指数型整函数逼近性质的一种刻划

指数型整函数和基样条是刻划定义在R上函数类的光滑性质及逼近性质的两个最基本的工具.Berstein,Krein,Arein,Akhiezer等人深入研究了指数型整函数的许多极值性质,得到了一批非常重要的结果.另一方面,Schoenberg,Karlin,Micchelli,Marsden,Richards,Riemenschneider等人对基样条建立了较为完整的理论.而最近,在Tikhomirov提出平均宽度的概念以后,又有许多工作进一步研究了基样条的逼近性质,证明了指数型整函数和基样     

Banach空间中完全齐次基的一些特性

给出了ｎ－平均规范分块基序列的定义，得到了Ｂａｎａｃｈ空间中完全齐次基的一些等价条件。     

亚碘酰苯氧化锰卟啉反应的取代基效应研究

报道了锰卟啉系列化合物被ＰｈＩＯ氧化开环的反应动力学和取代基效应对反应的影响规律，研究结果表明，单锰卟啉被ＰｈＩＯ氧化反应在动力学上为一级反应，且反应动力学常数ｋ与取代基特性常数σ之间存在线性关系。     

Fuzzy矩阵的秩与Fuzzy向量组的基

本文在文献的基础上，对于Ｆｕｚｚｙ矩阵秩的有关性质做了进一步研究；给出了Ｆｕｚｚｙ向量组线性相关的充分必要条件。提出利用拟基向量求Ｆｕｚｚｙ基的方法，使Ｆｕｚｚｙ矩阵的求秩运算得到改进。     

毛竹基腐病病原的研究

毛竹基腐病是于１９７５年在江苏省常熟市首次发现的新病害，现已知浙江，安徽，江西、湖北和四川均有分布，国外至今未见报道，经多年的分离培养试验，从病株组织内获得４种真菌和１种细菌的纯培养，通过竹笋期的室内，室外和有伤，无伤的多次反复接种和再分离试验，结果表明：这种细菌对毛竹不有任何致病力，茁芽短梗霉和交链孢对毛竹只有很轻微的致病力，仅造成局部组织的坏死，暗孢节菱孢和异孢镰刀菌对毛竹有极强的致病力，并能     

毛竹基腐病菌（Arthrinium phaeospermum）的研究

报道毛竹基腐病菌（暗孢节菱孢）的形态特征，孢子萌发方式和主要生态特性。电镜观察表明，该菌的基本形态与Ｍ．Ｂ．Ｅｌｌｉｓ所描述的一致外，还发现了一些未被描述过的孢子类型：（１）长椭圆形一棍棒状的分生孢子；（２）向顶性陆续形成的分生孢子链；（３）间生和顶生的厚坦孢子。孢子萌发试验结果表明：该菌的分生孢子有两种萌发方式：一种是产生芽管，另一种是产生泡囊，囊中含有多个无色球状或椭圆形的孢子。适合孢子萌发的     

α，α－二羰（酯）基烯酮环二硫代缩醛的合成研究

定量合成α，α－二羰（酯）基烯酮环二硫代缩醛．共合成七个未见文献报导的新化合物，并通过ＩＲ，＇Ｈ－ＮＭＲ等对结构进行确证     

无溶剂室温研磨合成N,N''''-二芳基-2-硝基-1,4-苯二氧基二乙酰胺

在无溶剂条件下，2-硝基-1，4-苯二氧基二乙酰氯与各种芳胺在室温下研磨可快速反应得到N，N′-二芳基-2-硝基-1，4-苯二氧基二乙酰胺(Ⅱa～Ⅱ1)．该法与传统的溶液法相比具有无有机溶剂污染、反应速度快、产率高和后处理简单等优点．     

硅基半导体光电子材料的第一性原理设计

具有特定功能的半导体材料的计算设计，是计算材料科学的一个重要研究领域．由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布，因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题．为了进一步解决硅基光电子集成（OEIC）技术发展的瓶颈．设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体，是一项富有挑战性的工作．本文在分析大量半导体能带结构的基础上，给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制，并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础，提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案．根据这个方案所表达的设计思想，我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计．结果发现，用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA／Sim／VIB／Sim／VIA具有直接带隙特性．其中当m=5或奇数时，材料有四角结构对称性，而m=6或偶数时是正交结构对称性．VI“。。是在〈001〉生长方向生长的单层VI族元素．这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配，与微电子技术相兼容，并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现．预期这类新材料及其相应器件的研制开发．将大大开拓全硅OEIC和硅光子集成（PIC）技术的进一步发展．     

承压水下水泥搅拌桩施工工艺及质量控制

水泥深层搅拌桩是进行软基处理的一种有效形式。本文介绍了富承压水下水泥深层搅拌桩施工工艺的选择及施工质量控制。