铅和铅锑合金阳极膜的XPS和AES分析

利用ＸＰＳ技术观测１．３５Ｖ恒电位极化形成的铅和铅锑合金阳极膜，发现锑对阳极膜表面层二氧化铅的生长有明显抑制作用；利用ＡＥＳ结合Ａｒ＋刻蚀技术对其内层主要组成元素作深度分布分析，发现锑能够显著提高阳极膜内部二氧化铅的含量，从而使铅锑合金阳极膜较之纯铅阳极膜具有更为优越的导电性．     

玻色子薄膜系统的未饱和蒸汽压定律

本文用统计力学的方法处理吸附在固体基质表面上的玻色子薄膜系统，证明对弱相互作用基质，未饱和蒸汽压ｐ与相变温度Ｔ的关系与基质种类无关。同时证明相变温度Ｔ与薄膜厚度ａ的关系与基质有关，所得结论与液氦薄膜超流动性的实验结果相符合。     

PECVD法低温制备富氮的SiOxNy栅介质膜及其特性

在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，改变衬底温度、反应室气压、混合气体组份，过以用退火致密工艺，制备富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品，采用准静态Ｃ－Ｖ和高频Ｃ－Ｖ特性测试，俄歇电子能谱分析、椭偏谱仪检测，Ｉ－Ｖ特性测试，研究了该薄膜的电学、光学特性；探讨多种工艺制备条件对膜特性的影响，同时给出了制备该膜最优化工艺条件。经测定，用这种工艺条件制成膜的特性参数已中接近热生长ＳｉＯ２栅介质膜的水平。     

Co与掺杂Si固相反应形成CoSi2接触pn结及反应过程中As的行为研究

研究经扩散或离子注入掺B、P、As的硅表面上形成自对准CoSi_2薄膜接触和pn结技术.采用离子束溅射Co膜和Co/Si快速热处理(RTP)固相反应形成CoSi_2薄膜.在掺杂Si上形成CoSi_2薄膜以后,薄层电阻可下降一个数量级.对AS离子注入样品中,研究了不同硅片热处理工艺对As在Co/Si反应过程中再分布的影响.实验结果表明,对于CoSi_2形成之前杂质先经激活退火的硅样品,As在Co/Si固相反应过程中发生显著的“雪犁”效应,而在CoSi_2形成之前未经激活退火的样品,在杂质激活和Co/Si固相反应共退火过程中,As的行为则有明显不同.扩展电阻和电学测试表明,用这两种不同热处理工艺,在CoSi_2/Si界面处均可获得较高的载流子浓度,形成的CoSi_2接触pn结具有良好的二极管I-V特性,其反向漏电流明显小于对比实验的Al/Si接触pn结.     

弱吸收薄膜光学参数的自泵浦相位共轭干涉测量分析

采用一种新方法——自泵浦相位共轭干涉测量法,测量弱吸收薄膜的光学参数:折射率、吸收系数以及厚度,实验结果表明,该方法具有操作简便,并能自动消除相位畸变等优点。     

YF45V(CaS)钢切削加工性及易切机理

通过诸项切削加工性对比实验证实。易切削非调质钢YF45V(CaS)比45钢正火态与调质态的切削性能均优越。这主要是易切型夹杂物在切削中起着应力集中源。包裹润滑及覆盖膜等作用。     

磁性薄膜自旋波共振的量子力学研究

本文完全采用量子力学方法研究了体均匀铁磁性薄膜的自旋波共振激发，特别讨论了自旋波间的相互作用对共振谱的影响，在表面自旋完全钉扎的条件下，得到了三种共振激发谱。其中两种的共振谱大至呈现方律关系，但另一种谱吸收能量后从双波态向单波态跃迁，其强度迅速速衰减到最大强度的一半后保持不变，而共振峰的位置大致按照模数的平方增加。     

SnO_2(F)、Fe_2O_3和ZnSe(Fe)薄膜厚度的测量

用RBS技术、椭偏法和微量天平称重法测量了掺氟SnO_2(FTO)透明导电膜、掺铁ZnSe磁性半导体膜和Fe_2O_3气敏元件膜的薄膜厚度.实验结果表明,RBS技术的测量数值与椭偏法以及微量天平称重法测得的结果符合得较好。     

四元系锂玻璃快离子导体的电学性质及其薄膜的表面性质

研究了锂卤钨磷酸盐玻璃态快离子导体的阻抗及介电常数等参量随温度、频率的变化规律,并用阻抗谱法、DTA对样品进行了分析。结果表明:当温度高于160℃时,样品电导率随温度的变化,满足Arrheius方程;高温情况下电导率随频率的增加而增加,达到一定程度后基本不变;温度较低时,低频下的电导率基本保持不变。介电常数随温度的变化,在150～200℃间变化不大,尔后增加并达极大值后减小;介电常数随频率减小而增大。此外,用AES、XPS、XRD、WF-metre对其薄膜的表面成分、价态、结构进行了研究,得悉薄膜的表面成分接近体的成分,玻璃体系的骨架是由(PO_4)和[WO_4]基团连接而成。文中还揭示了离子迁移机理和微观结构间的关系。