中等粒度纳米金刚石用于磁头抛光的工艺

采用浮动块研磨抛光机,研究中等粒度纳米金刚石抛光液用于硬盘磁头抛光时其颗粒大小及其悬浮液的分散稳定性与磁头表面质量的关系,以及抛光各工序、运行参数与表面质量的关系.磁头表面质量采用原子力显微镜观测分析.通过对抛光过程运行参数的正交实验,对中等粒度纳米金刚石用于磁头抛光的工艺过程进行优化.实验结果表明:磁头表面粗糙度随着金刚石粒径的减小而减小,但二者并不呈线性关系;抛光液的分散稳定性比抛光液颗粒粒径更能影响表面划痕的深度;精研磨能有效去除表面划痕;而抛光能有效降低表面粗糙度,但其对划痕的消除不如精磨有效;各参数对表面粗糙度和划痕的影响程度不同,但是优化后参数取值相同.     

环形抛光盘几何参数对去除函数的影响

为获得与理想去除函数更为接近的去除函数,采用中心开孔的环形抛光盘作为抛光工具,推导环形抛光盘在行星运动方式下的去除函数模型,探究环形抛光盘偏心率m及中心孔径r1对去除函数形状及误差修正能力的影响。研究表明:当0<06时,去除函数的中心区域出现较大程度的“凹陷”,不具备理想去除函数特性;中心开孔孔径r1主要影响去除函数的峰值区域大小及边缘去除量,随着r1增大,去除函数中心峰值区域越窄,边缘去除量减小,去除函数呈现出“脉冲特性”,有利于中频误差的修正;与应用较为广泛的圆形抛光盘去除函数相比,在相同偏心率m下,环形抛光盘的中频误差控制能力优于圆形抛光盘。>     

TiO2-assisted GaN-nanowire-based stable ultraviolet photoelectrochemical detection

Ultraviolet photodetection plays an important role in optical communication and chemical- and bio- related sensing applications. Gallium nitride (GaN) nanowires-based photoelectrochemical-type photodetectors, which operate particularly in acqueous conditions, have been attracted extensive interest because of their low cost, fast photoresponse, and excellent responsivity. However, GaN nanowires, which have a large surface-to-volume ratio, suffer suffered from instability in photoelectrochemical environments because of photocorrosion. In this study, the structural and photoelectrochemical properties of GaN nanowires with improved photoresponse and chemical stability obtained by coating the nanowire surface with an ultrathin TiO₂ protective layer were investigated. The photocurrent density of TiO₂-coated GaN nanowires changed minimally over a relatively long operation time of 2000 s under 365-nm illumination. Meanwhile, the attenuation coefficient of the photocurrent density could be reduced to 49%, whereas it is as high as 85% in uncoated GaN nanowires. Furthermore, the photoelectrochemical behavior of the nanowires was investigated through electrochemical impedance spectroscopy measurements. The results shed light on the construction of long-term-stable GaN-nanowire-based photoelectrochemical-type photodetectors.     

石材抛光面光泽度不均匀问题剖析

从岩石的矿物组成、结构和抛光工艺及参数等方面对石材抛光面光泽度不均匀问题进行了剖析。指出了岩石的矿物组成、结构和矿物的蚀变、风化是导致光泽度不均匀且是无法消除的内部因素；针对如何消除抛光工艺及参数对光泽度均匀性产生的影响，提出了合理的磨头进给路线和进给间距     

新型拉丝模高速线抛光机的工艺原理

在消化吸收引进国外技术的基础上,研制了拉丝模高速线抛光机。利用线抛光工艺代替传统的针磨工艺对拉丝模进行修整,可以大幅度地提高设备的可靠性、修整质量和生产率,且延长模具使用寿命。本文介绍了线抛光工艺及线抛光机的结构原理。     

基于研抛设备的开放式数控系统体系结构研究

论述基于研抛数控系统的体系结构,对数控系统的硬件平台和软件平台进行了分析,并对模块进行了划分.该数控系统具有开放的体系结构.     

浮动块研磨抛光机研磨磁头的表面去除分析

对浮动块研磨抛光机的运动学方程进行研究结果表明: 研磨时, 任意磁头上任意一点的运动轨迹是周期性的, 这种运动周期的重复性与工作圆环的角速度ω2和研磨盘的角速度ω1之比有关;当浮动块研磨抛光机在理想状态工作下时, ω1=ω2, 此时, 任意磁头上任意一点移动的路程相等, 表明磁头表面去除率相同, 但其轨迹的重复性太强. 在实际工作中, 磁头表面能取得均化的研磨条纹, 而整个研磨平面的平整精度却不一定很高;任意一点在每周期移动的路程长度与角速度ω和偏心距e有关, ω和e越大, 周期路程越长. 而周期路程较短, 表明轨迹的方向改变愈频繁, 有利于获得愈好的表面质量, 只是去除率降低. 因此, 粗研磨时, 宜取较高的转速以提高效率;而精研磨时, 宜取较低的转速以提高表面质量.     

SN弹性砂轮在数控车削加工中的应用与研究

在将数控车削加工和SN弹性砂轮抛磨技术溶于一体的实际应用中,通过减小数控车床的脉冲当量(即步进位移精度),弥补了数控车床位移精度较低的缺陷;通过特殊的循环程序结构设计,解决了SN弹性砂轮抛磨时不定次数的无进给量或微进给量的补磨磨削,保证了零件的加工精度．数控车床实例改造证明:数控车削加工附加 SN弹性砂轮,扩展了数控加工的应用范围和功能．     

First-principles studies for magnetism in Cu-doped GaN

Hole carrier mediated magnetization in Cu-doped GaN is investigated by using the first-principles calculations.By studying the sp-d interaction and the direct exchange interaction among the dopants,we obtain an equation to determine the spontaneous magnetization as a function of the Cu dopant concentration and the hole carrier density.It is demonstrated that nonmagnetic Cu doped GaN can be of room-temperature ferromagnetism.The system’s Curie temperature Tc can reach about 345 K with Cu concentration of 1.0% and hole carrier density of 5.0×1019 cm-3.The results are in good agreement with experimental observations and indicate that ferromagnetism in this systems is tunable by controlling the Cu concentration and the hole carrier density.     

工业机器人光学加工中边缘问题的解决方法

现代光学系统发展到了自由曲面时代,也对其加工提出了更高要求.在镜面尺寸越来越大的背景下,工业机器人被逐步利用,但加工中的“边缘问题”依旧是难点之一.以进动气囊抛光头为原型设计并制作的柔性旋转抛光轮结构简单,能方便地搭载于工业机器人上,实现镜面边缘区域的加工,解决“边缘问题”.介绍了其原理、模型以及运动方式、下压距离、实物验证三个有关实验,展示了实验结果,并得到结论:合适的控制参数为下压距离小于1.5 mm,转速小于240 r/min.