薄膜太阳能电池前背电极制备工艺的研究

通过高温工艺或退火工艺均能在合适的条件下获得性能良好的ITO透明导电薄膜,但通过扫描电镜(SEM) 发现这两种制备方式所得样品具有很大的表面形貌差异.在薄膜电池前电极的制备过程中为了增强其陷光作用应采用直接制备的方法,而为了增强Al背电极的光反射作用,背部的透明导电膜应采用在合适温度下的退火工艺.     

D—D中子源推荐用的靶材料

在４－７和１０Ｍｅｖ的入射能量入，测量了氘与１０种元素靶和一种ＳＵＳ２９ １３不锈钢靶反应的能量积分中子产额。在角度分布上，前向峰值随原子序数的增加而减少。在Ｅｄ＝７Ｍｅｖ时，只观测了铀自成靶形成产生的中子。运用剂量反应和ＳＵＬＳＡ元重叠编的测定了不同束的阻档材料的中子通量密度谱。中子产额和密度谱分析表明，Ｄ－Ｄ中子源，为了优化讯号－本底比，Ｗ、Ｔａ和Ｐｔ可推荐为Ｄ－Ｄ中子源的结构材料。     

Fe掺杂SrSnO3陶瓷的制备及其特性的研究

以SrCO3、SnO2和Fe3O4为原料,采用传统固相反应法制备了Fe掺杂SrSnO3陶瓷,并借助XRD和SEM,研究了SrFexSn1-xO3的相结构、形貌及Fe掺杂量对其电性能的影响.XRD图谱表明:未经烧结的样品是混合物,随着烧结次数的增加,样品的收缩增大,成品纯度变高,XRD杂峰减少.Fe掺杂SrSnO3陶瓷中随着Fe含量从0增加到1,烧结温度逐渐降低,从1480℃下降到1200℃,其晶格常数从0.806 9 nm下降到0.773 6 nm,晶体结构没有发生明显改变.SEM图片显示,靶材晶粒随着掺杂量的增加逐渐增大,由2.09μm增加到4.93μm.     

浅谈增强磁控镀膜靶材利用率

本文根据进口磁控镀膜玻璃生产线使用、维护经验,详细论述了通过调整阴极靶材磁场,如何有效增强靶材利用率。     

有机电致发光材料简介

简述有机电致发光材料的基本工作原理、材料构成、特性。介绍有机电致发光材料的彩色膜上室温沉积ITO技术。     

设备部件延寿的灰色多指标畸变预测模型

针对设备部件延寿预测问题，首先，提出了上下限两种异常畸变指标，并给出灰色多指标延寿畸变预测模型的架构图和延寿预测示意图。其次，运用灰色系统方法分别构建了两阶段灰色预测模型，在第一阶段构建了灰色上下限畸变预测模型，得到下一次发生畸变的日期；在第二阶段构建了GM(1,1)模型，对设备部件延寿以及上下限指标的异常值进行预测。同时，对模型的预测精度进行检验和分析，并根据模型的预测结果确定了设备部件延寿的时间。最后，以半导体制造业设备靶材延寿为实际应用案例，验证了该模型的有效性和可行性，为合理制定部件的最优维护更换时间以及对降低企业运维成本具有重要指导意义。     

低温ITO薄膜制备及光电特性的研究

采用直流磁控溅射ITO陶瓷靶的低温工艺,在柔性基片上镀制ITO薄膜,研究了氧氩体积流量比、溅射气压、溅射速率等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响,并得到了可见光透过率大于80%,电阻率小于3.0×10-4Ω.cm的ITO薄膜.     

掺银ITO薄膜退火前后的性能比较

采用直流磁控溅射方法在室温下制备厚度为130nm的ITO和Ag-ITO薄膜,并在大气环境中不同温度下退火1h,测试其XRD谱和近紫外-可见光透射谱.利用(211)和(222)衍射峰求得两种薄膜的晶格常数,并分析了掺Ag和退火对ITO薄膜晶格常数、结晶度和透射率的影响.结果表明:晶格常数随退火温度的升高而减小,且掺Ag后晶格进一步收缩;两种薄膜经高温退火后在可见光段具有相近的透射率,未退火和低温退火的Ag-ITO薄膜透射率明显低于相同条件处理的ITO薄膜.     

BaAl2S4:Eu溅射靶材合成方法研究

采用放电等离子烧结(SPS)方法和粉末烧结法制备BaAl2S4:Eu溅射靶材,分析了靶材成分和结构特性以及利用靶材制备薄膜的发光特性.实验结果表明,SPS烧结的BaAl2S4:Eu溅射靶材的纯度高,无其它硫化物形成,被氧化的可能性小,靶材致密,气孔少;形成薄膜的PL谱主要是470nm处的蓝光发射.粉末烧结法制备的Ba-Al2S4:Eu溅射靶材的纯度低,靶材被氧化的几率大,气孔多,不致密,呈三维网状结构;在470nm处的蓝光发射峰值相对较弱.放电等离子烧结方法更适合制备BaAl2S4:Eu溅射靶材.