基于VME总线的多处理器数据读出系统的实现

以北京谱仪数据获取系统一个读出分支的单机箱读出模型为例,为提高实时系统性能及可扩展性要求,提出了一个基于VM E总线的面向多处理器应用的数据采集系统的实现方法。对多处理器任务之间的通信和同步采用了中断机制来实现,同时保证事例片段组装时的顺序以及事例数据上传时的保序问题。经测试,该系统能够稳定运行,与单处理器系统的应用相比较,CPU占有率降低了将近一半,并在实时性能方面也满足了系统需求,为将来系统升级提供了一个可扩展的平台。     

电离辐射效应对铁电薄膜畴结构影响模拟

运用蒙特卡洛方法计算电离辐射对铁电存储器(MFIS型铁电场效应晶体管)的损伤情况,再结合相场方法,建立了MFIS型铁电场效应晶体管相场模型.考虑电离辐射效应对场效应晶体管中铁电薄膜与电极以及绝缘体存在界面效应对存储器中铁电薄膜畴结构的影响.探究从畴结构的角度直观分析电离辐射效应对存储器损伤的可能原因.证实了界面厚度对BaTiO_3(BTO)铁电薄膜的畴结构会产生一定的影响;界面厚度的增加会使90°畴结构发生移动,主要为畴壁的移动,主要原因是界面处的极化小于内部,以及界面处的电势与内部形成的电势差,这些都会引起畴壁的移动,畴壁的移动以及畴壁数量减少,会减少体系的畴壁能,从而降低总体的能量.     

铁电储存器中子单粒子效应的蒙特卡罗模拟

大气辐射环境中高通量中子对铁电存储器的单粒子效应不容忽视.该文利用蒙特卡罗方法研究了铁电存储器的中子单粒子效应.中子入射在铁电存储器灵敏区域造成的总能量沉积随中子能量的增大而增加,且在灵敏区域内部的总能量沉积值略大于在边界处的.中子能量为1～5 MeV时,铁电存储器中没有发现单粒子翻转.中子能量为6～16 MeV时,铁电存储器会发生单粒子翻转.当中子能量从6 MeV增大到8 MeV时,单粒子翻转截面从6×10~(-16 )cm~2增大到6×10~(-15 )cm~2,增大约1个数量级;当中子能量从8 MeV增大到16 MeV时,单粒子翻转截面从6×10~(-15 )cm~2增大至1.8×10~(-14)cm~2,只增大到3倍左右.中子还会导致铁电存储器出现单粒子功能中断,其单粒子功能中断错误数随功能中断线性能量传递(linear energy transfer, LET)阈值的增大呈指数形式减小.同时,铁电存储器的功能中断LET阈值越大,其单粒子功能中断错误截面受中子能量的影响越不明显.     

红外遥控英/俄文LED条形显示屏设计与实现

嵌入式系统已被广泛应用于众多的电子产品和智能化设备领域之中,由于受存储器容量的限制,不能满足我们的开发需求．研究最大限度的利用硬件资源,充分的发挥软件的灵活调控能力,利用LED点阵逐行扫描的行间时空实现显示图形的瞬时组合,进一步详细介绍软件调度的算法及在此基础上实现的模型实例,红外遥控英／俄文LED条形显示屏．     

相变存储器的高可靠性多值存储设计

基于相变存储器(PCM)已有的2T2R结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R结构下PCM的多值存储.它在相变电阻具有4态可编写的能力下,可以实现单元内8态存储,同时对小尺寸验证,而对PCM存储电路的优化将使得PCM更具竞争力.同样基于这种以比值为导向的状态定义,一种软硬件相结合的新型纠错码方法使得对全部数据位的错误监测成为可能.     

AM29F800B与MC68376的接口方式及其在线编程

详细介绍了AM29IZ800BT与Motorola32位单片机MC68376的特性及其接口设计,采用C语言编写FLASH擦写程序,并通过MCU将用户程序代码写入FLASH,来实现在系统编程。     

一类存储器的优化问题

提出了一类串行生产线存储器数目最优化问题 ,解决了如何组织生产与安排存储器 ,使得机器的利用率为 1 ,而需要存储器数目最小.     

基于只读存储器硬件产生循环冗余校验码

介绍了只读存储器在电路设计中的特殊使用 ,主要介绍采用了只读存储器硬件产生循环冗余校验码的机制和实现方法     

一种新型视频图像压缩存储系统

为解决便携式图像设备中视频数据和附加信息的实时存取问题,研究了一种新型视频图像压缩存储系统.以高性能单片机为核心,分别控制屏显器件、视频编解码器件、压缩/解压缩器件、CF卡和CPLD视频控制器,实现了字符叠加、视频图像压缩存储以及回放等功能.视频总线采用8位ITU-R BT.656格式,由CPLD控制.该系统能与多种图像观测附加设备连接,将所获得的附加信息实时自动叠加在图像上.采用在应用编程(IAP)技术将用户参数直接存储在片上程序FLASH中,并可实时更新,省去了类似系统中必需的数据FLASH芯片.该系统已通过调试并在工业图像探测系统中得到了实际验证.     

NAND FLASH的数据管理方法

本文分析介绍了NAND FLASH的数据管理方法。针对NAND FLASH的固有特性提出其数据管理方法解决数据存取问题，并提高NAND FLASH读写速度、使用寿命和可靠性。