三种植物多糖抗氧化活性研究

以3种植物多糖对四氯化碳(CCl4)致小鼠肝脏脂质过氧化的阻抑率及对亚硝酸钠(NaNO2)的清除作用为指标进行体外实验观察,结果表明:(1)3种植物多糖对80%CCl4酒精溶液所诱导的脂质过氧化有明显的阻抑作用,以枸杞子多糖的阻抑率最高,金樱子次之.(2)在模拟胃液条件下,3种多糖对NaNO2也具有很强的清除作用,枸杞子多糖清除率最大,茶叶多糖次之.两种作用均有量效关系.     

Al_2O_3/SiC纳米陶瓷复合材料的制备及力学性能

采用一次粒径分别为10nm和15nm的αAl2O3和SiC粉体为原料,制备了Al2O3/SiC纳米陶瓷复合材料·纳米SiC颗粒明显抑制Al2O3基体晶粒的长大,SiC体积分数超过4%时,材料的断裂方式由沿晶断裂变为穿晶断裂·随SiC含量的增加,Al2O3/SiC纳米复合材料的硬度增大·材料的弯曲强度和断裂韧性在SiC体积分数为5%时达到最大值·最大三点弯曲强度和断裂韧性分别为641MPa和47MPam1/2,明显高于热压单相Al2O3陶瓷(344MPa和31MPam1/2)·复合材料的强化主要来源于内晶颗粒残余应力强化和晶粒细化...     

钨、钼、钒氧化物直接合金化生产M2高速钢

论述了采用白钨矿、氧化钼和五氧化二钒代替钨铁、钼铁和钒铁冶炼W6Mo5Cr4V2 (M2 )高速工具钢的理论依据和可行性 ,介绍了冶炼工艺技术条件 ,产品性能测试和效益分析等方面的内容。实验表明 ,在中频感应炉上采用白钨矿、氧化钼和五氧化二钒直接还原合金化生产M2高速钢的新工艺顺行 ,产品化学成分合格。合金元素回收率高 ,其中 ηw97.0 8%、ηMo96 .5 1%、ηv93.79%。M2钢质量优良 ,HRC高达 6 2 .2 ,冲击韧性αk>4 9kJ cm2 ,夹杂评为 0 .5级 ,显微组织均匀、致密。而且具有显著的经济效益和社会效益 ,新工艺可以在生产中推广应用。     

聚酰胺对水溶液中2，4-二硝基苯酚的吸附行为

研究了聚酰胺树脂吸附水溶液中2，4-二硝基苯酚的性能、条件及其影响因素.结果表明：聚酰胺树脂对2，4-二硝基苯酚具有较强的吸附能力，pH值是影响吸附的主要因素；吸附初段具有较快的动力学速度，中段速率与浓度符合二级反应动力学；吸附过程符合Flundlich 吸附等温式；用1% 氨水溶液可快速完全解吸；吸附过程属于一种基于氢键和范德华力的物理吸附范畴.     

稳定自由基存在下苯乙烯聚合分子量的控制

在少量联吡啶存在下，苯乙烯在稳定自由基TEMPO作用下的聚合，分子量可控，分子量分布窄，具有活性聚合特征.联吡啶与TEMPO的物质的量比在2∶1时控制聚合效果好，135 ℃为体系较理想的聚合温度.1HNMR研究表明联吡啶可以提高控制苯乙烯活性聚合的分子量.     

Nd2(Co1-xFex)17-yCr y化合物的结构和磁性研究

利用X射线衍射和磁性测量研究Nd₂(Co_1-x Fe_x)_17-yCr_y化合物的结构和磁性. 实验结果表明， 这些化合物都具有Th₂Zn₁₇型结构， Cr和Fe替代Nd₂Co ₁₇化合物中Co并未改变晶体结构， 但能引起晶格膨胀. 所有化合物在室温下都表现为易面各向异性. 化合物的居里温度 随着Fe含量的增加和稳定元素Cr含量的减小而升高， 在x=0.5和y=3.3时达到最大值， 而后逐渐减小.     

H2O2稳定剂的研究进展

概述了H2O2漂白稳定剂的稳定机理，详尽地归纳了近20年来所报道的稳定剂类型，分为以吸附屏蔽为主，结合或螯合为主，吸附与络合相结合、多成分复配及其他。     

超导的纯电子机制

从电子晶格的相互作用，受晶格屏蔽的电子间的相互作用，以及电子自旋的磁力作用等纯电子机制阐明正常超导和高温超导共同的机理，说明MgB2的超导和陶瓷性超导的机理相同，都是由于自由电子少的原因，以此对BCS公式作以修正，并预言Li2O的临界温度高于MgB2。     

酸沉降农业经济损失估算

利用酸雨 p H值和 SO2 浓度对农作物产量的单一和复合影响模型 ,推算出自然条件下主要农作物受酸沉降危害的减产量 ,利用市场价格法估算并分析酸沉降造成的农业经济损失 ,结合 RAINS-Asia模型预测将来的损失。选取安徽省铜陵市为实例 ,分析表明 (以 1999年为基准 ) :酸沉降已使整个铜陵市受到污染 ,对铜陵市的农业生产造成一定程度的危害 ,主要农作物受酸沉降影响播种面积达 2 75 .17km2 ,减产 190 2 .97t,经济损失 10 1.15万元。预计 2 0 10年经济损失为 97.0 1万元     

界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.