一类具有时滞的非线性自动调节系统稳定性参数区域之扩大

具有时滞的非线性自动调节系统稳定性的三个估计问题(稳定性扇形区域的估计、稳定性参数区域的估计和稳定性衰减时间的估计)是属于工程设计、力学、应用数学和自动化理论的边缘学科。本文采用的思想方法是:首先对以上系统的稳定性扇形区域下界给予确定,然后在此基础上再对该系统的稳定性参数区域进行估计。 1967年苏联学者和对飞机纵向运动的稳定性参数区域进行估计,中国科学院数学研究所王慕秋教授把它扩大了,作者又改进和推广了他们的结果。     

Davydov孤立子

本文对 A.S.Davydov 的生物分子孤立子的基本模型发展及其理论的推广应曱做了综述。     

二甲基二烯丙基氯化铵的合成鉴测及聚合研究

本文介绍了二甲基二烯丙基氯化铵的合成、鉴测及其聚合性能,对已报道的方法进行了改进,提出了一套工艺简单、条件温和、适用于工业化生产的工艺路线及简便可行的分析方法。     

高能气体压裂的适用范围及选井选层

本文在分析高能气体压裂增产机理的基础上,探讨了该技术在油田勘探与开发过程中的应用范围及其试验时的选井选层的原则。     

双圆弧齿轮测量的研究

通过对石油机械制造业中双圆弧齿轮检测现状的分析和研究,提出一种“双圆弧齿轮多参数测量仪”,该仪器有三个自由度,各自由度可单独或相互配合运用,能测出双圆弧齿轮的多种重要参数,可解决当前该种齿轮检测中存在的问题;简述了该仪器进一步发展的潜力。     

Bi系2223单相超导材料的正电子湮没谱研究

研究了Bi系2223单相超导材料表面和内部的正电子寿命谱,利用三态捕获模型对材料的本征寿命和缺陷分布作了估算,讨论了湮没过程的物理机制以及和材料结构特征之间的联系。     

关于P—point与■_1-scale的个数

本文考察P-Point与_1-scale的个数,证明了下面结论:(ⅰ)如果CH或MA成立,则至少存在2~(_0)多个P-point,(ⅱ)“存在2~(_1)多个_1-scale”是协调的。     

利用高斯分布模型研究多晶硅晶硅界电学特性

研究了多晶硅晶界的载流子输运过程和导电机制，建立了新的晶界结构模型和晶界势垒分布模型.将晶界区域及其势垒的变化视为高斯分布，利用这个模型，给出了改善的电流-电压特性方程，并用这个关系式来解释多晶硅的电学特性.数值计算表明，多硅电阻率随势垒高度的增加而基本呈线性增加.另外，电阻率ρ随掺杂浓度的增加而减小，当掺杂剂浓度约为1×1019cm-3，ρ和ρgb下降最快.且在晶粒尺寸为102nm范围内晶界的电阻率比晶粒的电阻率约大2～3个数量级.分析结果表明，晶界是高电阻区，晶界的这种精细分布描述，有助于进一步理解多晶硅的晶界特性，从而提高多晶硅太阳电池的光电转换效率.     

浅谈连续采煤机机载变频器的抗干扰措施

在连续采煤机的变频调速系统中,变频器会产生和受到各种电磁干扰。指出了变频调速系统中主要的干扰源及干扰的途径,分析干扰信号的传播方式,提出了抗干扰的实际解决方法,探讨了在连续采煤机变频器应用系统设计和安装中抑制干扰的具体措施。     

分次Z-正则环

在群分次环中定义分次Z—正则性，它是文[1]中VonNeuman正则性的推广。文中首先证明了分次Z—正则环类构成一个分次根类，[2]且此根对分次理想是遗传的，最后给出分次Z—正则环的一个特征刻划。