陶瓷硅材料的制备及其特性

文章研究了用来作为多晶硅薄膜太阳电池衬底的陶瓷硅材料的制备方法及其结构。对不同烧结条件制备的样品进行了XRD和SEM的测试和分析。测试分析的结果表明：形成了表面平整的陶瓷硅材料，用此方法可以获得性能良好的硅太阳电池衬底材料。     

染料敏化太阳电池（DSC）工业化进展——记第二届染料敏化太阳电池工业化国际会议

继2005年在澳大利亚首都堪培拉召开第一届染料敏化太阳电池工业化会议之后，第二届染料敏化太阳电池工业化国际会议于2007年9月12～13日在瑞士召开。会议在瑞士北部美丽的小镇圣噶伦召开。会议由澳大利亚Dyesol公司参与组织，大会主席是来自瑞士太阳能技术研究所的Andreas Luzzi教授。来自包括中国、日本、瑞士等20多个国家的科学家、工程师、企业人士和政府官员，共计近160人参加了这次会议，几乎涵盖了所有从事染料敏化电池研究的主要国家。参加会议的人员主要来自欧洲，特别值得一提的是，越南，泰国和印度尼西亚等亚洲国家也有人员参加。     

多晶硅太阳电池的吸杂实验研究

文章简述了采用浓磷扩散吸杂,铝吸杂以及磷－铝共同吸杂等方法,对多晶硅进行了大量的实验研究结果表明,上述方法对我们实验所用的多晶硅材料做太阳电池,其电学特性没有显著的改善。     

SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究

从简化步骤、降低成本的角度出发,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在低纯颗粒带硅(SSP)衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池.测试结果表明,实验室制备的无钝化、无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了3.57%的转换效率.并在此基础上提出采用氢钝化、减反射、快速生长和隔离技术,期待电池效率能有进一步的提高.     

SSP衬底上多晶硅薄膜电池的研究

从简化步骤,降低成本的角度出发,采用快速热化学气相沉积（RTCVD）法在低纯颗粒带硅（SSP）衬底上制备出了多晶硅薄膜太阳电池,测试结果表明,实验室制备的无钝化,无减发射膜的多晶硅薄膜太阳电池获得了3．57％的转换效率,并在此基础上提出采用氢钝化,减反射,快速生长和隔离技术,期待电池效率能有进一步的提高。     

n—ZnO／p—CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率的理论计算

用隧道－复合模型对n-ZnO/p-CuInSe2多晶异质结薄膜太阳电池的光电流和转换效率进行了理论计算,考虑到在多晶材料中的晶界复合损失,引入修正因子,并用Roth-warf晶界复合模型进行修正。对晶粒半径R为1μm的电池进行计算,得到电池的短路电流密度为35.4mA/cm^2,开路电压为0．42V,转换效率为10．1％。理论计算和实验结果基本一致。     

多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究

研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积（RTCVD）的最传教条件,同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题,得到了转换效率为14．08％的太阳电池,其填充因子为0．808。     

国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究

研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明,２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短路电流Ｉｓｃ和最大输出功率Ｐｍａｘ衰降变化快,辐照注量为２ × １０１０ｃｍ－２时, Ｐｍａｘ就已衰降为原值的７５％,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池对应相同的衰降辐照注量达８×１０１１ｃｍ－２,且 Ｉｓｃ和Ｐｍａｘ衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近３ × １０１２ ｃｍ－２时才迅速下降．背场Ｓｉ太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ｅｖ＋０．１４ ｅＶ和Ｅｖ＋０．４３ ｅＶ深能级有关,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ｅｃ－０．４１ ｅＶ深能级有关．     

天然植物染料敏化太阳电池的光电性能研究

采用萃取法从六种常见的植物中提取天然染料,对比分析了相应提取液作为敏化剂的染料敏化太阳电池(DSC)的光电性能.结果表明,不同植物提取液在色泽、吸附光谱以及组成DSC的光电性能上差异较大.以樟树叶为代表的含叶绿素的天然植物提取液在650nm处出现较强的吸收峰,而以康乃馨为代表的含花青苷的天然植物在520 nm处具有较强的吸收峰.DSC的转换效率并非随提取液颜色的加深而增加,而是和短路电流存在一定的正比关系.在所研究的6种植物中,黑豆提取液敏化的DSC的转换效率最佳,其值为0.255％,随后依次为樟树叶、玫瑰花、太阳花、黑米及康乃馨.