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161.
用扫描电镜对鲢鳃表面形态结构进行了详细观察研究,结果表明:鳃弓、鳃丝、鳃小片和鳃耙的上皮细胞各具不同的形态结构特点.鳃弓、鳃丝和鳃耙的上皮细胞具有刻纹和隆嵴等结构,而鳃小片的上皮细胞只有稀疏的大小和形状不同的小孔,这些形态结构特点是与其生理功能密切相关的. 相似文献
162.
163.
压缩四角晶场中NH4Cl:Cu^2+的g因子研究 总被引:3,自引:4,他引:3
本文推导了3d^3 离子在压缩上角晶场中的电子能级和EPRg因子的3阶段微扰公式,并用该公式研究了晶体CH3Cl中掺杂Cu^2 离子的电子吸收光谱和EPRg因子,结果较为满意。 相似文献
164.
山东李属植物花粉的扫描电镜研究 总被引:2,自引:2,他引:2
用扫描电镜观察研究了李属10种植物花粉的亚星微形态特征。花粉粒的外部形态,大小和外壁纹饰的形态及分布密度各种间均有明显差异,这些微细差别可为李属植物分类提供参考依据。 相似文献
165.
脉冲电子束在实验研究中具有某些特定的用途。我们通过反复的试验和探索,设计和制作了脉冲电子束的产生装置,并将它应用到离子存贮的研究中,获得良好的效果. 相似文献
166.
167.
In this study, GaN-based light-emitting diodes (LEDs) with and without A1GaInN electron blocking layer (EBL) under self-heating effect are numerically studied. The energy band diagram, carrier transport and distribution characteristics, internal Joule heat and non-radiative recombination heat characteristics, and internal quantum efficiency are investigated. The effect of Auger recombination coefficient on efficiency droop under self-heating effect is also studied. The simulation results show that efficiency droop is markedly improved when an AlGaInN EBL is placed between p-type GaN layer and active region. However, the chip temperature of LED is significantly increased simultaneously. The results also indicate that Auger recombination can be neglected because it is not the major contributor for the internal heat source. The efficiency droop is unrelated to the internal heat source. However, both electron leakage and Auger recombination play important roles in efficiency droop mechanism under self-heating effect. 相似文献
168.
本文利用有限元方法建立了大气压下微波氩等离子体(Ar-MIP)三维模型,数值仿真了氩等离子体在不同时刻的温度、压强、速度等参数的空间分布情况,分析了这些参数的相互影响,探究微波等离子体流动瞬态特征.研究结果表明:等离子体气体温度随着时间增加而增加,其高温分布呈现空间不均匀,导致气压的局部变化,影响了流体的流速和流向,形成热流绕热现象,这是导致炬管内高温区域流体速度减缓的主要原因. 相似文献
169.
采用X射线衍射技术、扫描电镜和电子背散射衍射(EBSD)技术研究了CVD金刚石薄膜的织构,表面组织形貌和微区取向分布。从取向选择生长的角度研究了薄膜织构形成的过程。研究表明,强烈的取向选择生长能够形成强织构,不同的生长速率参数α会导致不同的织构,同时形成不同的表面组织形貌。 相似文献
170.
使用真空热蒸发方法,制备了结构为ITO/TPD/Alq3/LiF/Al的有机发光二极管,其中LiF用作阴极注入层,LiF超薄层的加入,增强了电子注入,降低了启亮电压,提高了器件的发光效率和亮度. 实验结果表明:当加入LiF层的厚度为0.5 nm时,器件性能的改善最好,和不含LiF的器件相比,启亮电压由原来的9 V降低到5 V,效率由1.5 cd/A增加到3.3 cd/A,提高了近1倍,然而随着加入LiF层厚度的增加,器件性能的改善效果降低. 相似文献