葛洪《抱朴子外篇》儒学思想辨微

葛洪的<抱朴子外篇>历来被研究者看成是"杂家",这似乎已经成为了定论,究其原因是由于没有仔细研读原文和受评论家影响造成的.我们通过仔细蚓读和分析<抱朴子外篇>的原文,并结合当时的历史背景,完全可以得出<抱朴子外篇>不同于<内篇>的思想倾向的结论.<内篇>属道家,而<外篇>属儒家.从<外篇>提炼出的"夫唯无礼,不厕贵性"、"崇教勖学,精六经之正道"、"量材授官,贵贤任能"、"诘鲍论君,辨证古今"等命题,可以看出完全是儒家思想体系中的范畴.<抱朴子外篇>儒学思想有两个特点:一为"驳难",二为"通释".     

变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度

文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77—400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为1g（｜RH｜T^3/2）-1／T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。     

不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究

报道ＭＯＶＰＥ技术生长不掺杂ＧａＡｓ膜，在Ｈｅ－Ｎｅ激光场作用下，其近红外光吸收系数变化的实验结果。     

Transmission electron microscopy investigation of the Ar+ ion irradiation effect in semiconductor GaAs

Room temperature irradiation effect of GaAs compound semiconductor by 100 keV Ar⁺ ions has been systematically studied by means of transmission electron microscopy. The dose dependenceoof the Ar⁺ ion irradiation and room temperature annealing effects have been investigated. The experimental results show that the structure of GaAs transforms from perfect crystalline through weakly and severely damaged crystalline to amorphous states with the increase of the irradiation dose and the damaged states are changed during room temperature annealing. Yang Xiangxiu: born in 1968, Doctor     

白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱

对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。     

三维deSitter与anti－deSitter空间中极大与极小抛物旋转曲面及整体稳定性

本文讨论三维ｄｅＳｉｔｔｅｒ与ａｎｔｉ－ｄｅＳｉｔｔｅｒ空间中极大与极小抛物型旋转曲面，给出了完全的分类并证明了类空曲面是整体稳定的。     

制造非晶硅锗合金膜的新技术

本文报告了我们设计的制造非晶硅锗合金膜的一种新方法——直流反应溅射法。用这种方法,我们得到了锗含量从5％到95％的分布均匀的氢化非晶硅锗合金,膜质均匀、致密,是制造太阳能电池、锗化锗晶体管的优良材料。     

Sm替代对DyMn6Ge6化合物磁性和磁电阻效应的影响

利用X射线衍射和磁化强度测量,研究了Dy1-xSMxMn6Ge6(x=0.2～1.0)化合物的磁性和输运性质.结果表明x≤0.4的样品主要由HfFe6Ge6型相构成;0.6≤x≤1.0的样品主要由YCo6Ge6型相构成.样品的点阵常数和单胞体积随着Sm含量的增加而增大,随着Sm含量的增加,样品发生反铁磁-亚铁磁-铁磁性转变.x=0.2,0.4的样品为反铁磁性,其奈尔温度分别为425,430K,并在50K下发生二次磁相转变.x=0.6,0.8,1.0的样品在磁场高达5T下的磁电阻曲线上的拐点可能是由于磁场对费米面的影响,也可能是由于磁矩和洛仑兹力对传导电子散射作用之间竞争的结果.     

基于负载牵引方法的微波功率放大器仿真设计

微波功率放大器是通信系统中的关键器件.这里描述了基于EDA技术下3.55GHz的可用于W-CDMA基站的微波功率放大器的设计方法.利用厂家提供的非线性模型进行仿真设计,通过直流仿真来确定其偏置,利用负载牵引技术来确定最佳输入输出阻抗,设计出输入和输出匹配网络.对整个设计进行测试,得到了具有高输出功率,一定效率的功率放大器,适用于线性基站应用.     

应变SrTiO_3/GaAs异质结的整流特性研究

采用脉冲激光沉积法在P型GaAs基片上制备了缺氧的钛SrTiO3薄膜.X射线衍射测量证明SrTiO3薄膜外延生长.I-V曲线测量显示很好的整流性,说明该SrTiO3薄膜与GaAs形成p-n结.该结的电输运机制为应变导致的隧穿电流,且其电输运性质不受光照影响.