室温不可逆原电池技术制备BaMoO_4多晶薄膜(英文)

室温条件下于Ba(OH)2溶液中采用无外加电流的非可逆原电池技术在钼金属基片上制备了BaMoO4多晶薄膜.采用XRD、SEM和Raman技术表征了制备薄膜的微结构;同时探讨了BaMoO4薄膜的电化学形成机制.XRD,SEM和Raman分析结果表明制备的薄膜表面均匀、致密,是白钨矿结构的四方单相BaMoO4;非可逆原电池条件下BaMoO4薄膜的形成包括阳极氧化溶解反应和溶液沉积反应,原电池反应的驱动力是电池的正极与负极的电势差.     

HgI2探测器的共面栅电极设计及有限元模拟优化

多晶碘化汞膜正逐渐成为制备室温下X射线成像探测器的优异半导体材料. 设计8组不同栅宽和沟宽的共面栅探测器电极结构, 进而使用有限元软件ANSYS对其进行模拟分析,得到相应的电势分布. 结果发现, 结构E(栅宽为150 μm, 沟宽为500 μm)的电极设计效果最佳. 之后, 进一步设计了2组电极结构, 用以研究在不对称电极形状所导致的边缘效应影响下的电势分布, 结果发现通过加宽边缘第二个栅极(结构N)可以实现优化共面栅电极设计的目的, 从而降低边缘效应产生的影响.     

a-Si:H薄膜固相晶化法制备大晶粒多晶硅薄膜

用等离子体化学气相沉积（PCVD）法制备：a－Si：N薄膜材料（衬底温度20O℃～350℃），用固相晶化法（SPC）获得多晶硅薄膜（退火温度500℃～650℃）,用X射线衍射法测得平均晶粒尺寸依赖于退火温度和沉积条件，随着沉积温度的降低需要较高的退火温度,用SEM观测形貌测得平均晶粒大小为1,0～1,5μm     

GaAs太阳电池减反射膜的设计

利用实际测量的光谱响应结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜进行设计优化.先初步设计单结GaAs太阳电池SiN减反射膜厚度,然后太阳电池片样品进行光谱响应测量.利用实际测量的光谱响应结果推算电池样品在AM1.5条件下的无反射时光谱响应,根据计算的结果来对GaAs单结太阳电池减反射膜厚度进行设计优化.优化结果表明83nm为GaAs单结太阳电池单层减反射膜厚度的最优值.     

CdGeAs2多晶合成与单晶生长研究

以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs2多晶．用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃．根据DTA分析结果设计CdGeAs2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为Φ15mm×45mm的CdGeAs2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现{101}面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好．     

退火对大面积CdTe多晶薄膜薄膜的影响

对近空间升华法制备的大面积(30×40 cm~2)CdTe多晶薄膜用不同方法进行退火处理,用XRD、C～V、I～V等研究了退火条件,退火方式对薄膜结构和器件性能的影响.结果表明:刚沉积的CdTe多晶薄膜呈立方相,沿着(111)方向择优取,向而退火后(111)(220)(311)等峰都有不同程度的增加.在纯氧气氛下,400℃退火还出现了新峰.随着退火温度的增加,电导激活能降低.经过连续退火装置在400℃下退火30分钟的电池,1/C~2和V成线性关系,具有较高的掺杂浓度、较理想的二极管因子和较高的转换效率.     

Impact of grain size on the Seebeck coefficient of bulk polycrystalline thermoelectric materials

Based on the Boltzmann transport equation of electrons and taking the scattering effect of electrons in the grain boundary as the boundary conditions of electrons transport in the grain, we presented a theoretical model for the Seebeck coefficient of bulk poly- crystalline thermoelectric materials, and applied it to studying the grain size effect on the Seebeck coefficient. Then we discussed the effects of transmissivity, temperature and the mean free path of electrons on the size effect. The results show t...     

AlGaInP/GaAs外延层的倒易空间图分析

介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲等方面的信息,为优化AlGaInP四元系发光二极管的外延工艺提供了更丰富的信息.     

GaAs导带中电子自旋极化的能量演化

考虑自旋极化依赖的带隙重整化效应,分别计算了常温与10 K的低温下GaAs导带中光注入电子自旋极化度的能量演化。计算过程中假设右旋圆偏振光激发,载流子浓度为2×1017 cm-3。发现常温下电子初始自旋极化度随过超能量的增大而增大,并非为通常认为的0.5。而在低温下,导带底附近电子初始自旋极化度几乎为0,电子初始自旋极化度也随过超能量的增大而增大,高能级上可以获得100%的电子初始自旋极化度。     

某铀矿就地破碎浸出采场底部结构的选择与施工

中南工学院在某铀矿进行了国内首次深孔爆破筑堆的就地破碎浸出试验,本文对这次试验的底部结构进行了总结．分析了底部结构的布置方式和设计施工方法．