A 5.3-GHz 32-bit accumulator designed for direct digital frequency synthesizer

A 32-bit pipeline accumulator with carry ripple topology is implemented for direct digital frequency synthesizer.To increase the throughout while hold down the area and power consumption,a method to reduce the number of the pre-skewing registers is proposed.The number is reduced to 29% of a conventional pipeline accumulator.The propagation delay versus bias current of the adder circuit with different size transistors is investigated.We analyze the delay by employing the open circuit time constant method.Compared to the simulation results,the maximum error is less than 8%.A method to optimum the design of the adder based on the propagation delay is discussed.The clock traces for the 32-bit adder are heavily loaded,as there are 40 registers being connected to them.Moreover,the differential clock traces,which are much longer than the critical length,should be treated as transmission lines.Thus a clock distribution method and a termination scheme are proposed to get high quality and low skew clock signals.A multiple-type termination scheme is proposed to match the transmission line impedance.The 32-bit accumulator was measured to work functionally at 5.3 GHz.     

1MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池变温光致发光研究

对1 MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池在30~290K温度范围进行了变温光致发光光谱测量,分析了辐照电池样品的发光峰位、发光强度随温度的变化.并用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合,得出了辐照太阳电池的非辐射复合中心分别为H2(EV+0.41eV)和H3(EV+0.71eV).     

GaAs纳米晶体压致相变的尺寸模型

基于晶体相变压力和结合能的关系,提出了一种简单的热力学模型计算尺寸依赖的纳米晶体压致相变压力.根据该模型研究了GaAs纳米晶体压致相变的尺寸效应,结果表明GaAs纳米晶体稳定性的下降导致其相变压力随尺度的减小而降低.当尺寸进一步减小时,纳米晶体的相变压力随着尺寸减小急剧降低,显示了强烈的尺寸效应.该模型计算结果与分子动力学模拟结果显示了较好的一致性.     

一维纳米结构材料的制备与组装

一维纳米结构材料在纳米电子学、纳米光电子学、超高密度存储和扫描探针显微镜诸多领域具有潜在的应用前景,已成为21世纪化学、物理学、材料学及生命科学等科技领域的研究热点。结合近期研究工作,主要介绍了一维纳米结构材料的制备方法和组装策略,并简要概述了一维纳米结构材料的应用前景及其国内外最新研究进展。     

GaAs薄膜的瞬态光致折射率变化研究

利用飞秒瞬态反射谱和透射谱，研究了ＧａＡｓ薄膜的瞬态光致折射率变化，观察到光致折射率的一个超快弛豫过程和一定激发浓度下的瞬态光致吸收增加现象，用受激载流子引起的带填充和能隙收缩解释了这些现象。     

砷化镓表面P2S5／NH4OH钝化研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．     

激光辐照GaAs膜和GaAs多量子阱反射光强的观测

实验观测了Ｈｅ－Ｎｅ激光辐照不掺杂ＧａＡｓ膜和ＧａＡｓ多量子阱的反射光强，对比研究了实验的结果。     

N型GaAs少子扩散长度的温度特性

根据 Sturge 和Hwang 的实验数据,通过计算机拟合、内插方法获得了所需能量范围内 13种温度的 GaAs 吸收谱。在此基础上,采用表面光伏方法在 21～320 K 温度范围内测试了不同掺杂浓度的 N型 GaAs样品的少子扩散长度。得到了一组反映少子扩散长度温度特性的实验曲线,并由实验曲线得到可用于计算不同温度下少子扩散长度Lp(T)的经验公式。     

GaAsFET 4GHz电调振荡器的设计与制作

比较了共源、共栅、共漏3种电路,并组合场效应管外延,设计出采用反沟道接法的共漏电路。分析了FET场效应管的特征频率、最大输出功率、单向功率增益和最大振荡频率等主要特性参数。通过制作和调试,完成的GaAsFET振荡器达到频带输出功率>100 mW,频率 4~4.3 GHz的设计性能要求。所设计的电调振荡器误差小,性能稳定,具有良好的实际应用价值。     

电化学沉积制备一维ZnSe纳米材料

在草酸溶液中,采用二次阳极氧化法得到了多孔阳极氧化铝膜(AAO).以AAO为模板,在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积,在孔内组装ZnSe半导体纳米线,溶去模板后,获得粗细均匀,直径约为60 nm,长度约为0.5μm的纳米线,与模板的孔径一致.在制备过程中,无需对模板进行去除阻挡层,喷金或预镀金属等处理过程,是直接在纳米孔内电沉积,形成半导体纳米线阵列.此方法工艺简单,操作方便,容易获得半导体的一维纳米材料.SPM、TEM测试结果表明,纳米线为六方晶型结构.