P-GeSi/P-Si探测器的研制

采用ＭＢＥ法在Ｓｉ衬底上生长ＧｅＳｉ异质结,制成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结探测器。测得其反向击穿电压为１５Ｖ左右,光响应为０．５ｍＡ     

HBT的PN结偏移效应

采用流体动力学输运模型详细分析了发射区ＰＮ结偏移对ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件性能的影响，提出了器件优化设计的原则，在等和小的偏压下为了提高，β，ＰＮ结应向宽禁带层偏移，而为了得到大电流下的大电流放大倍数则应采用ＰＮ结是质结对准的结构。     

按比例缩小SiGe HBT能量传输模型

针对用传统的漂移扩散模型分析小尺寸SiGe HBT的局限性,采用新的能量传输模型.通过分析建立了小尺寸SiGe HBT(考虑Ge含量)的玻尔兹曼方程,得到不同区域电子温度的分布;并比较了不同基区宽度、不同Ge梯度下的电子温度曲线.结果发现在基区很薄的情况下,电子从基区向集电区渡越时,其温度逐渐升高,且大大高于晶格温度,且不同基区宽度基区电子温度变化率不同.     

基于电流复用与有源电感的UWB LNA

设计了一款超宽带低噪声放大器(UWB LNA).采用Cascode-共基极电流复用结构,直流通路时能有效降低功耗,交流通路时增加了电路的增益,并且保持了Cascode结构高反向隔离性的优点.采用有源电感替代输出级的螺旋电感,减小了芯片面积,并且通过改变有源电感等效电感值的大小,实现UWB LNA增益的调节功能.基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,利用射频/微波集成电路仿真工具ADS对该UWB LNA进行了验证.结果表明:在3.1~10.6GHz频段内,增益大于14.1dB,噪声系数小于4.0dB,输入与输出反射系数均小于-10dB,频率为7GHz时输入三阶交调点为-11dBm,功耗为19.75mW.     

A Direct Parameter-Extraction Method for GalnP／GaAs Heterojunction Bipolar Transistors Small-Signal Model

Heterojunction bipolar transistors(HBT) have been wide ly used for digital, analog, and power applications dueto their superior high speed and high current driving capabili ties. The development of HBT on the materials of GaAs andSi/SiGe has been stimulat…     

具有N^＋—i—P型发射结的AlGaAs／GaAsHBT的漏电特性

在研制超高电流增益AlGaAs/GaAs HBT的基础上,对有N~+-i-P型发射结的HBT的漏电特性做了实验研究,研制出的HBT具有较好的小电流特性.还分析了N~+i-p型结构的特点及HBT外基区表面漏电的产生机理.     

电流加速方法评价SiGe HBT的热载流子效应

利用电流加速方法（FCSAM;E－B结反偏、C－B结正偏应力）对0.35um BiCMOS工艺SiGe HBT的热载流子效应可靠性进行了评价研究。研究结果表明,随应力时间的增加,SiGe HBT电流放大系数逐步退化,相比传统的电压加速退化方法（OCSAM：E－B结反偏）试验,FCSAM显著缩短了实验时间。     

一种新的HBT小信号模型参数提取方法

提出了一种改进了的HBT小信号参数提取的方法．在这种方法中以HBT的T型等效电路为基础，以测量HBT的S参数为依据，通过拟合数条曲线，所有等效电路的元素都可以通过解析的方法提取出来，不需要再进行数字优化。另外，还提供了一种提取HBT在低频下的总时延因子的新方法，这种方法不仅简洁，而且能够提高参数的精确度。最后经过验证，证明本方法是一种相当可取的提取HBT小信号等效电路参数的方法。     

GeSi／Si多量子阱光波导模特性分析和结构设计

根据普适于任意阱数方波折射率分布的多量子阱光波导模场分布函数和模特征方程,分析了以ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱为波导芯、Ｓｉ为覆盖层的光波导结构中锗含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播系数的影响．结合吸收特点,对波导探测器ＭＱＷ吸收层结构进行优化设计．     

GeSi／Si集成光对称定向耦合器

研究了一种适用于光纤通信的Ｓｉ基ＧｅＳｉ集成光波导定向耦合器,基于耦合模理论,对其功率传输特性进行了分析,得到了定向耦合器的耦合间距和耦合长度。其结果表明,在所得到的最佳耦合长度处,这种耦合器可将光从其输入波导一端１００％地耦合至另一波导并输出。