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221.
在叉指状背接触太阳电池(IBC电池)的制作过程中,一种办法是以二氧化硅作为掩膜阻挡磷扩散进入已经扩硼的区域,在有二氧化硅保护的区域,p+区保持不变,在没有二氧化硅保护的地方磷扩散进入形成n+背表面场,从而实现在不同区域的不同扩散。该文是研究在不同的的温度下热氧化得到的二氧化硅氧化层的厚度,厚度从0 nm到124 nm,然后通过测量磷扩散前后方阻变化和ECV图像,研究不同厚度下的二氧化硅掩膜对磷扩散的阻挡作用。同时,还测量了在不同情况下硅片的少子寿命,以确定一个最佳的热氧化二氧化硅工艺,为IBC电池工艺的后续研究提供参考。  相似文献   
222.
研究了将旁路二极管集成到晶体硅太阳电池上的工艺.采用丝网印刷的方法,在晶体硅片局部区域印刷上合适的浆料,经烧结后直接形成一个二极管,其p-n结方向与主体太阳电池的p-n结方向相反,该二极管被用作旁路二极管,接着采用激光刻槽工艺将二极管与主体电池隔离,最后把多片集成了旁路二极管的太阳电池封装成组件,利用组件,.y测试仪进行不同遮挡条件下的测试.实验结果表明,集成在硅太阳电池上的旁路二极管可以有效地稳定组件短路电流,减少局部遮挡条件下组件输出功率的损失.  相似文献   
223.
卫星帆板驱动系统半物理仿真试验台,是一套闭环、实时、硬件在回路仿真系统,用于模拟空间环境下太阳电池阵动力学特性对驱动机构的影响。与传统的惯量轮考核以及离线数据在线加载的考核方式相比,该系统能够反应驱动机构与太阳电池阵的耦合特性,该闭环仿真思想在卫星驱动机构试验台上属首次实现。本文给出系统原理、组成、方案以及动力学模型。  相似文献   
224.
多结叠层太阳电池中隧穿结的性能优化   总被引:1,自引:0,他引:1  
提高太阳电池的转换效率是人类利用和发展太阳能技术的主要追求目标,目前有望大幅度提高转换效率的一个最直接手段就是采用多结叠层太阳电池.开发研制电学和光学损耗极小的隧穿结,是提高多结叠层太阳电池性能的有效途径.从材料、掺杂剂和掺杂浓度的选择以及结构的优化等诸多方面,阐述了改善隧穿结性能的理论方法和技术措施.对优化隧穿结的沉...  相似文献   
225.
针对铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜太阳电池中CdS缓冲层带隙较小造成光损耗和Cd元素的毒性问题,提出无镉环保型CZTSSe太阳电池,分别采用溅射法和旋涂法来制备ZnO薄膜以替代CdS缓冲层.薄膜形貌表征及器件性能测试表明,相比旋涂法,溅射法制备的ZnO的薄膜质量及其CZTSSe器件性能明显更好,器件的光电转换效率(PCE)从1.0%提升到4.5%.同时,相比于CdS(Eg=2.4 eV), ZnO具有更大的带隙(Eg=3.3 eV),去除CdS膜层后,薄膜和器件在蓝光区具有更高的透光率和更好的光吸收.该设计为制备柔性CZTSSe太阳电池提供了一种新策略.  相似文献   
226.
为解决钙钛矿太阳电池中MAPbI3的不稳定性问题,提高电池性能,对以TiO2纳米棒阵列作为电子传输层、Sb2S3:P3HT共混物作为钙钛矿MAPbI3修饰层的太阳电池进行了研究。首先,以SbCl3作为锑源,Na2S2O3作为硫源,采用溶剂热法制备合适尺寸的Sb2S3纳米球;其次,通过超声分散法将Sb2S3与P3HT在氯苯溶液中共混得到Sb2S3:P3HT共混物,将其旋涂于沉积了MAPbI3薄膜的TiO2纳米棒阵列上,形成FTO/TiO2NR/MAPbI3/Sb2S3:P3HT复合膜,制备成TiO2纳米棒阵列MAPbI3/Sb2S3:P3HT太阳电池;最后,采用SEM,XRD,J-V曲线和紫外可见吸收光谱等方法进行表征和测试。结果表明,制备的结构为FTO/TiO2NR/MAPbI3/Sb2S3:P3HT/Spiro-OMeTAD/Ag的太阳电池,能量转换效率(PCE)最高达到了14.73%,与未采用Sb2S3:[JP]P3HT共混物修饰的TiO2纳米棒阵列MAPbI3太阳电池相比,能量转换效率得到了明显提升。因此,Sb2S3:P3HT共混物能避免出现钙钛矿MAPbI3被氧化的不稳定性问题,可有效提高TiO2纳米棒阵列MAPbI3太阳电池的性能。  相似文献   
227.
 为解决装车装船运输IBC吨桶的物流网络问题,重点考虑运输均衡性、车辆装载率,结合周期性运输物流场景,构建IBC吨桶物流网络规划模型。模型设立需求满足率时序指标实现均衡性物流网络规划,通过设置运输车辆的最低装载率约束提高物流网络总体的车辆装载率。算例分析结果表明:该模型能够提供运输费用更优且运输更均衡的物流网络规划方案。管理者可按物流情况选择适宜的车辆装载率及均衡运输方案,规划符合管理策略的IBC吨桶物流网络。  相似文献   
228.
太阳能是否适合所有的地区呢?太阳电池组件与太阳能热水器(或集热器)的区别是什么?本文将回答那些愿意使用清洁能源的人们所提出的问题。  相似文献   
229.
用数值模拟方法对InP N^+/P太阳电池在AM1.0下的光谱响应和光电流进行了计算和分析,探讨引起InP太阳电池光谱特性曲线变化的原因,从而获得N^+区和P区的最佳掺杂浓度,厚度,表面复合速度等参数,为设计制造InP太阳电池提供参考数据。  相似文献   
230.
数值计算了硅太阳电池一氧化硅减反射膜的反射率,结果表明减反射膜厚度在0.07~0.08μm之间有较好的减反射效果.  相似文献   
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