阳离子聚合物／膨润土对苯酚的吸附及其机理研究

采用阳离子聚合物聚环氧氯丙烷二甲铵(EPI-DMA)和聚二甲基二烯丙基氯化铵(PDMDAAC)分别对钠基膨润土进行了改性,研究了改性膨润土吸附苯酚的机理及其主要影响因素。实验结果表明,膨润土经阳离子聚合物改性后,吸附苯酚的能力大大提高。振荡时间、温度、pH值、离子浓度对阳离子聚合物／膨润土吸附苯酚的性能均有一定的影响。PDMDAAC／膨润土和EPI-DMA／膨润土分别在振荡时间为20min和60min时,达到吸附平衡;温度升高,吸附量下降,不利于吸附反应的进行;pH相似文献   

论格非小说的“神秘性倾向”

青年作家格非曾经由于叙述的独特性而被划入到先锋作家的行列,这既与格非的小说观念有关,同时,也与格非小说叙述的独特性有关。本文选择“神秘性倾向”这一视角进入格非的小说世界。通过观念转变和叙述上的“空缺与断裂”、“镜像与迷宫”以及创作的延续共四方面的论述,得出“神秘”是造成格非小说具有引人入胜之故事性的重要原因。     

Ca[（Li1／3Nb2／3）0．95Zr0．15]O3＋δ陶瓷的低温烧结

研究了ZnO—B2O3-Na2O（ZBN）玻璃及B2O3复合掺杂对陶瓷的烧结性能及微波介电特性的影响．研究表明,在990℃,掺入质量分数3wt％ZBN＋0．7wt％B2O3,陶瓷微波介电性能最佳：εt=31．8,Qf=13230GHz,τf=-5．2ppm／℃．     

Ge_6H_6几何构型的稳定性和电子结构的研究(英文)

应用GAUSSIAN 92从头算方法研究了Ge6H6 几何构型的稳定性和电子结构 ,主要研究了两种最可能的几何构型 ,发现最稳定的构型是平面六锗苯 .平面六锗苯比棱柱六锗苯的能量低 2 0 .9kJ/mol,我们也研究了平面六锗苯和棱柱六锗苯的电子结构     

Si+/As+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究

研究了单 (Si )双 (Si / As )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ,对注入层电激活影响不大 .采用多重能量 Si 注入 ,可改善栽流子纵向分布的均匀性 ,采用 Si / As 双离子注入可改善 L EC SI-Ga As衬底中 EL 2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可获得注入层横向的电激活 .     

分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能

采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为5.26 meV.双晶摇摆曲线的线宽同GaAs衬底相近.霍尔测量非故意掺杂InGaP外延层的室温迁移率同其他源或其他方法生长的外延层结果类似.     

静压下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光

通过研究77 K温度下不同组份的GxAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)的静压光致发光,在x=0.88的样品中首次观察到NH_3 的发光,压力使N_x谱带窄化及其LO声子伴线的黄昆因子变小等现象。结果表明,压力使得混晶无序效应减弱,加强了激子从N_x?NN_i的能量转移过程。     

GaAs／Ga1—xAlxAs 量子阱结构能带的不连续性

用改进的方势阱模型、半导体统计方法,研究了决定GaAs/Ga_(1-x)Al_xAS量子阱结构中能带不连续的参数Qe与热平衡费米能级的关系,Qe作为一个统计参数,不仅与组分x、阱宽L有关,还与温度有关,计算表明,对不同的x、L值,Qe的数值可在一个相当大的范围内变化,在同样组分下,阱宽越大,Qe越小;在同样阱宽下,组分越高,Qe越小,计算结果与一些实验结果符合得很好。     

微观sdg相互作用玻色子模型理论方案

提出了一种研究sdg相互作用玻色子模型的微观基础的理论方案.它是以壳模型组态及核子-核子有效相互作用为出发点,以玻色子展开和MJS代换为基础的SdIBM微观研究方案的推广.运用该方案计算了~(72)Ge核的能谱,计算结果与实验相符.     

MOVPE生长不掺杂薄GaAs层线偏振光吸收系数和折射率的电流感生变化

本文报道研究MOVPE技术生长微米量级不掺杂薄GaAs层的线偏振光吸收系数电流感生变化(△α)和折射串电流感生变化(△n)的实验结果。发现通有电流的薄GaAs层内△α和△n值随光波长(λ)呈脉冲线型非线性变化。电流增加,△α,△n和脉冲线型函数的半极值全宽值都明显增大,而△α-λ谱和△n-λ谱的峰值对应的λ_p值明显移向长波端。不掺杂薄GaAs层内电流感生的这种光学非线性效应,对了解具有多薄层结构的电流注入型半导体光电子器件和集成光学元件的物理机制,设计和改进器件性能具有实用参考价值。