基于非易失性存储器的存储系统技术研究进展

 非易失性存储器（NVM）主要包括两类,即适用于外存的、块寻址的闪存和适用于内存的、字节寻址的持久性内存。相比于传统磁盘,闪存具有性能高、能耗低和体积小等优势;相比于DRAM（动态随机存储器）,持久性内存如PCM（相变存储器）、RRAM（阻变存储器）等,具有非易失、存储密度高以及同等面积/内存插槽下能给多核环境的CPU 提供更多的数据等优点,这些都为存储系统的高效构建带来了巨大的机遇。然而,传统存储系统的构建方式不适用于非易失性存储器,阻碍了其优势的发挥。为此,分析了基于非易失性存储器构建存储系统的挑战,从闪存、持久性内存两个层次分别综述了它们在存储体系结构、系统软件以及分布式协议方面的变革,总结了基于非易失性存储器构建存储系统的主要研究方向。     

一种MFIS类结构的阈值电压新模型及其C-V特性分析

采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电滞回线的矩形度越好,MFIS结构的存储特性越好．由该模型进一步得到了MFIS结构的C-V曲线,对C-V曲线物理过程的分析表明,工作频率以及铁电电滞回线是否饱和对C-V特性有较大影响,而C-V曲线的窗口与MFIS结构存储特性密切相关。     

利用铁电存储器实现ADSP-BF535的SPI加载

在数字信号处理(DSP)系统上运行的程序,在系统上电复位后需要加载到DSP的存储空间上,这是从事DSP系统开发不可缺少的环节。基于铁电存储器,提出了利用ADSP-BF535的SPI口进行加载的设计方案。该方案已应用于某雷达数字信号处理系统中。     

Ge_2Sb_2Te_5薄膜及其存储特性研究

采用磁控溅射制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.通过XRD以及四探针法研究薄膜在退火过程中的微结构演变以及电导率变化规律.通过电流-电压特性研究了存储器的存储转变机制.     

基于FPGA的DDS激磁信号源的设计

利用DDS技术,结合QUARTUS II、MATLAB等软件,在FPGA芯片上设计实现了一个频率可调的正弦信号发生器.DDS技术设计的信号相位变换连续、稳定度高、易于调整.经过软件设计和硬件验证,结果符合输出频率50Hz～20kHz可调的技术指标.DDS激磁信号源设计具有可靠性、可行性及控制的灵活性.     

用于非易失性存储器的纠错码

1948年克劳德香农在《贝尔系统技术杂志》上发表了题为“通讯的数学理论”的文章,该文章宣告了两个孪生的学科：信息理论与编码理论的诞生。它给出了有效和可靠信息的意义,并且第一次使用了“比特”这个术语。     

大容量串行存储器MM36SB020在波浪浮标中的应用

介绍了串行Falsh存储器MM36SB020,结合波浪浮标数据采集处理系统产品设计的原理,详细论述了大容量串行存储器MM36SB020在单片机系统中的软硬件设计,解决了因受外界干扰出现的状态存储器出错的问题,提高了它在实际应用中的可靠性。     

新一代存储技术:阻变存储器

阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了 RRAM 的基本结构和工作原理, 并介绍了三维集成和多值存储等 RRAM 新型技术。     

嵌入式Linux的片上存储动态优化

为了充分利用片上高速便签存储器(scratch-pad memory,SPM),提升嵌入式Linux系统性能并降低功耗,该文提出一种面向嵌入式Linux用户进程的SPM动态优化方案.利用虚存管理技术在Linux内核的内存模型中添加SPM页区,建立以SPM页区为基础的动态SPM页框分配机制,并实现页框分配的通用接口函数.在实现对用户程序(包括代码段、栈和BSS段)优化的基础上,提出自主设计的自动采样交换器(auto profile and pageswap,APPS)优化方案.该方案能在内核态自动分析用户进程热点并通过专用DMA将其搬运到SPM中,最终实现多进程用户程序的动态SPM优化.实验结果表明,基于该优化方案的系统性能得到显著提升.     

关于基于存储器故障的测试算法探讨

随着系统级芯片中存储器的比例越来越大,存储器的品质直接影响着系统级芯片的整体性能,所以存储器部分的测试就更为重要。在分析了常用的几种存储器测试算法在故障覆盖率或时间复杂度方面的局限性之后,对能够在不需增加测试时间的同时而明显提升故障覆盖率的新March测试算法进行探讨并予以验证。