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81.
张声豪 《厦门大学学报(自然科学版)》1992,31(4):366-370
用表面光伏方法研究了N-GaAs(100)在21~320K温度范围内的表面势V_、表面费米能级R_的温度性质和费米能级钉扎效应,得到Oxide/N-GaAs(100)系统的费米能级钉扎位置为E.+0.75eV,并通过与已有工作的比较指出GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的费米能级钉扎位置应与晶面取向无直接联系。 相似文献
82.
根据所建立的半绝缘 (SI)GaAs的禁带宽度EgΓ 公式 ,利用表面光伏 (SPV)方法的测量结果 ,计算了室温下 5种样品的EgΓ 值 ,并对其中之一进行了 2 1- 30 0K温度范围的EgΓ 计算 ,确认了SPV方法对研究SI -GaAs禁带宽度的可行性 . 相似文献
83.
84.
利用 AES 和离子溅射剥离技术,对 SiO_2/GaAs 界面进行了深度分布测量.SiO_2膜是采用 CVD 方法在400℃下淀积在 GaAs 衬底上的.结果表明,在界面区中存在 Ga的氧化物(可能是 Ga_2O_3)和自由元素 As,即这种界面实际上是 SiO_2/Ga 的氧化物十元素As/GaAs 系统. 相似文献
85.
考虑电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响,计入压力效应,采用改进的线性组合算符法讨论极性晶体中的~族GaAs和~族ZnSe极化子的性质.在中间耦合极限下,数值计算得到了这两种极化子的耦合常数、自陷能、有效质量和围绕电子的平均虚声子数随外加压力的变化关系.结果表明:压力对~族材料的影响比较大. 相似文献
86.
采用低温(21K-300K)稳态表面光伏实验方法,对腐蚀前后的半绝缘砷化镓(Si—GaAs)样品进行了大量的实验测量,发现其表面光伏谱可分为三个区域,并对三个区域的成因进行了合理的物理分析。 相似文献
87.
采用磁控溅射方法在硅片上,成功制备了不同氮偏压下的非晶GaAs1-xNx薄膜.结合AFM和光谱仪等手段对样品进行了表征,结果表明:随着氮气的引入,α-GaAs薄膜的球状颗粒转变为针状颗粒;并且随着氮偏压的升高,针状颗粒密度逐渐增大,薄膜表面的粗糙度逐渐减小;随着氮偏压的升高,a-GaAs1-xNx薄膜的光吸收边明显蓝移. 相似文献
88.
陈贵宾 《淮阴师范学院学报(自然科学版)》2007,6(2):118-121
通过常规的透射光谱测量,提供一种获取GaAs/AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法,这两个厚度参数在器件制备工艺、材料生长参数修正中起关键作用. 相似文献
89.
GaAs霍尔器件γ和β射线辐照研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用γ和β射线分别对GaAs霍尔器件进行不同时间的辐照,测定了辐照前后器件的输入电阻、输出电阻、霍尔灵敏度等电磁参数。结果表明:γ和β射线辐照使器件的输入、输出电阻增加,但霍尔灵敏度可能增加也可能减小,其与射线种类、辐照时间密切相关。具体分析认为,射线辐照使材料表面及内部结构改变,进而引起载流子浓度、迁移率等的变化,最终导致器件的宏观电磁参数发生变化。 相似文献
90.
分析了高增益砷化镓光导开关中流注(即电流丝)一端不同辐射波长的自发辐射实验现象,导出了不同辐射波长的辐射复合系数之间的关系,拓展了电流丝的自发辐射随电流丝电流变化的数学模型.计算结果表明,丝电流相同时流注自发辐射的其他峰值强度略小于890nm自发辐射强度. 相似文献