Dirichlet空间上Hankel算子的紧性

Hankel算子作为特殊的算子类在H∞控制问题中有着重要作用，关于Hankel算子的Nehari定理与模型匹配问题具有密切关系。本文讨论了Dirichlet空间上Hankel算子的相关问题，证明了在Dirichlet空间上，凡符号在C^1(D^-)中的Hankel算子均为紧算子。     

不确定广义系统的鲁棒H∞控制

考虑不确定广义系统的鲁棒H∞控制问题．利用线性矩阵不等式，得到了所考虑不确定广义系统的动态输出反馈鲁棒H∞控制律的存在条件．所得的控制律保证闭环系统正则，稳定，无脉冲并且满足给定的H∞性能指标．     

双波长分光光度法同时测定微量铁和钴

研究了在pH =12 .5的NaOH介质中 ,3价铁与 2价钴分别与EDTA及H2 O2 形成的三元络合物的性质 ,利用双波长分光光度法对微量铁和钴进行了同时测定 .钴和铁测定的线性范围分别是 4～ 3 6μg·mL- 1 和 2～3 8μg·mL- 1 .检测线分别为 3 .5 6μg·mL- 1 和 2 μg·mL- 1 ,本方法用于合成水样中 2离子的测定 ,结果满意     

配合物Zn(Val)SO4·H2O的低温热容和热力学研究

用精密自动绝热热量计测定了配合物Zn(Val)SO4·H2O在78～373K温区的摩尔热容,通过热容曲线的解析得到该配合物起始脱水温度为327.05K.将该温区的摩尔热容实验值用最小二乘法拟合得到摩尔热容(Cp,m)对温度(T)的多项式方程,并计算了它的各种热力学函数.此外,用惰性气氛下的TG DTG及DSC对该配合物的热分解过程进行了研究.     

H-度量空间中的一个新型KKM定理及其应用

丁协平定义了一个新的空间－－H－度量空间，并在H－度量空间中得到了具有限度量紧闭（开）值的广义H－KKM映象的广义H－KKM定量（应用数学和力学，2001，17（10）：1029－1036）。借助于转移紧闭值映象，在H－度量空间中得到了具有转移紧闭值的H－KKM映象的广义H－KKM定理。应用此定理，得到了H－度量空间中的不动点，最大元存在性定理和截口定理等方面的应用。这些结果统一和推广了近期的许多文献中的相应结果。     

基于MPEG-x与H.26x标准方案的H.264新技术的实现分析

研究基于MPEG-4与H．263视频图像压缩编码标准方案，分析讨论了H．264的多参考帧块运动估算、小波变换、小波系数的量化和编码、亚像素快速搜索算法等新技术的实现演变发展。以适应现有复杂多变的网络条件，解决网络带宽瓶颈，提高视频图像编码算法的压缩效率。     

图的Hamilton-圈与连通度

利用插点方法和H－序列，给出l－连通图G是Hamilton－圈的一个新充分条件。     

Cs2.5H0.5PW12O40/SiO2固体酸催化剂上乙酸与烯烃的酯化和叔戊烯与甲醇的醚化

以硅胶为载体,制备了负载型的Cs2.5H0.5PW12O40催化剂,将该催化剂用于乙酸与1-丁烯的酯化反应和叔戊烯与甲醇的醚化反应,考察了其活性组分负载量、载体硅胶性质和焙烧温度对催化剂性能的影响. 研究了催化剂用量、反应温度、反应压力、n(1-丁烯)/n(乙酸)、反应时间等反应条件对酯化反应中乙酸转化率的影响. 与其他类型催化剂的醚化活性进行了对比,并进行了Cs2.5H0.5PW12O40/SiO2催化剂的醚化稳定性实验. 结果表明,以低钠硅胶为载体,在活性组分负载量为40%,焙烧温度为300～400 ℃时制备的Cs2.5H0.5PW12O40/SiO2催化剂具有较高的催化活性. 随着负载量增大,催化剂孔径、孔容和比表面积减小,而催化活性先增加后减小. 在反应温度120 ℃、压力1.5 Mpa、n(1-丁烯)/n(乙酸)比3.0、催化剂用量4%、反应时间7 h的条件下进行酯化反应,乙酸的转化率为87.36%. 在反应温度80 ℃、压力1.0 Mpa、n(甲醇)/n(叔戊烯)比1.1、LHSV为1 h-1的条件下进行醚化反应,叔戊烯的转化率为68.57%. 制备的新型Cs2.5H0.5PW12O40/SiO2催化剂对于乙酸与1-丁烯的直接酯化反应和叔戊烯与甲醇的醚化反应具有良好的活性与选择性,催化剂寿命长. 因此,Cs2.5H0.5PW12O40/SiO2是一种理想的乙酸与烯烃直接酯化和叔戊烯与甲醇醚化反应的催化剂.     

Cs(NTO)·H2O的结构和水溶液中的FT-IR和Raman光谱

用Raman和FT-IR 光谱实验技术对Cs(NTO)*H2O配合物水溶液的振动光谱进行了研究,从单晶结构角度说明了配合体的原子与Cs离子之间的配合键;量子化学计算结果表明配合键的性质主要属于静电吸引作用.该配合物饱和水溶液与晶体的振动光谱峰吻合.证明水溶液中的振动光谱可以用晶体中键的形成来说明光谱峰归属.     

H2表面处理形成Al/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制

作者通过氢气表面热处理，获得了具有较好特性的Al／n—6H—SiC欧姆接触．在这种H2处理后的SiC表面，可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触，而无须进行退火处理．该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触．XPS测试表明，这种欧姆接触是在400℃以上的退化时，由Al及6H—SiC中的Si元素互扩散所致．