混凝土结构植筋连接件剪拉性能试验研究

为了研究剪拉作用下混凝土结构植筋连接件的力学性能,以荷载形式及加载方式为主要研究参量,对4组混凝土结构植筋连接件进行单剪和剪拉耦合作用加载试验。通过植筋连接件(试件)的承载力、刚度及滞回曲线等分析;结果表明:单剪荷载作用下的试件承载力、刚度和耗能性能等均大于剪拉耦合荷载作用状态;加载方式不影响试件的承载力、刚度及破坏状态等。     

岩溶土(暗)洞对临近高压输电杆塔基础安全影响

土洞是覆盖型岩溶区一种隐伏的不良地质现象。输电线路在经过岩溶地质区域时,岩溶暗(土)洞的存在会对邻近的杆塔基础安全产生威胁,严重时使得输电杆塔产生倾斜甚至倾覆。以湖北省恩施-水布垭输电线路为工程背景,采用ABAQUS有限元软件,分析了土洞的尺寸、覆盖层厚度以及土洞与输电杆塔的相对位置对500 k V输电杆塔的影响。以正常使用极限状态下地基倾斜限制值为安全控制指标,得到了保证该输电杆塔基础安全的不同尺寸土洞的洞顶位置安全影响线,并且采用该影响线对某实际案例进行验证。该方法可为类似地质条件下输电工程选线、输电杆塔基础设计以及地基处理提供参考。本文模拟研究对邻近岩溶土洞输电杆塔安全评价及灾害处理有着重要的指导意义。     

基于结构光投影的三维指纹特征提取方法

现有三维指纹特征提取均是将三维指纹转换为二维再提取指纹特征,一方面,造成的形变问题与现有的二维指纹数据库不可兼容;另一方面,三维重建和三维转换二维的过程计算量大且复杂。提出把三维指纹调制的二维变形条纹归一化基频模作为三维指纹特征的方法,该方法通过将正弦光栅条纹投射到三维指纹表面上得到被其调制的变形条纹,利用小波变换的时频特性滤波并提取该变形条纹的基频,最终将归一化基频模作为三维指纹的特征。实验仿真结果表明该特征具有较好的识别率,验证了该方法的有效性与可行性。     

大型桥梁变形监测数据处理方法及工程应用

本文探讨了变形监测中数据处理的模型和精度分析方法。应用基点稳定性检验方法验证基准网的稳定性,对水准仪进行精度分析,得出了影响二等水准测量的主要因素。最后运用回归分析方法对数据进行统计和预测。文章以重庆市某大桥数据为处理实例,证明数据分析方法的准确性和科学性,对类似工程具有一定的参考作用。     

刚塑性变形模拟的相似条件

本文根据相似理论确定了刚塑性变形模拟的相似条件,选取按比例缩小的模型,对塑性成形过程进行计算机模拟,计算了圆柱体镦粗和平面应变镦粗两个实例,为扩大计算机模拟的应用范围,提出了一种新的途径.     

海相沉积层序的级别及形成机制

以黔南独山地区石炭纪层序地层学研究成果为佐证，分析了不同级别全球海平面变化旋回形成机制和构成的沉积层序，相同级别的全球海平面变化旋回在大地构造环境相似的不同板块被动大陆边缘，会构成级别和数量相同、沉积记录相似的沉积层序。在大地构造背景不同（古地理位置、沉积物供给等方面差异）的板块之间（板块内部），会构成沉积层序数量相同、但沉积层序内容不同，或者沉积层序数量和内容都不同的沉积层序。前两种情形是沉积记录全球同时性的客观反映。     

三维变形监测网的优化设计

在变形监测中，采用布设三维网，避免将空间置问题分成二维平面和一维高程单独处理带来的缺陷，从而可更严密地获得监测点的空间关系，使变形分析结果更符合客观实际。本文针对三维变形测网的布设，提出了两个方面的优化设计模型，设计观测精度，本模型可设计一个精度高、观测费用低、具有一定可靠性的变形监测方案。     

单轴载荷作用下岩石损伤演化及声发射特性研究

本文通过对两种不同岩石试样进行了单轴载荷破坏过程中声发射特性试验,得到了岩石全应力应变破坏过程中,声发射事件时间序列、事件累计数时间序列等声发射特性,分析了岩样损伤破裂不同阶段与声发射参数的内在联系与特征规律,研究表明,声发射信息反映岩石内部的损伤破坏情况,与其内部原生裂隙的压密及新裂隙的产生、扩展、贯通等演化过程密切相关,通过声发射事件数参数拟合出的理论应力应变曲线能够合理地反映岩石实际的应力应变和损伤演化特性,对预测预报岩石破坏失效的过程具有有着极其重要的理论价值和实际意义。     

基于蚁群优化的GPS/DInSAR三维形变监测方法

提出一种基于蚁群优化的GPS/DInSAR形变测量方法,将高精度地表散点GPS三维观测量与DInSAR视线向观测量进行深度融合,提取地表真三维形变量.以GPS约束与DInSAR约束基于Gibbs方程构建能量函数,利用蚁群优化算法在连续空间求解能量函数最小值.实验研究结果表明,该方法在连续地表三维形变测量中具有较高精度,特别是垂直方向上具明显优势.     

Ge,Si的形变势及其应变层异质结的带阶

采用从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对Ｇｅ、Ｓｉ能带结构、平均键能和带阶参数的影响．计算了相应的形变势,并利用形变势的研究结果,采用平均键能方法计算了Ｇｅ／Ｓｉ应变层异质结在不同生长厚度ｈ（或平行晶格常数ａ∥）情况下的价带带阶和导带带阶．