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61.
雷达和ESM相关的仿真研究 总被引:9,自引:0,他引:9
雷达和ESM航迹关联可以认为是模式识别问题。在统计假设检验理论和模糊综合分析基础上建立了多目标运动模型、多门限数学模型、时序关联决策模型,给出了累积数据快速计算的模型,以此可对两类传感器的观测数据进行在线时间校准。通过模型能够实现雷达和ESM的快速关联,满足航迹关联的精度要求,并对不同运动态势的关联结果进行分析比较,取得了满意的结果。 相似文献
62.
航空电子设备备件需求量分析 总被引:15,自引:2,他引:13
在总结国内、外工程实践经验的基础上 ,结合概率统计的理论对航空电子设备的初始备件与后续备件的需求量模型作出一定的理论探讨。根据实际情况将备件分为有寿命要求的可修件、无寿命要求的可修件、有寿命要求的不可修件、无寿命要求的不可修件和消耗件 ,并相应建立其备件需求量模型 ,最后给出一个工程实例 相似文献
63.
随着科技的进步和信息化、智能化时代的到来,在教育教学领域掀起了一轮改革的热潮,其中中外合作办学,即中方高校某些专业与国外高校对口专业进行国内国外的联合培养,成为现代化教育事业的新趋势和重要组成部分.本文首先分析了中外合作办学模式中模拟电子技术在教学内容和方式上存在的问题,结合笔者在西南大学计算机与信息科学学院中外合作办学课程中的教学经验,以及在香港城市大学和美国密歇根大学、匹兹堡大学的学习体会,从加强模拟电子技术教学内容与现代科技的有机结合、加强教学内容的可视化和实践性效果、加强模拟电子技术探究式的教学方式等方面,浅谈了中外合作办学模式下的模拟电子技术教学探索与实践.探究成果有助于形成中外合作办学中合理的模拟电子技术教学资源,有利于授课教师采取科学高效的授课方式,有望培养学生的国际化视野、深度学习和探究性学习习惯、创新性和合作意识,以及科学研究的素养. 相似文献
64.
以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在不同放电功率下沉积微晶硅薄膜,通过调节放电功率实现了微晶硅薄膜的晶化调控和光电性质的优化,并利用Langmuir探针和质谱计分别对等离子体空间的电子特性和中性基团进行在线检测,初步探讨了成膜的微观机理. 相似文献
65.
采用考虑了电子压强梯度的双温分子动力学方法,研究了纳米CuZr非晶合金薄膜在脉宽为100 fs,能量密度为0.08~0.16 J/cm~2的飞秒激光辐照下的烧蚀动力学过程.结果表明,低能量密度下,电子压强梯度对靶材的结构损伤过程影响很小.高能量密度下,电子压强梯度对靶材内部的电子温度和晶格温度演化场产生了显著的影响,CuZr非晶合金薄膜的结构存在皮秒量级的由电子压强梯度诱导的非热烧蚀过程,并且随着能流密度的增大,这一超快的非热烧蚀过程在时间尺度上会得到提前. 相似文献
66.
利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法系统地研究了掺杂和应力对ZrO_2薄膜的电子结构与光学性质的影响.本文首先研究了Hf原子替代掺杂对ZrO_2薄膜物性的影响,研究结果表明,Hf原子掺杂减小了ZrO_2薄膜的带隙和态密度大小,可在一定程度上降低其表面缺陷电荷和漏电流.掺杂Hf原子后介电峰和吸收峰的值明显下降,同时介电峰和吸收峰的波形均出现了窄化现象,半高宽显著减小.本文也着重研究了不同应力下四方晶相ZrO_2薄膜物理性质变化及规律.研究发现压应力显著调控了ZrO_2薄膜的带隙以及价带顶和导带底附近的能带结构.施加应力后吸收峰的吸收范围和强度均显著增大,峰值对应的光子能量蓝移则表明对紫外光的吸收随着应力的增加有所增强.在低能量红外和可见光区域,施加压应力后ZrO_2薄膜的折射率变大,但在紫外线区域,压应力使ZrO_2薄膜的折射率呈现出先增大后减小的波动特性.上述研究结果为ZrO_2薄膜材料的设计与应用提供了理论依据. 相似文献
67.
以国家海洋863课题《海洋渔业服务地理信息系统(OFGIS)》的基础支撑软件(EA2000)为基础,系统阐述了海洋渔业服务电子图集的组织结构、基本图层的分类与创作原理、海图图集阅读的专业功能与特色,并据此创建了以东海为示范区的海洋渔业服务电子图集。 相似文献
68.
电子档案系统特点及功能综述 总被引:4,自引:0,他引:4
本文概述了电子档案具有易改易写的特性及内容和载体可分离,不再具有特定的字迹,也无法借助印章或签署等特点。并提出如何让查阅者相信其原始性和法律效力,从而发挥“历史纪录”和“社会记忆”的功能,是电子文件制作者、管理者和从事档案管理工作的人员应思考和解决的难题。 相似文献
69.
70.
本文用DV-SCC原子簇方法计算了ZnSe:Mn的电子态。Mn3d杂质态位于带隙中,与Se4p及Zn4s有较强的杂化,对三种情况下电子态的分析认为,簇外电荷量及原子簇电荷量的选取方法,对结果影响很大,自旋极化计算,得到的Mn 3d杂质态的跃迁能量与实验值很好地符合。用自洽场方法计算的晶场参数表明:自洽方法,被函数靠近芯区部分分布较合理,外部分布误差较大。 相似文献