方法合成纳米Fe颗粒,主要利用扫描电镜、透射电镜和振动样品磁强计等分析方法对纳米颗粒的形貌、大小、磁性及合成机理进行了分析.结果表明:以45#钢为靶材、20%乙二醇+80%乙醇为液相收集体系和N2为载气,在激光能量密度为42 J/mm2、脉宽3 ms、频率10 Hz和N2流量为0.5 L/min的条件下,成功制备出了Fe纳米颗粒;颗粒呈球形且呈链状连接趋势,主要粒径在20~30nm之间;纳米铁颗粒矫顽力为523 Oe,饱和磁化强度为45 emu/g;脉冲激光诱导45#钢靶材产生含Fe成分的等离子体,在气相中均匀成核,并发生一定程度的长大,然后在载气N2的带动下进入液... 相似文献
62.
采用放电等离子烧结(SPS)方法和粉末烧结法制备BaAl2S4∶Eu溅射靶材,分析了靶材成分和结构特性以及利用靶材制备薄膜的发光特性.实验结果表明,SPS烧结的BaAl2S4∶Eu溅射靶材的纯度高,无其它硫化物形成,被氧化的可能性小,靶材致密,气孔少;形成薄膜的PL谱主要是470nm处的蓝光发射.粉末烧结法制备的BaAl2S4∶Eu溅射靶材的纯度低,靶材被氧化的几率大,气孔多,不致密,呈三维网状结构;在470 nm处的蓝光发射峰值相对较弱.放电等离子烧结方法更适合制备BaAl2S4∶Eu溅射靶材. 相似文献
63.
高密度氧化铟锡(ITO)靶材的制备研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以水热合成的2种不同粒径(70±8)nm和(40±6)nm单分散ITO粉末为原料,对原料粉体粒径分布、冷等静压成型压力、烧结温度和时间等与靶材烧结密度之间的关系进行了研究.当2种粒径原料按7:3质量比混合均匀,成型压力为250MPa,成型坯体经1300℃预烧1.5h和在1400℃烧结1h后可以得到相对密度大于99%的高密度、高纯度ITO靶材. 相似文献
64.
氧等离子体表面处理对ITO薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用原子力显微镜检测ITO薄膜的微观表面形貌以及微观区域电性能,研究氧等离子体处理对ITO薄膜的表面形貌及导电性能的影响,从微观上探讨氧等离子体处理对ITO薄膜的影响.经过氧等离子体处理,ITO薄膜的平均粗糙度从4.6nm减小到2.5nm,薄膜的平整度得到提高;但氧等离子体处理之后,ITO薄膜的导电性能大大下降,原因在于ITO薄膜表面被进一步氧化使得ITO薄膜表面的氧空位减少.上述结果从微观上解释了氧等离子体处理能够改善有机发光二极管光电性能的原因. 相似文献
65.
66.
ITO薄膜的光学和电学性质及其应用 总被引:9,自引:0,他引:9
介绍了氧化铟锡(ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2O3晶格上的In原子,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为-10^20cm^-3,电阻率为-10^-4Ωcm,是高度简并半导体,其能带为抛物线型结构。由于Burstein-Moss效应,光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收,Brude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。由于ITO薄膜优异的光学和电学特性使它日益获得广泛应用。 相似文献
67.
电子束法沉积ITO透明导电膜的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
史济群 《华中理工大学学报》1998,26(3):10-12
论述了ITO膜的导电机理及生长机理,讨论了电子束加热真空蒸镀ITO膜的方法中,膜的组分,氧分压,衬底温度和蒸发速率等几个参数对ITO膜光电性能的影响,在选择合适的工艺条件下制备ITO膜,电阻率约4×10^-4Ω·cm,可见光范围内平均透过率高于90%。 相似文献
68.
离子辅助反应蒸发技术室温制备ITO薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
室温下利用离子辅助反应蒸发法在玻璃衬底上制备高透射比、低电阻率的ITO透明导电薄膜. 实验结果表明离子辅助蒸发可以有效地降低制备温度,提高薄膜的光电特性,薄膜具有明显的(222)择优取向,晶体粒子尺寸约为21 nm;离子源屏压、通氧量及沉积速率是影响薄膜光电特性的主要因素. 室温制备的ITO薄膜电阻率为2.4×10-3 Ω·cm,可见光平均透射比大于82%. 相似文献
69.
对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理,并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析.结果表明,N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性,同时使ITO薄膜质量得到优化,并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性. 相似文献
70.