ITO膜方块电阻测试条件的探讨

本文根据半导体材料薄层方块电阻的测试原理，探讨并提出了ITO膜方块电阻的测试条件。     

混酸溶浸—硫化沉锡工艺处理ITO废料回收铟锡

采用混酸溶浸—硫化沉锡工艺处理ITO废料，解决了料液难滤和有效回收铟和锡的问题。     

Flexible organic light-emitting diodes with ITO／Ag／ITO multi-layers as anodes

The transparent ITO/Ag/ITO multi-layers are developed as anodes on flexible PET (poly(ethylene terephthalate)) substrates. The influence of these anodes on FOLED (Flexible Organic Light-emitting Diodes) is investigated. From the results of research, it can be seen that the multi-layer anode has optimum characteristics, whose sheetresistance is 11 Ω and optical transmittance is about 80%,when the thickness of Ag sandwiched by two ITO layers is in the range of 14--18 nm. It is demonstrated that the OLED devices with multi-layer anodes give better luminescence and higher efficiency compared with those with single ITO anodes.     

不同靶材制备TaN单层薄膜的晶体结构与力学性能

以钽氮化物为个体层材料,利用FJL560CI2型超高真空射频磁控与离子束联合溅射系统,制备以TaN和金属Ta为靶材的两种TaN单层薄膜.通过XRD和纳米力学测试系统分析它们的晶体结构和TaN靶材对薄膜机械性能的影响.结果表明,TaN靶材制备的TaN单层膜的纳米硬度值普遍高于Ta靶材的;当工作气压为0.4 Pa时,TaN单层膜的硬度最大,即35.4 GPa,其结晶出现多元化,使单层膜的硬度、弹性模量以及膜基结合性能均达到最佳.     

金融衍生证券定价的随机分析基础

随机分析构成了金融衍生证券定价研究的重要理论基础与分析手段。尤其是几何布朗运动、算术布朗运动、均值恢复过程和Poisson跳跃过程等四类基本的随机过程和ITO随机微分定理得到了极其广泛的应用，可用以分析与解决几乎所有的金融衍生证券的定价问题。文章主要对这些基本的随机过程与随机分析方法及其在一般性Black-Scholes扩展定价模型推导中的应用进行分析与讨论，为解决更为复杂的金融衍生证券定价问题提供一个良好的理论研究框架。     

树脂镜片的ITO薄膜

介绍ITO材料的一些特性以及ITO膜的制备方法,分析了ITO膜层厚度对减反射膜的减反射效果的影响,从而得出一个合适的厚度.     

铟锡氧化物纳米晶的溶胶凝胶法合成

用溶胶凝胶法以SnCl4·5H2 O和铟为原料 ,制备出了铟锡氧化物 (SnO2 ·In2 O3)的二元氧化物纳米粉末 ,并用差热分析 (DTA)、X 射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)分析了氧化物的相组织和形态 .结果表明 ,所得SnO2 ·In2 O3 为纳米晶 ,主要晶型为四方锡石结构 ,微晶颗粒近似球形 ,粒径为 5～ 2 0nm ,In2 O3 为非晶物质 .     

热处理对ITO薄膜光电性能和抗蚀刻性的影响

利用不同的热处理温度对磁控溅射在玻璃基底的ITO薄膜进行退火处理.借助于原子力显微镜(AFM)、分光辐射计、四探针电阻测试仪等测试手段对不同热处理后的ITO薄膜样品进行表征,研究了不同热处理温度对ITO薄膜表面形貌、面电阻、透光率及抗刻蚀性能的影响.结果表明,随着退火温度的升高,ITO薄膜表面粗糙度增加,面电阻增大,在可见光区的透光率变大,耐刻蚀性增强.     

ITO电极方阻对有机太阳能电池性能的影响

研究了氧化铟锡(ITO)电极方阻对有机太阳能电池性能的影响.通过分析采用不同方阻的ITO作为阳极的有机太阳能电池电阻特性和光学特性,探讨了影响器件性能的原因.ITO电极方阻影响器件的串联电阻和并联电阻,从而对器件的短路电流和功率转换效率有显著影响.不同ITO玻璃的透过率以及电磁场在电池器件内部的分布表明,ITO玻璃的光学特性差异不大,对器件性能影响较小.器件效率的差别主要是由于不同ITO方阻对器件电阻特性的影响导致.