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271.
曹光慈 《上海师范大学学报(自然科学版)》1999,(3)
银在硅中是一种具有深能级快扩散性质的杂质⒚它们在硅中形成起受主或施主作用的有效复合中心⒚这一点已由SIMS(二次离子质谱分析)的深度剖面分析证实⒚对于经过245℃308h 处理的Ti/Pd/Ag电极太阳池,其势垒区附近确实有银原子存在⒚随着势垒区中复合作用的增强,低光照时的开路电压将下降⒚根据这些现象给出了一种利用加速寿命试验估计太阳电池寿命的方法 相似文献
272.
从研制空间用高效太阳电池出发,比较了双面钝化硅太阳电池相对于砷化镓太阳电池的优势,提出了一种新型双面钝化高效硅太阳电池的设计思想和研制方法.给出电池样品的测试结果,该电池在AM0,25℃下光电转换效率为18.7%. 相似文献
273.
在RichardS.Crandall和Porponth Sichanugrist等人工作的基础上,用平均场区域近似(UFRA)方法,对p-i-na-Si:H薄膜太阳电池进行了解析分析,得出了电池性能参数与本征层光学带Eg、电子迁移率Un的关系。开路电压Voc、短路电流Jsc、电池效率随Eg的增大而急剧减小,而填充因子Ff随Eg的增大而缓慢减小。Voc,Jsc,Ff都随Un的增大而增大,变化最大,其 相似文献
274.
非晶硅太阳电池的性能与结构参数的关系 总被引:1,自引:1,他引:0
在Richard S.Crandall和Porponth Sichanugrist等人工作的基础上,用平均场区域近似(UFRA)方法,对p-i-na-Si:H薄膜太阳电池进行了解析分析,得出了电池性能参数随本征层厚度变化的关系。短路电流密度先随厚度的增加而增加,在1μm左右达到最大值,而后将减小,但但小得不多,开路电压基本上下随本征层厚度变化。填充因子随本征层厚度一直减小,从厚度0.1μm时的0. 相似文献
275.
运用XRD分析氟掺杂二氧化锡导电玻璃导电面SnO2的晶型,发现其属于四方晶系,晶粒尺寸为32.35nm。运用XPS分析氟掺杂二氧化锡导电玻璃导电面的元素组成主要是Sn和O,未能检测出F。进一步研究表明,电子束辐照前后Sn所处的化学状态相同(以Sn4+的形式存在),O以2种化学状态存在,分别对应氧充足和氧缺乏状态,且随着电子束辐照注量的增加,会有少量的氧失去而使氧充足状态的O1s逐渐减少。 相似文献
276.
区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了区溶再结晶(ZMR)设备及其工艺特点。在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积(RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到了晶粒致密,且取向一致的多晶硅薄膜层。以此薄膜层为籽晶层,再在上面以RTCVD制备电池活性层,经过标准的太阳电池工艺,得到了转换效率为10.21%,填充因子为0.6913的电池产品。 相似文献
277.
为系统研究锐钛矿相的TiO2纳米棒阵列的转化时间对其微结构与相应Sb2S3太阳电池光伏性能的影响,通过使用水热法在FTO导电玻璃/TiO2致密层衬底上沉积了长度、直径、面密度分别为510nm、45nm、250μm-1的ZnO纳米棒阵列,以FTO导电玻璃/TiO2致密层/ZnO纳米棒阵列为模板,利用(NH4)2TiF6和H3BO3,将ZnO纳米棒阵列成功地转化为锐钛矿相TiO2纳米棒阵列。使用SbCl3与Tu配合物的DMF溶液作为前驱体溶液,通过旋涂热解法在所得锐钛矿相TiO2纳米棒阵列上沉积了Sb2S3薄膜,以spiro-OMeTAD作为空穴传输层,组装了Sb2S3敏化TiO2 相似文献
278.
279.
真空退火处理对光敏薄膜及聚合物太阳电池性能的影响 总被引:4,自引:1,他引:3
采用掺锡氧化铟玻璃作为衬底,制备了聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1-4-苯撑乙烯]光敏薄膜及其器件,研究了退火处理对薄膜形貌和光电性能的影响.透射光谱和AFM研究表明,退火处理改善了薄膜的表面形貌、降低了薄膜的光学能隙.另外,通过分析器件伏安特性发现,退火处理有助于提高薄膜的电导率和载流子迁移率.这些实验结果对于提高聚合物太阳电池的能量转换效率、改善器件的光伏性能具有非常重要的意义. 相似文献
280.
《中国高校科技与产业化》2009,(1):8-8
近日,南开大学国家“863”铜铟镓硒太阳能薄膜电池中试基地中试工艺设备与大面积材料和器件开发取得重大进展,成功研制出有效面积为804cm^2的玻璃衬底铜铟镓硒太阳电池组件。经国家权威机构测试,光电转换效率为7%。 相似文献