碳离子不同入射深度上番茄种子的发芽率和染色体畸变

作者用碳离子束辐照多层重叠番茄种子的方法,研究了离子的入射深度与种子的发芽率和根尖细胞染色体畸变水平之间的关系,结果表明:置于离子束通道部位的种子发芽率较高,染色体畸变水平则较低;置于离子射程末端Bragg峰区的种子发芽率较低,染色体畸变水平则较高。这些趋势与离子在入射深度上的物理剂量分布特点相一致。     

快速退火炉离子注入退火工艺设计

研究了快速热处理系统中卤钨灯阵列的排列方式和硅片接受到的辐照度均匀性的关系,设计了一种可以满足硅片温度均匀性要求的轴对称排列的灯阵列形式.卤钨灯分布在三个半径分别为5,10,16.8 cm的同心圆上,线密度分别为0.127,0.191,0.341cm-1,加热头高度为10.2 cm.此时辐照度的标准差有最小值,保证了硅片边缘和硅片中心能够得到尽可能一致的辐照.接着进行了P离子注入快速热退火试验,测量比较了退火后样品的方块电阻值,获得了快速热退火的最佳温度时间关系参数.对于剂量7.0×1015cm-2,能量60 keV的P离子注入,快速热退火的最佳温度为1000°C,稳定10 s.     

高离化类锂离子（Z=72～75）的态—态双电子复合

基于相对论多组态ＨＦ程序，采用畸变波理论和独立共振近似，计算了０．１～９．０ｋｅＶ温度范围的类锂高电荷离子Ｈｆ＾６９＋，Ｔａ＾７０＋，Ｗ＾７１＋和Ｒｅ＾７２＋对应于原子实△ｎ＝０，１激发的态－态双电子复合速率系数，讨论了复合速率系数随电子温度，原子序数，复合类型以及双激光发态中俘获电子的主量子数的变化关系，计算结果表明，不同复合通道的速率系数存在的很大差异，由此提出了通过双电子复合过程来实现高电荷     

类氢离子体系的矩阵元和平均值的计算及向多电子原子或离子体系的推广

本文根据缔合拉盖尔函数的性质,导出了计算任意幂次算符r~k矩阵元和平均值的计算公式,该公式比较文献[1]中的结果更为简洁全面。并利用正负整数幂平均值之间的关系和各次幂平均值的递推关系,得出了一种计算任意幂次算符r~k平均值的数值结果或简单表达式的新方法,还将此简易方法推广到了多电子原子或离子体系的模型势理论中。     

高Z高剥离态离子基态总能量的计算

采用改进的屏蔽氢离子模型计算了高Ｚ元素高剥离态离子基态总能量，并以Ｚ＝ ７５～８２ 元素为例计算了ｎ≤２ 的离剥离态离子基态总能量的值．     

双水相体系中金属离子萃取分离现状及展望

本文讨论了聚合物—盐—有机试剂双水相体系的特点和研究现状，概述了该体系用于萃取分离金属离子的进展状况，提出了这种体系需进一步解决的问题。     

重氮氨基类试剂在分析化学中的研究进展

自1997年至2001年，共合成了50多种重氮氨基类试剂，并已应用在合金、催化剂、废水及矿石等微(痕)量金属元素的分析中。该类试剂可与Cd(Ⅱ)、Hg(Ⅱ)、Cu(Ⅱ)、Ni(Ⅱ)等多种金属离子配位并显色，在表面活性剂的存在下，具有很高的灵敏度和选择性，在分光光度法中有广泛的应用和实际意义。     

纳米TiO2的金属离子掺杂进展及其在环境友好材料中的应用

概括总结了纳米TiO2的发展，介绍金属离子掺杂纳米TiO2制备方法，其中包括本课题组所做的工作。讨论解决日益增长的与废水和空气污染相关环境问题及纳米TiO2在环境友好材料中的应用。     

采用溶胶—凝胶法制备ZnO:Fe~(3+)薄膜

采用溶胶—凝胶法,在S i(111)衬底上制备了ZnO:Fe3+薄膜,研究了不同退火工艺对其微结构的影响.磁性测量表明,制备的3%以下掺铁样品在室温下具有铁磁性,随着Fe3+浓度的提高,饱和磁化强度增长.     

C,W和C＋W离子注入钢表面纳米相镶嵌复合层结构电？…

选取质量差异很大的Ｃ,Ｗ和Ｃ＋Ｗ对钢进行离子注入,用ＴＥＭ对注入样品横截面进行结构分析。结果表明：注入层结构发生了明显的变化,形成了纳米相镶嵌复合层,Ｗ注入复合层的厚度大约是相应离子射程的１６．３倍。