电极转速对甲醇电化学氧化还原行为的影响

以旋转线扫伏安和旋转循环伏安法研究了甲醇的电化学氧化还原过程中电极旋转速度的影响.电极旋转增加了CO在电极表面上的吸附量,增大其毒化作用,较大程度地减小氧化和还原电流.转速的影响随电位区域不同而不同,在较低电位下(<0.65 V),氧化过程为电化学动力学控制,旋转的影响较大;电位较正时(>0.65 V),氧化过程为扩散控制,旋转的影响较小.CO在电极表面上的吸附量的相对增加,使CO脱附引起的氧化电流也相对增加.     

硝酸强酸性与强氧化性的教学探讨

硝酸的分子结构特征,决定了硝酸在水溶液中能完全电离,所以硝酸具有强酸性,根据硝酸的标准电极电势,师生可推断出硝酸又具有氧化性。     

二乙酸碘苯氧化卟啉原

报道了生成meso-四苯基卟啉时，用二乙酸碘苯作为氧化剂，将卟啉原氧化，目标化合物收率为46％．     

GC-MS分析确认乙酸诺卜酯氧化反应产物的结构

三氧化铬酸性水溶液氧化乙酸诺卜酯反应中的主要产物是4-(1-甲基-1-羟基乙基)-1-环己烯-1-乙醇乙酸酯和4-(1-甲基-1-羟基乙基)-1-环己烯-1-乙醇,通过GC-MS分析确定了反应产物中其他几个GC含量相对较高的组分,主要是3组异构体:2,3-环氧乙酸诺卜酯、1-羟基-2,3-环氧乙酸诺卜酯和5-羟基-2,3-环氧乙酸诺卜酯.分析结果表明反应主要是四元环开裂,并进一步水合,另外伴有少量双键环氧化的产物,这些环氧化的产物还可进一步在C1和C5处发生叔氢氧化.     

基于80C196KC的大功率微弧氧化电源控制系统的研究

针对镁合金表面处理对参数调节和效率的要求,研制了大功率微弧氧化电源控制系统,该系统以80C196KC为核心,对整个系统的动作程序和工艺参数进行控制,电源实现了双向不对称脉冲输出和在大电流、高电压工况下主要参数的一定范围调节.硬件电路与软件设计中采用有效的抗干扰措施,使整个控制系统稳定、可靠.实验结果表明,该系统可以满足微弧氧化工艺的要求,实现微弧氧化的自动化.     

MoVTeO/SiO2催化剂上丙烷选择氧化制丙烯醛

用浸渍法制备了一系列不同组成的MoVTeO/SiO2催化剂,并用XRD、TPR和催化剂性能评价等方法考察了催化剂的物相结构、氧化还原性质及其对丙烷选择氧化制丙烯醛反应的催化性能.结果表明,由于组份之间的相互作用,MoO3的分散度提高,还原温度降低,且其某些晶面可能部分重构或被其它组份覆盖,因而有利于催化活性的提高和丙烯醛的生成.在考察的不同催化剂组成中,(Mo V Te)/Si原子比为6%的MoV0.2Te0.1/SiO2催化剂具有最佳的反应性能.反应条件对催化剂性能的影响说明,在丙烷选择氧化制丙烯醛反应中,丙烯为反应的中间物种.     

高锰酸钾氧化法制备可充碱锰电池正极材料MnO2

介绍了一种在HNO3介质中，用KMnO4氧化MnCl2，并通过添加Bi(NO3)，制备可充碱锰电池正极材料MnO2的方法．多次破坏性全充全放循环检测试验表明，利用该方法制备的MnO2作为正极材料，具有较好的循环寿命．放电试验进一步表明，Bi的加入改变了MrO2的结构，提高了稳定性，使MrO2的电化学性能得到明显改善，在深度放电条件下显出良好的可充性．     

纳米级铝阳极氧化膜的形成机理及结构调整

从纳米级阳极氧化铝(AAO)膜对应用的重要性入手，主要简述AAO膜的制备、形成机理、自结构特点及结构调整方法。     

微波协同臭氧/分子筛催化降解水中微量的硝基苯

以硝基苯为目标反应物,对臭氧/分子筛氧化和单独臭氧氧化去除水中微量有机污染物的效果进行了比较.发现与单独的臭氧化相比,臭氧/分子筛氧化工艺可以提高水中硝基苯的降解效果.在该实验条件下,单独臭氧氧化和臭氧/分子筛氧化对硝基苯的去除率都随着温度的升高而增加,随着pH值的升高越来越大;此外还考察了微波对臭氧/分子筛体系降解水中微量硝基苯的作用,结果表明微波具有明显协同臭氧/分子筛体系催化降解硝基苯的作用,其协同作用机制可能是促进了羟基自由基的生成.     

OMS-2制备方法对其负载Cu催化剂CO氧化性能的影响

采用3种不同方法制备氧化锰八面体分子筛(OMS-2),通过浸渍负载CuO制备了一系列CuO含量为10.0%(质量分数)的CuO/OMS-2催化剂,考察了催化剂在CO催化氧化反应中的催化性能,并利用X射线衍射(XRD)、N_2吸附(BET)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、程序升温还原(H2-TPR)等手段对催化剂进行了表征.结果表明,固相法制备的S-OMS-2为纳米棒状形貌、结晶度低、比表面积大,而回流法和水热法的OMS-2为针状或纤维状形貌、结晶度高、比表面积小.OMS-2制备方法对其负载Cu催化剂上的CO氧化反应影响较大,CuO/S-OMS-2具有最高的催化活性,这可能是因为CuO/S-OMS-2中较大的比面积、较多的晶格缺陷以及高分散的CuO提供了更多有利于CO氧化反应的Cu-O-Mn界面.