基于3层C/S模式的邮政电子化生产作业系统的设计与实现

邮政电子化支局生产作业系统是邮政综合网的一个应用系统，是联机交易处理系统，采用3层C／S模式，并在3层结构中利用BEATuxedo分布式事物处理中间件，设计并实现了邮政电子化支局生产作业系统。     

合成纤维织物和棉织物热风干燥特性的实验研究

采用合成纤维和棉织物作为实验样品，对纤维织物的热风干燥过程进行了实验研究，得到了在不同干燥工况条件下的纤维织物温度和干基含水率变化曲线，对合成纤维织物和棉织物的表面温度和干基含水率变化特性进行了仔细分析。在热风干燥中，织物温度与干基含水率均存在4个 阶段的变化，不同的织物具有不同的干燥特性。织物的干燥是在恒速干燥阶段完成，其干燥速率由水分表面气化速度所控制；纤维织物热风干燥的临界含水率约为10％左右，降低织物的临界含水率和延长织物的恒速干燥阶段时间均有助于提高织物的干燥质量。     

三维编织物纱线空间构型的数学表达

采用示踪棉股线与普通棉股线在四步法编织机上编织6×4和6×6两种类型三维编织物,以较小间距横切编织物后。用QUESTER视频显微系统拍摄截面得到示踪纱截面中心点定位坐标,以三次周期样条插值方法处理经归一化的示踪纱线空间定位坐标,得到同一编织物中不同纱组内纱线在一个完整编织循环中空间构型的数学表达,以此反映矩形截面三维编织物的细观结构。     

四步法三维编织预型件的细观结构及拉伸性能预测

基于三维编织预型件细观结构的数学表达，提出在小拉伸变形和大拉伸变形下预测整段拉伸曲线的预测方法，该方法真实地反映了编织物的拉伸过程。最后与实验结果进行比较，具有很好的一致性。由于编织物强度预测的复杂性，利用该方法有可能在解决三维编织预型件的强度预测计算方面取得突破。     

紫金牛属植物种子贮藏和萌发的初步研究

研究了贮藏条件对紫金牛属植物种子发芽率的影响，发现低温湿砂贮藏比较适合，在4℃下贮藏470d的朱砂根种子还有超过83％的发芽率。3mg/L的赤霉酸(GA3)可以促进紫金牛属植物种子提早萌发，提高发芽率。在试验条件下，聚乙二醇(PEG)预处理与否对提高朱砂根种子的发芽率、发芽指数和活力指数都没有显影响。PEG或浓硫酸预处理甚至还降低紫金牛、酸苔菜和美丽紫金牛种子的发芽率。在实验中还观察到紫金牛、酸苔菜和朱砂根种子具有多胚现象，血党具有胎萌现象，朱砂根冬季开花现象，莲座紫金牛种子具有34％的败育率，紫金牛和酸苔菜下胚轴比其它种具有更强的伸长能力。     

Ba6-3xNd8+2xTi18O54(x=2/3)的聚合物前驱体法合成研究

以EDTA为络合剂，EG为酯化剂，利用聚合物前驱体法合成了Ba6-3xNd8 2xTi18O54陶瓷，研究了不同的EDTA与金属离子摩尔比对粉末结晶特性的影响，利用DTA，TG和XRD等技术分析了Ba6-3xNd8 2xTi18O54前驱体和得到的氧化物粉末，测试了由x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体得到的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷的微波介电性能。在900℃预烧x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体3h，单相的Ba6-3xNd8 2xTi^18O54(x=2／3)直接形成，没有出现中间相。1000℃预烧，1340℃烧结的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷具有最佳的微波介电性能：ε=87．1，Qf=8710GHz。     

移动通信的进展

评述了移动通信在三个阶段的演进,介绍目前移动通信的一些关键技术如功率控制技术、软切换技术、PN码技术、RAKE接收技术、话音编码技术、MC-CDMA,OFDM, 智能天线、软件无线电.展望了第四代移动通信的发展.     

1,3-环己二酮衍生物的选择性氢解反应

 金属钯催化氢化氢解能还原1,3-环己二酮及其衍生物3,5-二羰基环己基甲酸的1个羰基,使之转化为相应的单酮.     

五阶带形状参数的B样条曲线

给出了五阶带形状参数的均匀B样条基函数，使五阶均匀B样条基函数成为它的一个特例．由带形状参数的五阶均匀B样条基构成的样条曲线，可通过改变形状参数的取值而调整曲线的形状，并且可以调整曲线接近其控制多边形的程度。     

静电键合用微晶玻璃的研究

采用传统熔体冷却方法,研究以TiO2为成核剂、以Li2O Al2O3 SiO2为基础组成的玻璃的制备工艺;根据差热分析(DTA)的结果确定玻璃的核化与晶化温度,然后针对基础玻璃组成,采用二步热处理方法获得透明的微晶玻璃;用X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对晶化试样的物相和显微结构进行研究;用热膨胀仪测定玻璃在热处理前、后的热膨胀系数;用绝缘电阻测试仪测试该微晶玻璃的电阻率.研究结果表明:微晶玻璃的主晶相为Al2O3·TiO2微晶体,次晶相为ZnSiO3;微晶玻璃与硅片有相近的热膨胀系数,约为32.5×10-7/℃;微晶玻璃晶化后的电阻率较低,为6.8×1010Ω·cm.