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121.
本文主要就有源相控阵雷达中的大功率T/R组件的设计从微波功率器件的比较选择、功耗、散热方式的选择、电磁兼容性等方面进行了阐述、分析和探讨,并给出了大功率T/R组件设计的一些方式。 相似文献
122.
本文描述了用GaAs作衬底,集成肖特基势垒裂缝和类指数天线作为瞬态电磁脉冲的发射器和接收器,用超短光脉冲照射其裂缝,我们得到了高达55GHz的宽带电磁辐射冲。 相似文献
123.
用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n~+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10~(14)cm~(-2))+80 key(5×10~(13)cm~(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10~(10)~10~(11)cm~(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10~20V,该结构在600℃以下是稳定的. 相似文献
124.
本文通过低压MOCVD方法,采用改进的两步法工艺,即基片表面的高温处理一生长过渡层-退火-外延生长-退火工艺,在向[011]方向偏3°的Si(100)衬底上生长了GaAs膜,并对外延膜进行了X射线衍射,喇曼散射和光致发光分析.发现X射线衍射曲线光滑尖锐,无杂峰,(400)峰的摇摆曲线很锐,喇曼散射谱中TO峰与LO峰的强度比lTO/lLO很小,光致发光谱的半峰宽只有12.4meV,说明在Si上异质外延的GaAs单晶膜具有相当好的质量. 相似文献
125.
利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的位错组态进行了研究.结果表明,压痕周围产生了玫瑰型不对称的位错组态和二次对称分布的孪晶结构.这种位错组态是由晶体中六个滑移面上的形核、运动及相互作用而成.它们与材料中不同运动速度的α、β位错密切相关. 相似文献
126.
127.
外延生长在GaAs(001)表面的磁性薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用多种实验技术研究外延生长在GaAs(001)表面的Mn,Co和FeMn合金等磁性金属薄膜,研究结果表明外延生长的磁性薄膜的晶体结构和磁学性质与体材料相比有明显的判别,在一些情况下,外延薄膜和衬底之间的界面结构对于磁性薄膜的晶体结构和磁学性质起着决定性的作用。 相似文献
128.
用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nmGe,Ge薄膜在500度以上退火有再结晶过程,退火后由非晶变成多晶,在Ge和GaAs界面处有互扩散,电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型,可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致。 相似文献
129.
根据VGF结晶技术的特点,建立了结晶炉内的辐射换热模型。并利用有限差分法对变温条件下砷化镓晶体表面的辐射换热进行了数值求解,模拟结果得出了晶体表面平衡温度的变化规律。与设定值比较具有良好的一致性,所得结果确定了晶体生长过程数值模拟的热边界条件,并对实际的温度控制提供了重要的理论依据。 相似文献
130.
GaAs/AlGaAs超晶格的光致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
在温度T=77K,测量了GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光,发现在波数ν=13156cm-1和ν=12289cm-1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰.理论分析表明,强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光;而弱峰与底层GaAs重掺Si有关.由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度.理论计算值与实验结果符合得很好. 相似文献