双极型晶体管GP模型参数自动提取系统

在叙述晶体管模型参数提取原理的基础上,着重介绍了自制晶体管ＧＰ模型参数自动提取系统的工作原理．该系统通过计算机控制实现数据自动采集、采用模型参数总体优化提取方法提取晶体管ＧＰ模型参数．运用该系统对ＭＪＥ１３００５晶体管进行参数提取及ＰＳＰＩＣＥ模拟,模拟结果与器件外特性测试结果相符合     

Synthesis and Field-effect Transistor Behavior of New Oligo-selenophene Derivatives

1 Results In recent years,interests in organic semiconductor have increased due to the applications in optoelectronic devices such as organic light-emitting diodes (OLEDs)[1],field-effect transistors (FETs)[2],and photovoltaic devices[3]. These organic electronics have several advantages over conventional inorganic electronics including facile processability,chemical tunability,compatibility with plastic substrates,and low cost to fabricate. Selenophene-based molecules show good π-conjugating electron o...     

归纳比较法在《模拟电子技术》教学中的应用

采用归纳比较法分析模拟电路将使教学内容思路清晰.通过实例说明了归纳比较法在认识模拟电路元器件特性及分析模拟电路原理、特性方面的可行性、必要性和实用性,取得良好的教学效果.     

薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析

采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果．     

双极型开关晶体管延时模型和带负载能力研究

从埃伯斯-摩尔模型出发,较为详细地介绍了双极型开关晶体管开关时的物理过程,用电荷控制法计算了开关晶体管的各个延时参数,阐明了器件工艺参数及外电路参数与延时、电路带负载能力的关系,指出了在器件或集成电路工艺中如何来保证器件有较短的延时和较强的带负载能力.     

K型热电偶冷端补偿方法

文章提出了K型热电偶冷端补偿的方法,并详细讨论了方案的选择及理论依据。     

两次诺贝尔物理学奖获得者—— 巴丁的科学成就和人格品质

巴丁是迄今为止唯一一位在同一领域中两次获得诺贝尔奖的传奇式人物。文章介绍了巴丁早年的生活和他的家庭,他的主要科学成就及科学风格,他在企业和政府的工作,他与同事的交往和他的爱好。     

多晶硅薄膜晶体管特性的研究

利用高级二维器件模拟程序MEDICI分析了多晶硅薄膜晶体管有源区的长度、体内陷阱、界面陷阱、栅氧化层厚度等几何参数及物理参数,并研究了这些参数对薄膜晶体管特性的影响     

场效应纳电子晶体管的构造和电学特性测量

研究了场效应纳电子晶体管构造过程中金属电极的结构设计,源-漏电极高度、SiO₂绝缘层厚度以及金属电极选材等因素对器件性能有关键的影响。在此基础上测量了单壁碳纳米管束的场效应行为,构造成功基于单壁碳纳米管束的场效应晶体管。     

基于SET/MOS混合结构的奇偶校验码产生电路的设计

基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路.利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇偶校验码的功能.该SET/MOS混合电路的实现只需要1个PMOS管、1个N...