Sb2S3纳米粒子敏化ZnO微纳分级结构的光电化学性能

采用电化学沉积方法,选择聚乙二醇(PEG-400)和乙二胺(EDA)为添加剂,直接在ITO导电玻璃上制备了有序阵列的ZnO纳米棒,以及ZnO纳米棒上生长纳米棒微纳分级结构。采用化学浴沉积法均匀沉积Sb2S3纳米粒子,制备了Sb2S3/ZnO纳米棒壳核结构和Sb2S3/ZnO纳米棒上生长纳米棒分级壳核结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、瞬态光电流等分析手段对其形貌、结构和光电化学性能进行了表征和测试。研究表明,Sb2S3/ZnO纳米棒上生长纳米棒分级壳核结构阵列膜的光电流明显高于Sb2S3/ZnO纳米棒壳核结构阵列。     

A1GaNp-i-n型日盲紫外探测器

基于在双面抛光的蓝宝石衬底上采用等离子体增强的分子束外延方法生长了A1GaN基p-A10.45sGaomN／i—A10.35Gao．065N／n—A100.45GaossN结构材料,p型欧姆接触采用电子束蒸发Ni／Au（5nm／5nm）薄层叉指结构电极,制作Tp-i-n型A1GaN日盲紫外探测器．器件的峰值响应波长为273nm．器件在零偏压下的暗电流很小,为nA量级,峰值响应度为8．5mA/W．器件在-5V偏压下,峰值响应率32．5mAW,对应的外量子效率达到15％．     

表面修饰聚合物自组装多层的金纳米棒的表面增强荧光

在金纳米棒表面自组装由阴离子聚合物和阳离子聚合物通过静电作用形成的聚合物多层结构,并研究了该金纳米棒的表面增强荧光效应.未经聚合物修饰的金纳米棒猝灭荧光素的荧光,最高猝灭率为91.5%.经聚合物自组装多层结构修饰后,金纳米棒增强荧光素的荧光.3层聚合物修饰的金纳米棒的荧光增强因子可达102级.     

杂质对柱形量子点系统束缚能的影响

在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应.研究了纤锌矿结构的GaN/AlxGa1xN单量子点中杂质体系的基态能量与杂质电荷的关系,讨论了杂质电子的束缚能随量子点的主要结构参数(量子点高度L和量子点半径R)以及杂质在量子点中不同位置的变化规律,并研究了考虑量子点内外电子有效质量失配对杂质电子束缚能的影响.     

二氧化铈纳米棒修饰玻碳电极的制备及其对芦丁的检测

本文合成了CeO2纳米棒, 并对其进行XRD和TEM表征,将制备的CeO 2纳米棒修饰到玻碳电极上,并采用电化学方法对修饰电极进行了考察,同时研究了芦丁在该修饰电极上的电化学行为,实验表明,该修饰电极对芦丁有较好的电催化作用.用示差脉冲伏安法(DPV)对芦丁进行了测定,研究发现在1.0×10 -6 -5.0×10 -4 mol/L之间芦丁在该修饰电极上的i pa 与其浓度有良好的线性关系,其线性回归方程为i p(μA)=0.2263+0.3307c(μmol/L),相关系数r=0.9949.检测限为1.0×10 -7 mol/L.     

Improved performance of GaN-based light-emitting diodes by using short-period superlattice structures

An InGaN/GaN multiple-quantum-well (MQW) light-emitting diode (LED) with a ten-period i (undoped) -InGaN/p (Mg doped) -GaN (2.5 nm/5.0 nm) superlattice (SL) structure, was fabricated. This SL structure that can be regarded as a confinemen t layer of holes to enhance the hole injection efficiency is inse rted between MQW and p-GaN layers. The studied LED device exhibits better current spreading performance and an improved quality, compared with a conventional one without SL structure. Due to the reduced contact resistance as well as more uniformity of carrier s injection, the operation voltage at 20 mA is decreased from 3.32 to 3.14 V. A remarkably reduced reverse-biased leakage current (10^-7?10^-9 A) and higher endurance of the reverse current pulse are found. The measured output power and external quantum efficiency (EQE) of the studied LED are 13.6 mW and 24.8%, respectively. In addition, significant enhancement of 25.4% in output power as well as increment of 5% in EQE for the studied devices is observed, as the studied devices show s uperior current spreading ability and reduction in dislocations offered by the SL structure.     

基于无催化剂化学气相沉积法的氮化镓纳米线制备和表征

采用化学气相沉积法，通过金属镓和氨气的直接反应，在石英衬底上沉积出GaN纳米线。利用 XRD和SEM对制备的 GaN 纳米线进行了结构和形貌的表征。结果表明合成的GaN纳米线为六方纤锌矿结构，直径为100~200 nm，长度达几微米，GaN纳米线的生长符合VLS生长模型。室温PL光谱表明GaN纳米线在395 nm和566 nm的发光峰主要与Ga空位或者N空位引起的缺陷能级相关。     

铕掺杂钒酸镧纳米棒的溶剂热合成和荧光性能

以乙醇-水混合溶液为溶剂,160℃T成功合成了Eu3+掺杂的LaVO4纳米棒.用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)等技术时样品进行表征.XRD和TEM测试结果说明LaVO4:Eu3+纳米棒是纯锆石型四方相结构、晶体结构均匀、没有缺陷,通过调节溶液pH和反应时间能够控制LaVO4:Eu3+纳米的定向组装和晶体生长.PL光谱显示Eu3+掺杂可以显著提高LaVO4纳米棒的荧光性能.另外,对LaVO4:Eu3+纳米棒的形成机制进行了研究.     

Ag2S纳米棒的制备与表征

本文以N-十二酰丙氨酸（LAA）在乙醇/水溶液中形成的水凝胶为模板,硫代乙酰胺（TAA）为硫源,在水凝胶体系中利用离子的原位自组装合成Ag2S纳米棒,并用透射电子显微镜及X射线粉末衍射仪对Ag2S纳米棒进行了表征.     

Mg掺杂对GaN薄膜紫外光电导的影响

报道了用MOCVD方法制备的不同Mg掺杂浓度的GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明,没有进行Mg掺杂和弱掺杂的样品具有显著的光响应,而且光响应弛豫时间也较短,随着Mg掺杂浓度的增加,材料变成P型,光响应变小,且弛豫时间变长.