一类线性切换系统的能控性和能观测性的充要条件

循环不变子空间是常用于控制科学和信号处理理论的重要数学工具之一。用循环不变子空间的性质研究了切换系统的能控性和能观测性。先给出了切换系统能控性、能达性和能观测性的概念,并讨论了循环不变子空间的性质。然后用循环不变子空间的性质研究了周期线性切换系统的能控制性、能达性及能观测性,得到线性周期切换系统完全能控和完全能观测的充分必要条件。最后给出一般线性切换系统完全能控和完全能观测的充分条件和必要条件。     

建立实验室开放式教学的实验管理系统

针对普通物理实验课实行开放式教学,利用计算机网络让学生预约自由选时完成所必须完成的实验.简要地介绍了目前实验状况及管理系统的设计思想,整体组成和应用前景.     

过程集成技术在精馏塔用能系统中的应用

本文通过对精馏过程用能系统的分析，提出了在精馏设计中采用过程集成技术的工作程序；利用过程集成技术原理和ASPEN模拟计算软件，通过构造CGCC曲线的方法，对应用实例进行了分析。结果表明，应用过程集成技术可使精馏过程能量的利用更合理。     

21世纪先进发射药:低敏感高能发射药(1)--新材料和新实验技术

现代先进武器系统对弹药提出了大威力和高生存能力的要求，研究开发低敏感高能发射药必将成为21世纪发射药及其装药发展的大趋势。该文讨论了低敏感高能发射药的研究背景和意义。详细讨论和分析了发达国家在低敏感高能发射药领域涉及的新材料和新实验技术方面的最新研究进展和成果。指出了我国正处于跨越低易损性发射药的发展阶段，可直接制定并实施兼具低易损性和高能特点的低敏感高能发射药的研究计划。     

大黄酸抑制脂多糖刺激巨噬细胞升高[Ca2+]i和释放TNFα的作用特征

以正常腹腔巨噬细胞(PMφ)和脂多糖(Lipopolysacharide，LPS)刺激的PM垂为对象，用MTT法和激光共焦扫描显微术检测肿瘤坏死因子α(TNFα)释放量和单细胞[Ca^2 ]i的动态变化，研究了大黄酸(Rhein)的作用特征和机理．结果显示，大黄酸对正常PMφ释放TNFα没有明确的影响，但对LPS刺激的PMφ释放TNFα有显的抑制作用，其抑制作用随浓度增加而增强，10^-4mol／L大黄酸抑制了10μg／mL LPS效应的72％．值得注意的是，大黄酸不但抑制了LPS引发的PMφ[Ca^2 ]i的升高，而且使LPS引发的[Ca^2 ]i由宽平台峰状转变为振荡动力学模式，胞外介质无钙时又转变为更低幅值的峰．以上结果表明，大黄酸降低LPS引发的PM垂的[Ca^2 ]i升高是其抑制TNFα释放的信号传导通路的重要环节，并提示大黄酸在降低胞内钙释放和胞外钙内流的同时又对其动力学进行了类周期性的调制．     

可成为交换整区的素近环

设N是2-挠自由分配生成素近环,它具有单位元1和中心Z.该文证明了如果N满足下列条件之一,则N是交换整区(1)N容纳2个非零导子D1,D2,使得D1D2(N) Z;(2)N容纳一个非零导子D,使得[D(N),D2(N)]={0};(3)N容纳一个导子D,使得D(Z)≠{0},且() x,y∈N,有[x-D(x),D(y)]=0.     

铝/硅橡胶交织复合材料压缩力学行为的研究

制备了铝/硅橡胶交织复合材料,并对其进行静态压缩实验,分析了其压缩力学行为及吸能性.铝/硅橡胶交织复合材料的压缩应力 应变曲线呈现双阶段平台的特征,平台区总的长度远大于与复合材料中相同结构参数的泡沫铝压缩曲线上的平台区长度,且压缩曲线没有明显的压实区.在相同的应力峰值下,铝/硅橡胶交织复合材料的压缩吸能性和吸能效率均高于参数相同的泡沫铝,因而可作为性能优异的吸能材料.     

岗能绩效薪点薪酬设计案例

笔者研究设计的“岗能绩效薪点薪酬方案”于2001年在广州市某房地产建设开发集团推行,一年的运行实践证明本方案颇能适应企业的实际需求,所以特将此岗能绩效薪点薪酬体系的设计思想写出来以飨读者,希望能对正在探索改革转型中的国有企业和寻求规范内部管理运作的民营企业和外资企业在实现科学的人力资源管理方面起到抛砖引玉的作用。 一、岗能绩效薪点薪酬体     

4种氨基酸燃烧热的精密测定

用精密转动弹热量计测定了L-色氨酸、L-白氨酸、L-异白氨酸和L-丙氨酸的燃烧能,计算出它们的标准燃烧焓ΔcHθm分别依次为(-5575.83±3.99),(-3558.81±4.81),(-3569.32±8.33),(-1595.36±1.42)kJ/mol和标准生成焓ΔfHθm分别依次为(-467.76±4.25),(-660.14±4.88),(-649.64±8.37),(-585.58±1.48)kJ/mol。认为此结果比文献值更可靠。     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。