GaAs压电物性的研究

较详细地讨论了GaAs压电效应的起源。有3种不同的机制对压电效应有贡献.这些机制是离子电荷的内部位移、电子电荷的内部位移和由于应变引起的离子性的变化.推导出了任意晶体取向压电常数张量的表达式,证明了,对正应力而言,GaAs〈111〉方向有最强压电效应发生,且Ga原子呈负电性,而As原子则呈正电性.     

n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs电池短路电流密度的理论分析

n-GaAs/p-GaAs / p-Ga_(1-x)Al_xAs异质结构背电场背反射薄层电池的短路电流密度计算结果表明:在通常情况下,要提高电池的短路电流密度,必须尽可能减小结深x_j;基区厚度H_1的变化对短路电流密度也有重要影响,在给定的基区扩散长度L_1下,H_1存在一最佳值,为了得到比较大的短路电流密度,建议x_j<0.05μm,H_1=2μm,n-GaAs区少子扩出长度L_r>x_j,L_1>2H_1。     

王国维"隔与不隔"说之文本分析

“隔与不隔”说,是王国维《人间词话》中所提出的美学理论之一.从结构主义和现象学的角度视之,可以在“所指--能指--读者还原”这一过程里见出许多重要的文艺现象,这都有利于我们对文学文本特征的进行深入理解.     

焙烧温度对S2O8^2-／ZrO2介孔超强酸的结构与性能的影响

以硝酸锆为锆源,以阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠（SDS）为模板剂,S2O8^2-浸渍无定形Zr（OH）4,制得介孔S2O8^2-／ZrO2固体超强酸,通过N2吸附－脱附、XRD分析、Hammett非水滴定、TEM等方法,考察了不同焙烧温度对S2O8^2-／ZrO2介孔超强酸晶体结构、酸强度等性能的影响。结果表明,当焙烧温度600℃,S2O8^2-／ZrO2样品比表面积为140m2／g,平均孔径在3～4nm之间,酸强度H0≤-12．7,为介孔相固体超强酸。     

质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较

利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.     

Detecting the micro-defects in the GaAs materials by time resolved emissions

The GaAs material is a major semiconductor material, and it has high electron transfer rate and direct transition energy band structure. The devices and inte-grated circuits fabricated on the GaAs substrates have a lot of advantages such as high speed information processing. Small perturbations in the manufacturing of GaAs materi-als can lead to defects. The defects in the GaAs materials can degrade the performance of materials. A new method is presented in this paper for detecting the micro-defects in GaAs materials by using time resolved emissions. In this method, the micro-defects in GaAs materials are detected by making use of the photon emission features of micro- defects. The strength of the emitted photons from the micro-defects is increased by applying the electric current or the periodic pulse signals to GaAs materials. The single-photon detector is used to detect the photon emissions of the micro-defects. The time resolved photon emissions and single-photon detection are used to record and compare the amounts of the emitted photons that come from the given regions of the normal GaAs materials and the defective GaAs materials. A lot of experimental results show that the micro-defects in the GaAs materials can be detected by using the method proposed in this paper.     

有限深量子阱中电子迁移率的压力效应

考虑量子阱中局域类体光学声子模及界面光学声子模的影响,采用介电连续模型,运用力平衡方程研究GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中声子模对电子迁移率影响随阱宽的变化关系及其压力效应.结果表明,在窄阱时迁移率主要受界面光学声子模的影响,随着阱宽的增加,局域类体光学声子模对迁移率的影响逐渐增加;两种声子模的散射作用均使电子迁移率随外加压力增加而减小,在窄阱时压力效应更加明显.     

Ge_2Sb_2Te_5薄膜及其存储特性研究

采用磁控溅射制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.通过XRD以及四探针法研究薄膜在退火过程中的微结构演变以及电导率变化规律.通过电流-电压特性研究了存储器的存储转变机制.     

求解一类非线性方程组的Newton-PLHSS方法

基于倾向一侧的对称／反对称分裂(LHSS)迭代方法,提出了一类求解Jacobi矩阵在解x*处为大型稀疏非埃尔米特矩阵的非线性方程组的Newton PLHSS方法,给出了这类不精确牛顿法的两种局部收敛性定理。数值结果验证了该方法的正确性和有效性。     

H4SiW6Mo6O40／SiO2在H2O2催化氧化环己酮合成己二酸中的应用

采用溶胶一凝胶法制备了二氧化硅负载硅钨钼酸催化剂．以二氧化硅负载硅钨钼酸（H4SiW6M06040／SiO2）为催化剂,30％H202为氧源,催化氧化环己酮合成己二酸．探讨H4SiW6Mo6O40／SiO2对氧化反应的催化活性,较系统地研究了二氧化硅负载硅钨钼酸用量、反应温度、H。02用量、反应时间等因素对产物收率的影响．实验表明：H4SiW6Mo6O40／SiO2是合成己二酸的良好催化剂;在n（环日酮）：n（H2O2）：n（H4SiW6Mo6O40／SiO2）=100：198：0．124,反应温度为110℃,反应时间3．5h的最佳条件下,己二酸的收率可达86．7％．