InxGa1-xN/GaN应变量子点中激子的结合能

利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应，研究了InxGa1-xN／GaN应变量子点中的激子结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律．结果表明，随着量子点高度L和半径R的增加，结合能降低，随着量子点中In含量的增加，激子的结合能增大．对给定体积的量子点，激子结合能存在一最大值，此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内．对不同体积的量子点，最大值的位置在量子点高度L=1．7nm附近取得.     

GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子态

在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小.     

GaN分子光谱特性及其势能曲线的理论研究

采用从头计算组态相互作用方法研究了GaN分子的基态和较低的电子激发态的势能曲线,通过数值求解分子的原子核运动薛定谔方程,获得了束缚电子态的光谱参数.对GaN分子光谱参数研究的结果可为以后的实验研究提供理论支持.     

大口径光学元件微纳加工与检测技术研究与应用

超精密金刚石砂轮磨削是大口径先进光学元件微纳加工的主要技术,是实现确定性批量加工的重要保证.以实现高精度、高效率、高自动化程度加工为目的,阐述了大口径光学元件微纳加工与检测的加工技术系统,详细分析高精度加工设备及工艺控制、大尺寸检测、加工环境监控、快速抛光、表面织构化等研究应用情况.     

半导体光电结构材料及其应用

半导体光电结构材料广泛应用于信息、照明、交通、能源、医疗、军事等领域.介绍了厦门大学近年来在半导体光电结构材料研究的进展,着重介绍高Al组分AlGaN、高In组分InGaN、GaN基半导体、Si基半导体、ZnO基半导体等结构材料研发中所取得的进展及其在大功率LED、紫外LED、激光器、探测器、太阳能电池等光电器件中的应用.     

凝结水精处理系统工艺流程研究——以安庆电厂凝结水精处理系统为例

对安庆电厂由武汉凯迪股份公司提供的中压凝结水精处理的高速混床和再生系统的设备、设计、工艺流程的特点进行分析研究.     

铜合金三酸抛光微观效果研究

通过扫描电子显微镜微观观察的方法对三酸化学抛光液中各组分对铜合金表面抛光效果的影响进行了研究.结果表明,采用微观观察法能够更直观有效地研究各组分对铜合金表面抛光效果的影响,在此基础上,获得铜合金表面最佳抛光液:磷酸200~300ml/L、硫酸200~400ml/L(磷酸+硫酸500~600ml/L)、硝酸200~250ml/L(紫铜)、40~150ml/L(黄铜)、盐酸5~15ml/L.经处理的铜合金表面不仅外观光亮、微观平整,而且铜合金表面制备的转化膜中性盐雾测试时间更长、防腐性能更好.根据扫描电子显微镜观察铜合金微观形貌获得最佳抛光液组成的方法,简单方便、准确有效     

假发纤维拉伸力学性能探讨

以目前市售的几种假发原料为测试样品,探讨了各自在干、湿状态下纤维的拉伸性能;分析了真人发的强伸性能及其影响因素,包括不同轴向部位、不同拉伸速度、不同夹持长度以及不同处理方式的影响.实验结果表明,胶原蛋白/PAN共混纤维假发与真人发在干态条件下的拉伸性能较为接近;在湿态下,真人发具有比其他假发纤维大的伸长率,保形性较好;速度与夹持长度对人发纤维的强伸性能有明显的影响;人发经强化梳理后,断裂强度与伸长略有下降,而皮质部分受损的人发纤维,强伸性能显著下降.     

磨抛工艺参数的计算机测控与分析

为了实现ＪＰ１２．６型六轴透镜抛光机工艺参数的自动调整，对其进行了改装；并构造了完整的加工过程工艺参数的自动检测系统。根据实验结果分析了主要工艺参数对抛光质量的影响，提出了以转速作为评判工件磨抛稳定与否的指标。     

YAG基片的机械抛光研究

通过对机械抛光后的YAG表面进行了研究,结果表明:合理优化工艺参数,可获得较好的面形和较低的粗糙度,影响抛光效率的因素为磨粒、正压力和转速。采用较大粒度的磨粒,合理的增加压力和转速,有利于提高抛光效率。