薄膜太阳电池的最新发展——出席第五届国际光伏科学与工程会议

本文介绍了第五届国际光伏科学与工程会议概况及薄膜太阳电池的最新数据,其中包括单结和多结非晶硅电池、多晶CuInSe_2、CdTe电池、薄膜多晶硅和单晶GaAs电池性能。     

原子力显微镜研究多晶硅和铝硅合金表面形貌

利用原子力显微镜研究了不同淀积温度条件下低压化学气相淀积多晶硅薄膜的表面形貌。发现淀积时间一定时，随着淀积温度的升高，多晶硅薄膜的晶粒尺寸和表面粗糙度均非线性地增大。     

N型GaAs单晶表面复合速度的宽谱光伏测算

提出适用于可见光全波段的光伏测算ＧａＡｓ单晶表面复合速度的新方法．实验结果表明，对于掺Ｓｉ的Ｎ型弱简并ＧａＡｓ单晶（ｎ０＝２．０×１０１７ｃｍ－３），其表面复合速度Ｓｐ＝１．６×１０５ｃｍ·ｓ－１，与有关报道基本一致．     

A MESFET variable-capacitance analytical model

Conclusion A variable-capacitance model suitable for MMIC active voltage-controlled filter has been reported. The analytical expression is also given for the gate capacitance as a function of the gate bias. Since the free carrier move in active region for contributing to the gate capacitance is considered, the results calculated from the new model are in agreement with the experimental results. Hence, the new model is very useful for determining voltage-tuning bandwidth in MMIC active filter or MMIC VCO’s.     

实体PDC钻头流场数值模拟与实验验证

利用计算流体动力学技术对聚晶金刚石(PDC)钻头(型号为BK432)的三维湍流进行了数值模拟。模拟中考虑了钻头的切削齿和射流喷嘴对流场的影响。流场的网格划分采用局部加密的混合网格形式,保证了计算精度和运算速度。流场的三维模拟结果揭示了钻头流场存在低速区、回流区和滞流区域,为钻头水力结构优化分析奠定了理论基础。为了对数值模拟的结果进行检验,建立了PDC钻头流体测试实验台架,利用粒子成像测速技术对PDC钻头4个喷嘴的出口流场进行了测试。将测试的喷嘴轴向速度与数值模拟结果进行了对比分析,两者吻合较好。     

GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究

用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应.     

GaAsMMIC压控带通有源滤波器的一个实现

采用负阻电路以及由作者自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管,应用ＧａＡｓＭＭＩＣ技术实现了Ｌ波段大调频范围压控带通滤波器．该滤波器具有２００ＭＨｚ的３ｄＢ带宽,其中心频率调频范围约６００ＭＨｚ,从１．０～１．６４ＧＨｚ,并具有足够的带外抑制比．全部偏置电路均在芯片上,芯片占用面积１．６ｍｍ×１．８ｍｍ．     

Transmission electron microscopy investigation of the Ar+ ion irradiation effect in semiconductor GaAs

Room temperature irradiation effect of GaAs compound semiconductor by 100 keV Ar⁺ ions has been systematically studied by means of transmission electron microscopy. The dose dependenceoof the Ar⁺ ion irradiation and room temperature annealing effects have been investigated. The experimental results show that the structure of GaAs transforms from perfect crystalline through weakly and severely damaged crystalline to amorphous states with the increase of the irradiation dose and the damaged states are changed during room temperature annealing. Yang Xiangxiu: born in 1968, Doctor     

纳米GeO_2在空芯光纤中的化学气相沉积

采用调节高温区与冷却区距离的方法，使多晶GeO2介质膜的颗粒度降低到0.1m左右，提高了光纤的传输能力，将光纤的传输损耗降低到0.8dB/m以下。     

GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析

探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义。