HFA3861B基带处理器的应用

介绍了一种新的直序扩频(DSSS)通信基带处理器HFA386lB的功能、特点及结构，重点分析了HFA386lB芯片的控制端口、发送数据端口和接收数据端口的工作时序，并就所设计的直序扩频系统详细阐述该基带处理器的应用，以及应用中需注意的问题．     

ACEX 1K系列CPLD的配置

Altera公司近期推出新一代CPLD器件-ACEX 1K，这种芯片具有易失性，需要配置器件来保存CPLD器件的配置数据。对此，介绍了ACEX 1K系列器件的配置方法，对各种配置方法进行了分析对比，并着重论述了应用配置器件配置ACEX 1K系列器件的优点。     

在中子诱导的核反应中5He发射的可能性

目前在广泛应用的核反应统计理论模型计算程序中从来没有考虑到非稳定核⁵He的发射, 这些程序是用来解释实验数据和评价核数据的有用工具. 然而, 对从轻核到重核所计算的⁵He发射阈能结果可以看出, 在大多数情况下, 入射中子形成的复合核发射⁵He比发射³He要容易. 由于⁵He是非稳定核, 它自发分裂为一个中子和一个α粒子, 因此, 在⁵He的发射过程中总是伴随中子的产生. 建立了⁵He发射后两体崩裂过程中产生的中子和α粒子的双微分截面计算公式表示. 因为⁵He发射存在比较强的核反冲效应, 为满足核工程需要, 核反应能量平衡被严格考虑. 提出了对于统计理论模型计算程序在该方面的改进建议. 另外, 期待同时测量5He发射中产生的中子和α粒子的关联测量实验的实现, 以证实⁵He发射机制的存在.     

Ba6-3xNd8+2xTi18O54(x=2/3)的聚合物前驱体法合成研究

以EDTA为络合剂，EG为酯化剂，利用聚合物前驱体法合成了Ba6-3xNd8 2xTi18O54陶瓷，研究了不同的EDTA与金属离子摩尔比对粉末结晶特性的影响，利用DTA，TG和XRD等技术分析了Ba6-3xNd8 2xTi18O54前驱体和得到的氧化物粉末，测试了由x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体得到的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷的微波介电性能。在900℃预烧x(EDTA)/x(M)=1．00的前驱体3h，单相的Ba6-3xNd8 2xTi^18O54(x=2／3)直接形成，没有出现中间相。1000℃预烧，1340℃烧结的Ba6-3xNd8 2xTi18O54(x=2／3)陶瓷具有最佳的微波介电性能：ε=87．1，Qf=8710GHz。     

燃烧法制备TiNi合金的研究

首先运用燃烧法在500 ℃制得金属氧化物前驱体,再将前驱体与CaH2在一定温度下进行还原扩散反应制备TiNi金属间化合物.实验结果表明当还原扩散反应在800 ℃下进行2 h就有TiNi相生成,同时也有TiNi3相存在.如果改变反应温度或加入助熔剂,产物中TiNi相与TiNi3相总是并存.本实验运用燃烧法没有得到纯相的TiNi合金.     

有限群的某些数量关系

在有限单群分类过程中，其阶恰包含3个素因子的群，即所谓K3-群构成了一类需要单独进行处理的单群类．利用Sylow定理和G1auberman正规p-补定理分别对两类阶具有3个素因子的群：p^2qr和p^3qr阶群进行了讨论，在一定条件下证明了它们都是非可换单群，即K3-群，并且分别同构于A5和L(2，7)．     

构建基因工程菌生产1,3-丙二醇的研究进展

综述了近几年基因工程菌生产1，3-PD的研究成果，包括其关键酶、策略及基因工程菌生产1，3-PD的现状等，探讨了利用基因工程菌生产1，3-PD的发展前景．     

移动通信的进展

评述了移动通信在三个阶段的演进,介绍目前移动通信的一些关键技术如功率控制技术、软切换技术、PN码技术、RAKE接收技术、话音编码技术、MC-CDMA,OFDM, 智能天线、软件无线电.展望了第四代移动通信的发展.     

五阶带形状参数的B样条曲线

给出了五阶带形状参数的均匀B样条基函数，使五阶均匀B样条基函数成为它的一个特例．由带形状参数的五阶均匀B样条基构成的样条曲线，可通过改变形状参数的取值而调整曲线的形状，并且可以调整曲线接近其控制多边形的程度。     

低热固相法合成纳米(NH4)3PMo12O40·4H2O及其机理的研究

通过低热固相反应合成了纳米(NH4)3PMo12O40*4H2O,XRD、31P NMR研究发现,在此固相反应的4个步骤中(扩散,反应,成核,生长),反应的速率控制步骤是产物的成核.