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11.
采用点电荷晶场模型,通过模拟四方晶系化合物NdCuAs2和Nd2Ge2In的磁化率倒数-温度曲线,得到了Nd3+的各级分裂能和相应波函数,并分析了晶场效应对化合物磁性质的影响.结果表明,Kramers离子Nd3+的十重简并基态4I9/2在晶场效应的作用下分裂为5个双态,计算结果与实验吻合得较好. 相似文献
12.
对GaAs光电阴极激活过程中各阶段做了X射线光电子谱(XPS)表面分析,根据XPS分析所得数据,改进了激活工艺,提出了获得更好发射性能的光电阴极的最佳Cs和O2量,并提出了Cs和O2在GaAs表面排列的模型. 相似文献
13.
氢氧注入在GaAs器件中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
从3个器件说明氢,氧注入在不同方面的应用:(1)用氧注入制备高质量N-SI-N埋层,应用于源栅面对MESFET中,克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应;(2)用氢注入了P^+-N^--N^+层的N^-层,减小HBT的BC结电容,以提高其高频特性;(3)用氢、氧注入制作平面结构的HPT,以减小复合电流,提高光电增益,其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。 相似文献
14.
对自组装生长的Ge量子点超晶格样品进行了光荧光谱(PL谱)和拉曼散射谱(Raman谱)实验测量研究.对Si的TO发光峰和Ge的发光峰特征进行了深入讨论,通过对变温PL谱的拟合及分析提出了对Ge量子点尺寸和其电子有效质量一种新的测评方法;首次在非共振Raman模式下观测到低频声子模,研究了样品的结构组份、应变及声子限制效应问的关联性. 相似文献
15.
杨甫旺 《文山师范高等专科学校学报》2005,18(2):114-118
“梅葛”是楚雄彝族最具有代表性的原始性史诗,与民族同生共长,并与原始宗教祭祀、节日庆典、礼仪民俗融为一体,蕴含着丰富的历史文化特点,如充满浓厚、神秘的原始宗教观念,展示了楚雄彝族家庭婚姻和传统伦理道德的演变过程,同时还揭示了彝族社会生产力从低到高不断发展变化的历史进程,阐述了彝族从游牧到旱稻兼作或稻作的农耕演变规律。 相似文献
16.
GaAs MMIC开关MESFET电路建模技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于Agilent公司的IC—CAP软件及GaAs圆片工艺加工线,研究了砷化镓微波毫米波单片集成电路(GaAsM—MMIC)开关MESFET电路建模技术及其应用。讨论了MMIC设计中电路建模技术的重要性,提出了高精度GaAs MMIC开关MESF田简化电路模型及不同栅宽模型参数的比例缩放方案,扩展了电路模型的应用频率范围,解决了电路模型参数提取中的关键问题,如:开关MESFET模型的版图设计、微波探针校准图形的设计、电路模型参数的提取、统计和确认。采用该技术提取的电路模型参数,成功研制出GaAs MMIC控制电路系列产品,验证了该方法的有效性。 相似文献
17.
研究了半导体内弱耦合二维自旋磁极化子的磁场和温度特性.在有限温度和外加均匀恒定磁场的情况下,应用么正变换和线性组合算符法给出了GaAs晶体内极化子平均数与磁场和温度的依赖关系的理论表示,也作了数值分析.数值计算的结果表明:在某一确定的温度下,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随磁场的加强而减小;磁场较弱或温度较高时,平均数变化较剧烈;磁场较强或温度较低时,平均数变化较平缓;当外加磁场确定时,弱耦合二维自旋磁极化子平均数随温度升高而增大;当温度较低或磁场较强时,平均数变化偏离线性关系;当温度较高或磁场较弱时,其变化接近线性关系. 相似文献
18.
为了克服Ge雪崩光电二极管(APD)中因Ge的电子与空穴的碰撞离化系数相差不大带来的的较大噪声的缺点,拟研制一种新的器件--Ge/Si的吸收倍增分离雪崩光电二极管(SAM-APD). 先在n-Si衬底上用B+ 注入和分子束外延(MBE)2种方法分别形成p-Si,然后用MBE的方法在其上外延一层Ge膜.利用透射电镜、X光双晶衍射、Hall剥层测量等方法对Ge膜的单晶质量、电特性以及材料的p-n结特性做了分析比较,得到的结论是:Ge膜的单晶质量、电特性都比较好,直接生长的Ge膜的质量要优于经离子注入的Ge膜;但p-n结特性却是经离子注入的要好于直接生长的. 相似文献
19.
用注量为1.2×1012~1.2×1013 cm-2的低能量(0.5 MeV)质子辐照空间实用GaAs/Ge太阳电池,电池被覆盖有4种情况:100%玻璃覆盖,5%部分无玻璃覆盖有封胶,5%部分无玻璃覆盖无封胶,100%无玻璃覆盖.研究表明,电池性能衰降随着质子辐照注量的增加而增大,但性能参数I sc和U oc衰降程度4种覆盖情况是不同的:100%覆盖,电池性能衰降最弱;5%部分无玻璃覆盖有封胶,性能衰降较弱;5%部分无玻璃覆盖无封胶,衰降较强;100%无覆盖性能衰降最大.研究还表明,相同的质子辐照注量引起的Isc衰降变化比Uoc变化显著;未覆盖部分仅占5%,也会引起电池性能明显衰降. 相似文献
20.
报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350~450℃),长时间(20~30 s)退火和高温(970~1050℃),短时间(1~2s)退火,使注入区晶格恢复好,二次缺陷密度大大降低,电特性得到明显改善。激活率达到了30%,迁移率为2400~2 515cm~2·V~(-1)·s~(-1),薄层电阻为42~46Ω。根据点缺陷和杂质原子的相互作用,结合载流子浓度分布的特点,对半绝缘砷化镓中MeV注入硅原子的激活机理进行了讨论。 相似文献