Yb:(Lu,Gd)VO4多晶粉末合成及晶体生长

采用液相法合成了不同掺杂浓度的Yb:(Lu,Gd)VO4多晶粉末.利用TG-DSC曲线确定了其烧结工艺.XRD测试表明所得样品为四方晶系,晶胞参数介于LuVO4和GdVO4之间.荧光光谱显示Yb:(Lu,Gd)VO4具有较大的半峰宽,荧光峰强度随掺杂浓度的加大而增强.采用该研究合成的多晶原料,通过提拉法生长出优质Yb:(Lu,Gd)VO4单晶.     

Recent Advances in High Efficiency Solar Cells

1 Results The conversion efficiency of sunlight to electricity is limited around 25%,when we use single junction solar cells. In the single junction cells,the major energy losses arise from the spectrum mismatching. When the photons excite carriers with energy well in excess of the bandgap,these excess energies were converted to heat by the rapid thermalization. On the other hand,the light with lower energy than that of the bandgap cannot be absorbed by the semiconductor,resulting in the losses. One way...     

有限势垒量子阱中极化子结合能的压力效应

计入流体静压力效应,同时考虑量子阱中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子模)对单电子基态能量的影响,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中自由极化子的结合能.得到了压力下三类光学声子模对极化子结合能影响随阱宽的变化关系.结果表明:极化子结合能随外加压力增加.     

人工合成金刚石技术比较

静压法是当前工业合成金刚石的主要的合成手段,合成工业用金刚石主要采用静压法中的静压触媒法,合成宝石级金刚石主要采用静压晶种触媒法生产,通过静压法中的直接变换法,纯净的多晶石墨棒可以在短时间内转化为多晶金刚石,二十世纪八十年代还出现了一种在低压下生长金刚石的新方法——化学气相沉积法(CVD),目前只能用于制备金刚石薄膜,本文通过总结比较各种金刚石合成技术,提出了利用激光控制金刚石生长的设想,使用这种方法将提高金刚石的质量,     

砷化镓场效应管的潜在性失效

为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静是放是失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表面为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理类强电场、大电流及ｎｓ级瞬时冲击下，辅之以电热迁移和扩散，致使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ肖特基势垒受到不同程度损伤，Ｇ－Ｓ、Ｇ－Ｄ间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理，找出在设计、工艺和材料上的缺陷，以提高器件抗静电能力。     

应用Auger电子能谱仪研究清除GaAs表面碳沾污的有效方法

在制作ＧａＡｓ负亲和势光电阴极中。ＧａＡｓ表面碳的沾污往往严重地降低其光电产额。为了去 除ＧａＡｓ表面碳的污染，我们用Ａｕｇｅｒ电子能谱仪对采用不同化学腐蚀处理的ＧａＡｓ表面进行分析 研究，证明在ＧａＡｓ表面有意形成一氧化膜并装进超高真空系统中加热到－５８０℃，对去除ＧａＡｓ 表面碳污染非常有效。     

GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs量子阱的Type-II特性

研究了分子束外延生长的不同含量的GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的光荧光特性和时间分辨光谱特性.分析表明,利用电子空穴分离导致了能带弯曲和能带填充效应,实验结果说明了GaAs1-xSbx/GaAs异质结至少在Sb原子数目百分比为16%￣26%时是Type-II结构.     

高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴

给出了高倍增SI－GaAs光电导开关中在临界光能,电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果,进一步讨论了生成畴的光,电阈值条件,提出用类似于耿畴的单电荷畴的物理模型来描述高倍增GaAs光电导开关中的Look-on效应。分析了单电荷畴的民和辐射发光的物理过程,并对Lock-on效应的典型现象作了物理解释。     

GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg_(1-x)Cd_xTe-HgTe超晶格结构

用 X-射线衍射测定了分子束外延 ( MBE)法生长的 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格样品在 ( 0 0 1 )附近的扫描徊摆曲线 ,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线 ,实验曲线与理论计算基本上相符合 .由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度 ,阱 Hg Te层厚度及垒 Hg1-x Cdx Te层厚度与模拟计算的相一致 .用透射电子显微镜 ( TEM)对同一样品的横截面进行了分析 ,对 Cd Te/Zn Te/Ga As异质结界面失配位错的组态特征进行了研究 .证明用 Cd Te/Zn Te作为双缓冲层比单一的 Cd Te有较好的效果 .截面 TEM高分辨率明场象显示 Hg1-x Cdx Te- Hg Te超晶格的生长较为成功 ,界面较为平整 .由截面 TEM高分辨率明场象观测的周期长度与 X-射线衍射测定的结果相接近     

国产空间实用太阳电池抗质子辐射性能研究

研究了国产卫星用背场Ｓｉ太阳电池和ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能随质子辐照注量１×１０９ －５ × １０１３ ｃｍ－２的变化．实验表明,２种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势．背场 Ｓｉ太阳电池性能参数短路电流Ｉｓｃ和最大输出功率Ｐｍａｘ衰降变化快,辐照注量为２ × １０１０ｃｍ－２时, Ｐｍａｘ就已衰降为原值的７５％,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池对应相同的衰降辐照注量达８×１０１１ｃｍ－２,且 Ｉｓｃ和Ｐｍａｘ衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近３ × １０１２ ｃｍ－２时才迅速下降．背场Ｓｉ太阳电池性能 衰降与质子辐照引入的Ｅｖ＋０．１４ ｅＶ和Ｅｖ＋０．４３ ｅＶ深能级有关,而ＧａＡｓ／Ｇｅ太阳电池性能衰降 与辐照产生的Ｅｃ－０．４１ ｅＶ深能级有关．