立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性

通过TEM截面像和平面像的观察，对于用低压金属有机化合物气相外延（LP-MOVPE）法在GaAs（001）衬底上制备的立方相GaN外延层中的缺陷结构进行了观察和分析。结果表明，在立方GaN/GaAs（001）外延层中存在很高密度的堆垛层错，层错密度及其宽度在相互垂直的（110）方向上有明显的差异，闪锌矿结构中α位错与β位错间的差异可能是层错出现非对称性的原因。     

磁性研磨装置的磁路电路设计及研究

根据磁性研磨光整加工的工作原理，设计和制作了外圆表面磁性研磨的磁发生装置、通过试验，证明设计是成功的，能够满足磁性研磨光整加工的要求。     

非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究

提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位 ,从而解决了长期争论的有关黄光发射的发光机理问题     

工程陶瓷镜面加工的研磨与抛光技术

应用高速研磨和抛光新技术进行工程陶瓷镜面加工，大量实验表明，将散粒磨料改为固结磨料研磨可提高生产率、降低加工成本并改善表面质量，此外，还探讨了高速抛光的机理。     

岩石光泽度的实质及其计算公式

根据晶体光学导出了岩石光泽度的理论计算公式，分析了岩石加工表面微观几何不平度对反射光的影响，提出了反射系数的概念，修正了理论计算公式。这些公式揭示出了各因素影响光泽度的内在规律，具有一定的理论和实用价值。     

Multigrid technique incorporated algorithm for CMP lubrication equations

Chemical mechanical polishing(CMP)is a manufacturing process used to achieve required high levels of global and local planarity,which involves a combination of chemical erosion and mechanical action.The study on mechanical removal action of CMP with hydrodynamic lubrication involved will help us to get some insights into the mechanism of CMP and to solve the lubrication problem of CMP.In this paper,a full approach scheme of multigrid technique incorporated with line relaxation is introduced for accelerating the convergence.The effects of various parameters on load and moments are simulated and the results of computation are reported.     

静压下GaN/AlN应变超晶格的晶格动力学研究

利用弹性理论计算出静压下应变超品格两种组分材料的纵向晶格常数的改变，并用来修正应变存在时的面间力常数．在此基础上研究了应变对GaN／A1N超晶格的L-声子的色散关系和振动模式的影响．结果表明，应变可以在一定程度上破坏GaN和A1N中L-声子的准限制模式．另外静压对L-声子的色散关系影响显著，而对原子的振动模式影响较小．     

磨抛工艺参数的微机测控及模糊控制

介绍了在ＪＰ１２．６型透镜磨抛机上实现计算机控制的研究工作－－系统硬件实现及加工过程的模糊控制方法，实验表明，计算机模糊控制与原始手动控制相比较，不仅生产效率高，而且抛光质量稳定。     

动压浮离抛光盘结构化流道的液流特性

针对动压浮离抛光盘流场特性优化问题,提出了楔形、L型、抛物线型3种典型的结构化流道.建立了流场约束数学模型,利用Matlab对比分析了不同结构参数下结构化流道环境产生液体动压的能力,得到了浮力与膜厚关系曲线、压力分布曲线以及浮力与各结构参数的关系曲线.同时,运用Fluent对3种结构化流道环境的流场压强与速度分布进行了仿真.理论计算与仿真结果表明:抛物线形结构化流道产生浮力的能力最强,楔形结构化流道次之,L形结构化流道远落后于前两种;工件安装区域形成的流场速度稳定,有利于非接触式抛光加工.     

化学机械抛光中化学作用和机械作用协同的实验研究

借助现代实验仪器在微纳量级模拟化学机械抛光工况条件,采集摩擦界面的实时摩擦因数,研究单晶硅片化学机械抛光中的化学作用和机械作用的协同及相互影响关系.研究结果表明:在一定的化学机械抛光工艺条件下,去离子水和过氧化氢的化学作用及抛光正压力与滑划速度的机械作用对化学机械抛光的材料去除过程有着不同的影响.进一步分析研究获得了化学和机械作用协同的工艺参数条件:当抛光正压力为70mN、滑划速度为8.00mm/s时,抛光效果最优.