Bose—Einstein关联的方向性

本文研究了Ｂｏｓｅ—Ｅｉｎｓｔｅｉｎ关联的方向性。运用一种简捷的方法，从一般的源分布讨论ｑ的角分布，得到一个确定发射源形状的公式。运用参数η＝（Ｎ＿１＋Ｎ＿２）／（Ｎ＿１＋Ｎ＿２）和ａ＝ｒ＿（ｘｙ）／ｒ＿ｚ，很容易确定源的形状。由此对Ａｋｅｓｓｏｎ数据进行处理，得到一个纵向扩展源。进一步对此结果进行了讨论和处理。     

基于IBM—PC机的超高速数据采集系统的研究

论述了基于ＩＢＭ－ＰＣ机的超高速数据采集系统，提出了采用“闪烁” Ａ／Ｄ转换器超高速采样和分时分片多体存储技术的设计方案，简述了该系统的主要结构，由于合理地选用、分超高速芯片（ＥＣＬ电路）和普通高速芯片，故只用少量的超高速芯片，即可满足系统的指标要求，又扩大了存储容量，提高了性能／价格比，可满足输入电压±（１０ｍＶ－２０Ｖ）双通道的示波系统模拟信号测量要求。     

用Bochner—Riesz平均逼近及Hardy求和

设Ｆ∈Ｃ（Ｑｎ），Ｎ∈Ｎ且ＳＲ×（ｎ－１）／２（ｆ）是ｆ的临界阶Ｂｏｃｈｎｅｒ－Ｒｉｅｓｚ平均，求得了（Ｈ，ｑ）逼近的阶的估计：｜｜１／Ｒ∫０＾Ｒ｜ｆ－Ｓｒ＾（ｎ－１）２（ｆ）｜＾ｑｄｒ∞≤ｃ１／Ｒ∫｜ｗ２（ｆ；１／ｒ）｜＾ｑｄｒ Ｒ＞０，其中ｗ２表示二阶连续模，ｑ＞０且Ｃ是常数，同时研究了这类逼近的饱和问题。     

显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头合金的显微组织对其耐电压强度的影响，研究结果表明，电击穿总是首先发生在耐电压强度低的合金相上，对Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金，首击穿相为Ｃｒ相，而对ＣｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金，首击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相．由于电压老炼的结果，首击穿相的耐电压强度上升而导致其他合金相被击穿，老炼的结果使原始粗大的合金相消失，在表层形成成分均匀的极细小显微组织，还从物理冶金学出发讨论了电压老炼的作用，认为电压老炼的过程实质上是一个在表层形成极细小显微组织和成分均匀化的高速相变过程．     

量子群SU（1，1）_q的新表示及其相干态

本文中我们构造了量子群ＳＵ（１，１）＿ｑ的Ｄｙｓｏｎ表示，并找出了该表示与Ｈｏｌｓｔｅｉｎ－Ｐｒｉｍａｋｏｆｆ表示之间的变换关系，同时文中讨论了Ｄｙｓｏｎ表示对应的相干态，它正是ｑ畸变的Ｗｅｙｌ－Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ相干态．     

关于基的Hahn—Banach延拓

本文部分回答了R.Holub提出的关于基的Hahn-Banach延拓的两个问题。证明了如果{x_n}_(n=1)~∞是X的基序列,使得[x_n]_(n=1)~∞在X中可补,则存在X上的一个等价范数‖.‖,使得{x_n}_(n=1)~∞的系数泛函{x_n}关于这个等价范数‖.‖具有一个Hahn-Banach延拓{f_n}_(n=1)~∞,且{f_n}_(n=1)~∞仍然是基序列。我们还证明如果{x_n}_(n=1)~∞是X的一个基序列,使得[x_n]_(n=1)~∞在X中可补,且{x_n}_(n=1)~∞不等价于C_o的通常单位基{e_n}_(n=1)~∞,则存在X上一个等价范数‖.‖,使得关于这个等价范数‖.‖,{x_n}_(n=1)~∞的系数泛函{x_n}_(n=1)~*没有一个Hahn-Banach延拓是一个基序列。文中也提出一个猜测。     

一类具有唯一定长路的有向图的自同构群

Ｌａｍ和Ｖａｎ Ｌｉｎｔ 在推广友谊定理时构造了一类具有唯一定长路的有向图（这里 用Ｄ（ｃ，ｋ）表示），并证明了Ｄ（ｃ，ｋ）的自同构群包含一个２（ｃ＋１）阶二面体群。 木文利用Ｄ（ｃ．ｋ）的邻接矩阵的性质证明这个二面体群就是Ｄ（ｃ，ｋ）的全自同构群， 从而解决了 Ｌａｍ和 Ｖａｎ Ｌｉｎｔ作中遗留的问题。