氧化锌纳米棒白光发光二极管

本文主要介绍ZnO纳米棒的生长及其优异的发光性能.分别采用低温(<100℃)和高温(-900℃)在p型衬底上生长ZnO纳米棒.ZaO纳米棒/p型衬底构成p-n结,从而制成发光二极管(LEO).利用光致发光(PL),点致发光(EL),以及电学性能测试仪等仪器设备测试LED的性能.结果表明,ZnO发射光的谱带很宽,可见光部分来源于深能级发射,预示ZnO在白光LED科技领域具有潜在的应用价值.     

均相沉淀法制备锐钛矿型TiO_2纳米棒

采用均相沉淀法,在加入相同浓度沉淀剂的溶液中,以四氯化钛为钛源,控制不同的酸度环境,从而制备出不同粒径的二氧化钛纳米粉体.用透射电镜、X射线衍射仪、比表面积分析仪、差热分析仪和紫外可见光谱仪等,对所制备的纳米粉体进行了表征.分析其反应机理及酸度的影响.结果证明:只要把反应溶液的酸度值控制在0.5~3.0之间,总能制备出不同尺寸大小锐钛矿型二氧化钛纳米棒,尺寸分布较窄,纯度高,晶型单一.酸度在制备过程中,只改变其粒径的大下,并不影响二氧化钛的晶型.     

氮化镓晶片的化学机械抛光工艺

研究了抛光工艺参数对氮化镓(GaN)化学机械抛光(CMP)表面形貌和材料去除率的影响。通过精密分析天平和原子力显微镜对其材料去除率和表面形貌进行分析,采用单因素及正交实验法探究压力、抛光盘转速和氧化剂浓度对GaN材料去除率和表面形貌的影响。结果表明:在下压力为14.1×10~4 Pa、抛光盘转速为75 r/min、H_2O_2浓度为0.8%、SiO_2磨粒为30%、抛光液流量为20 mL/min、抛光时间为15 min的条件下,GaN晶片表面材料去除率最大达到103.98 nm/h,表面粗糙度最低为0.334 nm。可见,在优化后的工艺参数下采用化学机械抛光,可同时获得较高的材料去除率和高质量的GaN表面。     

室温稀磁半导体Zn_(0.9)Ni_(0.1)O纳米棒的制备与表征

利用溶胶-凝胶方法制备了Zn0.9Ni0.1O纳米棒.运用X射线衍射分析表明样品中不存在镍及镍的氧化物,镍进入晶格中取代了部分Zn原子的位置.SEM显示煅烧温度是影响其形貌的主要因素.随着温度的升高,样品形貌逐渐从棒状变为颗粒状.样品的磁学性能由振动样品磁强计测量,发现在室温下存在明显的铁磁性,并且通过M-T曲线得到Zn0.9Ni0.1O居里温度为575 K左右,表明其磁性来源于稀磁半导体.     

ITS的最新分配技术

ＩＴＳ是智能交通系统的简称，是近几年国外发展起来的一种先进的车路自动化系统。它的特点是能够随时捕捉运行车辆的动态性质并为车辆提供最优的径路选择，对运行车辆实行智能化的诱导与控制，以达到减少交通拥挤和交通事故为目的。本文首先综述了国外近年发展起来具有代表性的三类ＩＴＳ的分配技术，并对这些技术各自的优缺点进行了简要的评述。最后介绍了两种关于这方面研究的最新成果。     

AP-MOCVDGaN材料生长特性

研究低温生长GaN过渡层（缓冲层）在AP－MOCVD生长GaN材料过程中的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对GaN材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化，获得了X射线双晶衍射半峰宽为6’的GaN外延层．     

ZnO纳米棒的低温制备及其光学性能表征

在低温条件下,利用化学溶液沉积法（CBD）成功在ITO导电玻璃衬底上生长出近一维ZnO纳米棒.本文不仅研究了生长条件,如Zn^2＋摩尔浓度和生长时间对纳米棒结构和形貌的影响,还利用不同衬底（Si衬底、ITO导电玻璃和玻璃）进行实验,从而研究了同一生长条件下,衬底对样品形貌和光学性能的影响.结果表明,随着Zn^2＋摩尔浓度的增大,纳米棒的尺寸也随着增大;当Zn^2＋摩尔浓度为0.1M时,纳米棒的纵横比随着生长时间的增加而减小;衬底对样品的形貌和光学特性有一定影响.PL测试表明硅衬底上生长的纳米棒有较好的光学性能.     

Roughening surface morphology on free-standing GaN membrane with laser lift-off technique

An ultraviolet (UV) laser lift-off (LLO) technique was presented to form a roughened surface morphol-ogy on GaN membrane grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The etched sur-face showed cone-like structures on a free-standing GaN membrane. Based on the scanning electron microscopy (SEM) and atom force microscopy (AFM) measurements, the etching mechanism was proposed, which was related to the different decomposition depth caused by the dislocations in the GaN membrane. The etching efficiency and morphology of GaN by the LLO technique and the photo-electrochemical (PEC) wet etching technique was compared and analyzed. This roughed cone-like surface morphology by LLO can enhance the external efficiency of vertical structure n-side-up GaN-based light-emitting diodes (LEDs) simultaneously while being released of the performance con-strains impeded by sapphire.     

GaN相变及热力学性质的理论研究

利用基于密度泛函理论的第一原理方法研究了GaN的纤锌矿、闪锌矿、氯化钠三种结构的结构性质以及高压下GaN的相变.利用焓相等原理得出GaN从闪锌矿结构到氯化钠结构的相变压强约为41.9GPa,与实验值和他人理论计算值相符合.通过准谐德拜模型得到了GaN的闪锌矿和氯化钠两种结构不同温度下热膨胀系数与压强的关系,不同温度下体积与压强的关系以及不同压强下热容与温度的关系.     

液相法制备铁钴合金纳米线/棒

报道了一种简单的液相还原法制备铁钴合金纳米线/棒.以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,在90℃时利用水合肼还原Fe2 和Co2 的水和正辛烷的混合溶液得到铁钴合金纳米线/棒.所得样品经X-射线粉末衍射(XRD) ,透射电子显微镜(TEM) ,选区电子衍射(SAED)和振动样品磁强计(VSM)等表征,结果表明延长反应时间,一维铁钴合金纳米结构直径增大但长度没有明显变化,一维铁钴合金纳米材料的室温矫顽力高于体相铁钴合金.该铁磁性纳米线/棒有望应用于催化、生物技术和磁记录器件等领域.