对我国几名优秀跳高男运动员跳高动作的运动学分析

本文对我国几名优秀跳高男运动员在实际比赛中跳高起跳动作进行研究,运用影片解析仪获得数据并经计算机处理,发现我国优秀跳高运动员助跑最后三步人体重心和速度均有明显下降,助跑最后一步的步频不是提高(国外运动员最后一步步频增0.6步/秒)而是下降0.91步/秒,起跳速度5.282米/秒不亚于国外运动员,但起跳角(83～93°)大于国外运动员(74～83°),这恐怕是我国跳高运动员成绩不理想的运动学原因。     

热阴极鞍场离子源及其在光学薄膜技术中的应用

论述了离子束辅助蒸发光学薄膜技术对离子源的要求，给出热阴极鞍场离子源的 特性及其用于辅助蒸发光学薄膜的实验研究结果。从ＺｒＯ２薄膜的光谱特性及折射率的 测量；膜层剖面的透射电子显微镜和膜层结构的Ｘ衍射分析证实了离子束辅助蒸发对 光学薄膜特性改善的效果。     

Surfatron和Surfaguide对a-Si电池氢化的研究

本文利用表面波等离子体发生器对a-Si电池氢化并与射频等离子体氢化的结果进行比较。     

衬底温度和退火处理对类金刚石非晶碳膜光电发射谱的影响

在硅衬底下,用等离子辉光放电的方法制备了一组衬底温度为20℃、100℃、200℃和280℃的样品。在光电子能谱仪中测量了它们在HeⅠ(21.2eV)激发下的UPS谱。此外还测量了衬底为常温的样品在退火温度为200℃、350℃、500℃、700℃和800℃时的UPS谱。实验结果表明,衬底温度在200℃至280℃时,金刚石成分略有增加,当退火温度低于350℃时,金刚石成分有所增加,但高于350℃后,迅速向石墨方向转化。本文对实验结果进行了讨论,认为氢在其中起了重要作用。     

气-液两相流中液膜厚度的电阻抗法测量系统

在文中着重分析了传感器的工作机理,提出了传感器归一化和三电极传感器两种补偿措施,以克服流体电导率和介电常数变化引起的测量误差。本系统通过切换开关选择电导法或电容法测量导电和非导电流体,从而扩大了电阻抗法的适用范围。与测量系统适配的计算机对测量信号进行温度补偿和线性化处理,实时提供流体膜厚变化的情况。研制的电阻抗测量系统可连续检测两相流中液膜厚度。输出响应灵敏,测量范围可达0～4mm,抗干扰能力强,具有广泛的应用前景。     

Hydrogen Bonding in Hydrogenated Amorphous Germanium

Thin films of hydrogenated amorphous germanium (a-Ge:H) were prepared by radio frequency glow discharge deposition at various substrate temperatures. The hydrogen distribution and bonding structure in a-Ge:H were discussed based on infrared absorption data. The correlation between infrared absorption spectra and hydrogen effusion measurements was used to determine the proportionality constant for each vibration mode of the Ge-H bonds. The results reveal that the bending mode appearing at 835 cm^-1 is associated with the Ge-H2 (dihydride) groups on the internal surfaces of voids. While 1880 cm^-1 is assigned to vibrations of Ge-H (monohydride) groups in the bulk, the 2000 cm^-1 stretching mode is attributed to Ge-H and Ge-H2 bonds located on the surfaces of voids. For films associated with bending modes in the infrared spectra, the proportionality constant values of the stretching modes near 1880 and 2000 cm^-1 are found to be lower than those of films which had no correspondina bending modes.     

氧退火对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜电荷存储特性的影响

采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺 ,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜 ,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极 ,从而形成金属 -绝缘体 -氧化物 -半导体 (MIOS)双介质电容器结构 .通过该薄膜电容器的充放电实验 ,研究薄膜的电荷存储特性 .结果表明 ,该薄膜在不超过 80 0 ℃下退火 ,其电荷存储能力主要与氧组分有关 ;氧空位越多 ,电荷存储能力越强 .     

真空退火处理CoFe对薄膜结构及磁电阻特性的影响

用粉末冶金方法制备了Co90Fe10,研究了不同退火温度对电子束蒸发方法制备的CoFe薄膜磁电阻特性和微结构的影响。CoFe薄膜在优于5 5×10-4Pa的本底真空度下室温沉积在热氧化Si基片上。随后,样品在3×10-5Pa真空度下分别进行了150℃,280℃,330℃,450℃的60分钟退火处理。靶材的扫描电镜图像显示粉末冶金方法制备的靶材比较疏松。电阻率和磁电阻测量表明450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率。X射线衍射发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,退火处理使膜(111)晶面面间距明显减小,趋向靶材面间距。     

ZnO薄膜的射频磁控溅射法制备及特性

利用射频磁控溅射镀膜工艺，在石英玻璃衬底上成功制备了ZnO薄膜．采用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、荧光分光光度计及椭偏等检测手段对其特性进行了测试、分析．研究结果表明：该薄膜具有良好的C轴取向结晶度；最佳激发波长为265．00nnl，光致发光峰分别位于362．00、421．06和486．06nm；437cm^-1是ZnO晶体的特征拉曼峰，该峰的出现与最强的X射线衍射(002)峰相对应；薄膜折射率为2．01．     

建筑排水设计中若干问题探讨

通过分析排水管排水过程的特点，比较了单立管系统和双立管系统。分析了UPVC管的排水特点和排水能力，对UPVC管在工程运用中存在的问题提出了相应对策。