a-Si:H薄膜固相晶化法制备大晶粒多晶硅薄膜

用等离子体化学气相沉积（PCVD）法制备：a－Si：N薄膜材料（衬底温度20O℃～350℃），用固相晶化法（SPC）获得多晶硅薄膜（退火温度500℃～650℃）,用X射线衍射法测得平均晶粒尺寸依赖于退火温度和沉积条件，随着沉积温度的降低需要较高的退火温度,用SEM观测形貌测得平均晶粒大小为1,0～1,5μm     

Te掺杂AlSb多晶薄膜的性质研究

本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了AlxTey化合物.AlSb:Te薄膜在150 ℃~170 ℃之间表现出反常的电导率温度行为,且AlSb:Te薄膜在这一温度区间退火后呈现n型导电类型,而在更低或更高温度退火则为p型导电类型,这样的实验结果尚未见他人报道.     

大功率T/R组件的设计探讨

本文主要就有源相控阵雷达中的大功率T/R组件的设计从微波功率器件的比较选择、功耗、散热方式的选择、电磁兼容性等方面进行了阐述、分析和探讨,并给出了大功率T/R组件设计的一些方式。     

用超短光脉冲产生超高频辐射

本文描述了用ＧａＡｓ作衬底，集成肖特基势垒裂缝和类指数天线作为瞬态电磁脉冲的发射器和接收器，用超短光脉冲照射其裂缝，我们得到了高达５５ＧＨｚ的宽带电磁辐射冲。     

MeV硅,氧离子注入SI—GaAs形成相互隔离的双导电层

用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n~+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10~(14)cm~(-2))+80 key(5×10~(13)cm~(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10~(10)～10~(11)cm~(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10～20V,该结构在600℃以下是稳定的.     

低压MOCVD法生长GaAs／Si单晶膜及膜的特性研究

本文通过低压ＭＯＣＶＤ方法，采用改进的两步法工艺，即基片表面的高温处理一生长过渡层－退火－外延生长－退火工艺，在向［０１１］方向偏３°的Ｓｉ（１００）衬底上生长了ＧａＡｓ膜，并对外延膜进行了Ｘ射线衍射，喇曼散射和光致发光分析．发现Ｘ射线衍射曲线光滑尖锐，无杂峰，（４００）峰的摇摆曲线很锐，喇曼散射谱中ＴＯ峰与ＬＯ峰的强度比ｌＴＯ／ｌＬＯ很小，光致发光谱的半峰宽只有１２．４ｍｅＶ，说明在Ｓｉ上异质外延的ＧａＡｓ单晶膜具有相当好的质量．     

DRESSING OF CORUNDUM WHEEL WITH POLY CRYSTALLINE DIAMOND

Wheel dressing is an important part of grinding, it influences not only the grinding quality ofthe workpiece,but also the cost of grinding.At present the single point mined diamond is widelyused as dresser in industry.Because the mined diamond is rare in nature and dear,it has a practicalsignificance to find a substituting material for the mined diamond.Due to the isotropy of PCD(polyerystalline diamond),new sharp cutting edges will expose continuously during dressing opera-tions,maintaining high dressing efficiency.Tests show that dressing corundum wheel,especiallydressing those for internal grinding,PCD dresser is suitable to common hardnesses,and grains ofwheels and smaller depth of dressing.The authors consider that PCD dressing can be used to sub-stitute completely the mined diamond dresser and the cost of dressing may be reduced.     

RF反应溅射法制备高度取向生长的透明多晶ZnO薄膜

采用 RF反应溅射法在普通玻璃衬底上制备了具有良好 c轴取向性的透明多晶 Zn O薄膜 .由 X射线衍射技术 (XRD)分析了样品结构与沉积条件的关系 .溅射气体中 O2 分压比 R(PO2 /PAr)和衬底温度 Ts 对 Zn O薄膜的结构有显著和相似的影响 ,达到最佳点之前 ,这两个参数与Zn O薄膜质量是正相关的 ,随后薄膜质量随 R和 Ts 的增大而急剧下降 .在最佳沉积条件下得到的样品 XRD谱中只有 (0 0 2 )一个衍射峰 ,此衍射峰半高宽 (FWHM)仅为 0 .2 0°,由此计算得到晶粒大小为 4 2 .8nm.同时还发现所有薄膜中都有垂直于 c轴的压应变存在 ,并且随着衬底温度的升高而减小 .由薄膜折射率数据计算得到的薄膜堆积密度达到 97% ,在 30 0～ 10 0 0 nm波长范围内样品的平均透过率达到 92 % ,表明样品具有良好的致密度和透明性     

压痕诱发GaAs单晶中的位错组态

利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的位错组态进行了研究.结果表明,压痕周围产生了玫瑰型不对称的位错组态和二次对称分布的孪晶结构.这种位错组态是由晶体中六个滑移面上的形核、运动及相互作用而成.它们与材料中不同运动速度的α、β位错密切相关.     

模块化布齿的新型PDC钻头破岩特性

针对现有PDC钻头破岩过程中比压会随着磨损增加而迅速减小的特点,设计一种比压可控的模块化PDC钻头(模块钻头)。首先进行模块钻头切削单元布置方法设计,分析和优化钻头的有效切削刃长,在此基础上建立模块钻头切削齿破岩过程的力学模型,分析切削面积、切削深度、切削齿半径、载荷之间的关系。通过对比现场试验与算例结果,验证模块钻头的破岩特性。研究结果表明:模块钻头能减小有效切削刃长,保证切削单元的钻进比压,增加切削齿的切削深度、切削面积和切削载荷,提高钻头的有效破岩体积,增加钻头的总进尺。通过模块化布齿设计布置,模块钻头可填补常规PDC钻头与孕镶钻头之间的空白。