组合扫描电路及其优劣系数

推荐了恒流管──自举式组合扫描电路,论述了该电路的工作原理,并且引入优劣系数,论证了其性能比恒流管充电式、自举式扫描电路的更佳.     

双极型开关晶体管延时模型和带负载能力研究

从埃伯斯-摩尔模型出发,较为详细地介绍了双极型开关晶体管开关时的物理过程,用电荷控制法计算了开关晶体管的各个延时参数,阐明了器件工艺参数及外电路参数与延时、电路带负载能力的关系,指出了在器件或集成电路工艺中如何来保证器件有较短的延时和较强的带负载能力.     

场效应纳电子晶体管的构造和电学特性测量

研究了场效应纳电子晶体管构造过程中金属电极的结构设计,源-漏电极高度、SiO₂绝缘层厚度以及金属电极选材等因素对器件性能有关键的影响。在此基础上测量了单壁碳纳米管束的场效应行为,构造成功基于单壁碳纳米管束的场效应晶体管。     

磁电式万用表的保护设计

对磁电式万用表误操作的现象，进行了保护设计研究，并指出彻底解决该问题的方向。     

GaN基场效应器件Monte Carlo模拟

基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高功率微波器件方面有极其重要的应用前景.文章用自洽-耦合蒙特卡罗(Monte Carlo)方法对AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管作了模拟,给出了器件直流特性的Monte Carlo模拟结果,包括器件的粒子分布及器件的等势线分布,最后给出器件在不同栅电压下的直流输出特性.文章的模拟结果对研究GaN基场效应器件有指导意义.     

一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路

基于单电子晶体管的I-V特性和MOS晶体管的逻辑电路设计思想,提出了1个单电子晶体管和MOS晶体管混合的反相器电路,进而推导出其它基本逻辑门电路,并最终实现了一个半加器电路。通过比较单电子晶体管和MOS晶体管两者的混合与纯CMOS晶体管实现的半加器电路,元器件数目得到了减少,电路结构得到简化,且电路的静态功耗降低。SPICE验证了电路设计的正确性。     

一种电流放大型自旋晶体管

该文提出了一种电流放大型自旋晶体管设计思想，并对其电流放大系数作了一定的分析讨论．自旋晶体管中的电流放大系数主要取决于注入基区的自旋极化电子的极化程度，基区中自旋的驰豫时间及基区的宽度．     

GTR饱和区特性及其安全保护

分析了大功率晶体管（ＧＴＲ）饱和区伏安特性,测量了不同驱动条件和工作温度下ＧＴＲ的集电极压降和集电极电流的关系．结果表明,存在一个饱和压降阈值,超过这个阈值后,过流将产生．据此设计了一种快速有效的过流保护电路．     

Top-gated graphene field-effect transistors on SiC substrates

We report on a demonstration of top-gated graphene field-effect transistors(FETs) fabricated on epitaxial SiC substrate.Composite stacks,benzocyclobutene and atomic layer deposition Al2O3,are used as the gate dielectrics to maintain intrinsic carrier mobility of graphene.All graphene FETs exhibit n-type transistor characteristics and the drain current is nearly linear dependence on gate and drain voltages.Despite a low field-effect mobility of 40 cm2/(V s),a maximum cutoff frequency of 4.6 GHz and a maximum oscillation frequency of 1.5 GHz were obtained for the graphene devices with a gate length of 1 μm.     

等离子体破裂防护快速充气阀充放电系统设计

靠涡流驱动的等离子体破裂防护快速充气阀已经在中科院等离子体物理研究所研制成功,为了满足快速充气阀系统对充放电系统的需求,搭建了基于恒压充电方式的脉冲电容器充电回路,并且研制加工了适合放电回路要求的调波电阻;为了实现对晶闸管的快速、安全、方便地控制,利用三极管放大功能及隔离变压器,成功研制了放电回路控制开关。该系统经过2010年EAST装置实验检验,完全可以满足快速充气阀的要求。