全息显示屏制作过程中DCG 胶膜厚度的理论设计

DCG膜层的厚度是影响全息显示屏光学性能指标的一个重要因素。在分析了DCG全息图膜厚的变化及其不均匀光栅结构的基础上，应用分层介质膜理论对其进行了理论设计。并提出了均匀光学厚度的假设，应用计算机仿真给出了理论计算的结果。将理论与实验结果进行比较，从而验证了均匀光学厚度的假设是正确的。     

基体预处理方式对合成类金刚石薄膜的影响

研究了不同的钛基体预处理方式对先驱聚合物合成类金刚石薄膜的影响,结果表明8字形研磨和平行研磨方式处理的基体上都长出了类金刚石薄膜,但是其表面形貌有很大的差别,平行研磨方式处理基体表面所引入的缺陷有利于金刚石相形成：引入中间过渡层镍Ni,可以增强薄膜与不锈钢基体的结合力,有利于金刚石的生成,XRD谱中可以看到弱的金刚石衍射峰;讨论了类金刚石薄膜中金刚石晶体生长的机制。     

甲胺磷降解菌的生长特性及其降解活性的研究

从农药厂污水中分离到一株能以甲胺磷为唯一碳源、氮源和能源生长的铜绿假单胞菌,在充分供氧条件下,研究了该菌株降解甲胺磷的降解过程,生长条件以及影响因素,结果表明：当甲胺磷浓度为0.5g/L时,培养5d降解率达79.6%,该菌甲胺磷的最佳生长浓度为0.5g/L,最适pH为7.0,温度为30℃,对甲胺磷的最高耐受浓度为30g/L,12种金属离子对该菌的生长和甲胺磷的降解有不同程度的抑制作用,加入较低浓度的碳氮源,能促进该菌对甲胺磷的降解。     

外应力场下铁磁薄膜共振性质的理论研究

根据Smith和Beljers理论方法研究了磁性薄膜在应力场作用下的铁磁共振性质.该模型选取各向同性的磁性薄膜,给出了外应力场在垂直薄膜的平面内变化时对铁磁共振性质的影响.结果表明:当外磁场处于应力场所在的平面内时,外应力的大小及方向均会影响薄膜的难易磁化轴方向.但是当外磁场处于薄膜所在的平面内时,薄膜的难易磁化轴方向则不受外应力场的影响.当应力场与外磁场均垂直膜面时,如果应力场小于某一值(4πM/3)时,共振频率在低磁场区会出现恒等于零的情况,如果应力场大于这一值时,共振频率的值会在临界场处发生突变.此外,还发现外应力的大小及其方向对于临界场和饱和场的值有着很大的影响.     

纳米颗粒ZnO薄膜气敏机理研究

采用气体放电活化反应蒸发沉积(GDARE)法低温生长纳米颗粒ZnO薄膜.在不同温度下测试其对乙醇的灵敏度,结果表明:285℃附近纳米颗粒ZnO薄膜的灵敏度最高,为9.76,并且其最佳工作温度区间较窄.通过对ZnO薄膜的AFM表面形貌分析、SEM剖面分析和光学透射谱测试,可推测薄膜具有多孔性柱状晶表面结构,结合ZnO薄膜通入乙醇前后的阻抗谱测试结果,从晶粒晶界效应上对纳米颗粒ZnO薄膜的气敏机理进行了讨论.     

好氧反硝化细菌处理硝酸盐废水的研究及微生物群落结构分析

采用污泥驯化手段富集好氧反硝化细菌,将得到的驯化污泥分离纯化,共得到5株好氧反硝化细菌.f1、f2、f3、f5、f7的TN去除率为90.4%、91.2%、94.6%、95.6%、97%,表现出较好的去除总氮的能力.采用筛选的5株好氧反硝化细菌建立连续流反应器.PCR-DGGE图谱表明,在反应器运行的不同时期,微生物群落结构发生动态演替.15d与30d相似性最高为80%.测序结果显示,2株筛选的好氧反硝化细菌f3和f5成为反应器的优势菌群,说明这2株好氧反硝化细菌对环境有较强的适应能力,利用有机碳源和硝态氮进行生长繁殖成为系统中的优势菌群.     

羊肚菌菌丝体对镉、铅及其复合污染的生长与富集响应

在平板培养条件下,研究了镉、铅及其复合污染对羊肚菌菌丝体生长的影响,并建立了羊肚菌菌丝体对生长基质中镉、铅生物富集的方法.Cd浓度为0-2mg/L范围内对羊肚菌菌丝体的生长具有刺激作用,Cd Pb浓度为2 80mg/L时气生菌丝很浓密,然后生长势减弱.Cd Pb浓度在8 320-32 1280mg/L范围内,Cd、Pb复合污染的协同作用导致菌丝体干重急剧降低.羊肚菌菌丝体对Cd、Pb均具有生物富集作用,并且随着重金属浓度的增大菌丝体中重金属含量逐渐增大,初步认为在Cd、Pb复合污染条件下,促进了羊肚菌菌丝体对Pb的吸收而抑制了对Cd的吸收.     

一株抗氧化功能胞外多糖产生菌的生长特性及系统发育分析

从南京地区土壤中分离到一株产抗氧化功能胞外多糖的细菌菌株JS-1.菌株JS-1的生长范围较宽,中性至碱性环境,以及25~30℃范围内均可正常生长,可利用蔗糖、葡萄糖、乳糖、甘露醇和麦芽糖作为碳源,能很好地利用有机氮和硝态氮.部分长度的16S rDNA序列分析及系统发育分析表明,菌株JS-1与Enterobacter属同源性为99%,最终将菌株JS-1鉴定为Enterobactersp..     

溶胶-凝胶法制备超疏水性OTS-SiO2复合薄膜

以正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用酸/碱两步溶胶-凝胶法和自组装技术制备了具有超疏水性的薄膜.利用红外光谱(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和接触角仪等测试方法对十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰前后薄膜的结构、形貌、表面元素组成与润湿等性能进行了表征和分析.结果表明,制备的OTS-SiO2复合薄膜具有良好的超疏水性能,水滴在该薄膜上的最大静态接触角为156°,滚动角小于5°.     

植物对磷缺乏的适应机理

磷是对植物生长发育最重要,同时也是土壤中常常缺乏,限制植物生长的大量元素之一.植物长期生存在缺乏磷的环境条件下,产生了一系列复杂的适应机制.针对植物对磷缺乏的适应机理作了详细的综述.