等离子体清洗GaAs和Al2O3衬底的RHEED图像分析

针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)工艺对其分别进行纯氢、氢氮等离子体清洗,并配备高能电子衍射仪(RHEED)实时监测清洗过程．CCD的RHEED图像分析表明,在一定条件下用纯氢等离子体对GaAs衬底清洗只需1min左右,即可得到比较平整的清洗表面,但清洗2min以上表面质量开始变坏．若在氢气中加入少量氮气,清洗时间可延长至10min左右．而Al2O3衬底对纯氢等离子体的清洗时间比较敏感,清洗2min左右就能获得平整的清洗表面,若时间延长到4min,表面质量将开始变坏．如果采用氢氮等离子体清洗,约需20min时间,而且在很宽的清洗时间范围(20～30min)内都能获得良好的清洗表面．     

雾化施液CMP工艺及实验设备

针对传统化学机械抛光的平坦化制程中抛光液使用量大和环保等问题,提出了一种利用超声波雾化抛光液进行抛光的工艺方法。介绍了试验台架搭建、工艺处理方法、工作原理和抛光工艺,并与传统化学机械抛光效果进行了比较。研究表明,在表面质量上,雾化工艺能够达到传统化学机械抛光的量级,其使用量是传统化学机械抛光的1／10。     

Effect of strain on space charge layer in GaN nanowires investigated by in-situ off-axis electron holography

Effect of strain on space charge (SC) layer in nanowires (NWs) has been examined by in situ off-axis electron holography, where GaN NWs attach to an Au electrode inside a transmission electron microscope (TEM). Based on the phase image reconstructed from the complex hologram, the width of SC layer in a strained GaN NW is significantly reduced to about 60 nm, comparing to the 85 nm of the unstrained NW. About 29% reduction of the SC layer in the strained GaN NW resulted from significant decrease of electrons flowed from the GaN into Au. First principle calculations show that the strain reduced bandgap of GaN, narrowing the difference between GaN NW and Au electrode in Fermi level.     

非球面件数控研抛力、研抛工具位置和姿态解耦技术

为解决非球面自动研抛系统中普遍存在的研抛力-研抛工具的位置-研抛工具的姿态(以下简称力-位-姿)相互耦合问题,提出一种基于磁流变力矩伺服装置(MRT)的非球面数控研抛力-位-姿解耦技术。基于Hertz接触理论和摩擦学原理,分析研抛过程中的力-位-姿耦合机理,建立了耦合模型。阐述基于MRT的数控研抛力-位-姿解耦原理,开发相应的实验研究系统,建立系统研抛力模型。规划了研抛工具的路径。试验得到0.025 μm粗糙度的镜面表面。试验表明该技术能独立、主动、实时地控制研抛过程中的研抛力、研抛工具的位置和姿态。     

n型GaN的蓝光发射研究

使用光谱表征技术研究了非掺杂n型GaN的蓝光发射机理 ,给出了 42 7～ 496nm (2 5～ 2 9eV)范围的蓝光的发光模型。蓝光发射为施主型发射 ,施主能级可能起源于某种间位杂质     

花岗石抛光磨石的分析研究

通过对国内外抛光磨石的硬度，主要组成的成分、含量和组织结构进行分析、对比，找出了国内外抛光磨石的性能差别，提出了制作优质抛光磨石可供借鉴的方向和性能指标。     

一种新型金属表面抛光剂

研究了用于金属表面的液体抛光剂,含有1%~3%二甘醇丁醚,0.5%~1.0%烷基苯磺酸钠,1%~1.5?TA,2%~3%苯甲醇及少量助剂等,广泛用于金属表面的抛光与洗涤,各项性能指标优于传统型金属表面抛光剂.     

去污上光剂的研制

论述了去污上光剂的去污上光原理，配方的选择以及主要技术指标的测定方法。结果表明，去污上光剂表面张力为２４．３×１０－３Ｎ／ｍ，５ｍｉｎ后润湿面为１４．１°～１２．９°     

GaN微电子器件的研究进展

介绍了GaN材料的优良特性以及工艺上存在的问题;着重介绍了GaN微电子器件的历史发展和最新发展;GaN微电子器件发展表现出较大应用潜力。     

ULSI碱性抛光液对铜布线平坦化的影响研究

研究了铜化学机械平坦化的模型.通过研究分析,采用40 nm粒径的硅溶胶作为磨料,H2O2作为氧化剂,还包含螯合剂和FA/O表面活性剂作为抛光液.分析了工艺条件(包括压力、流量、转速、温度等)和抛光液(H2O2、有机碱、磨料粒径)对抛光过程的影响.通过实验结果,确定了相应的实验条件和抛光液来解决铜化学机械抛光过程中出现的...