基于四管电流复制单元的精确电流缓冲器的研究

提出了一种四管电流复制单元，以该电流复制单元设计的电流缓冲器具有优异的电流复制精度，线性复制范围，带宽性能和由该电流复制单元组成的电流复制器输入阻抗小，输出阻抗大，故称之为电流缓冲器。     

关于小信号共射电路增益的讨论

利用晶体管小信号H、π、和Y参数模型间的内在联系 ,归纳出在不同模型参数下的共射放大电路增益的一般表达形式及其特点     

Flash IP核的版图设计技术

本文首先论述了版图设计的必要性,接着对分别介绍了Flash IP核中出现的大尺寸晶体管、电容、电阻、灵敏放大器、和减小噪声的版图设计技术。利用在Candece工具版图设计通过了DRC和LVS验证。     

面向SWCNT-FET制造的介电泳装配技术

针对单壁碳纳米管(SWCNT)场效应晶体管(FET)制造过程中面临的SWCNT装配问题,采用介电泳技术实现SWCNT在微电极上的有效装配.对SWCNT在非均匀电场中所受到的介电泳力进行了相关理论分析,利用COMSOL多物理场耦合软件模拟了介电泳驱动电场,并做了大量装配实验,获得了高效装配SWCNT所需的实验参数.AFM扫描观测及电特性测试验证了这种方法的有效性,同时也为其他一维纳米材料纳电子器件的装配制造提供了借鉴.     

Top-gated graphene field-effect transistors on SiC substrates

We report on a demonstration of top-gated graphene field-effect transistors(FETs) fabricated on epitaxial SiC substrate.Composite stacks,benzocyclobutene and atomic layer deposition Al2O3,are used as the gate dielectrics to maintain intrinsic carrier mobility of graphene.All graphene FETs exhibit n-type transistor characteristics and the drain current is nearly linear dependence on gate and drain voltages.Despite a low field-effect mobility of 40 cm2/(V s),a maximum cutoff frequency of 4.6 GHz and a maximum oscillation frequency of 1.5 GHz were obtained for the graphene devices with a gate length of 1 μm.     

组合扫描电路及其优劣系数

推荐了恒流管──自举式组合扫描电路,论述了该电路的工作原理,并且引入优劣系数,论证了其性能比恒流管充电式、自举式扫描电路的更佳.     

基于周期特性的双岛单电子晶体管主方程模拟及改进

以双岛单电子晶体管（SET）为研究对象,采用稳态图和蒙特卡洛法分析双岛SET的周期特性,选取其中的7个典型状态,提出了双岛SET的简化主方程模拟方法,并利用分析所得SET的周期特性而改善简化主方程模拟方法的局限性.结果表明,所提出的模拟方法能够有效模拟双岛SET的电流和电压特性,并能扩展到多岛单电子晶体管.     

用于微型计算机的有源矩阵液晶显示器控制模块的设计

为了用ＴＦＴＡＭＬＣＤ作为微型计算机的监视器，根据目前ＴＦＴＡＭＬＣＤ屏的水平并基于ＣＧＡ的显示标准，设计了ＴＦＴＡＭＬＣＤ控制模块，该模块包括液晶显示控制器（ＬＣＤＣ）、编码电路、显存等几部分，它能够满足ＣＧＡ的所有标准，正确接收和支持ＣＰＵ指令，支持ＲＯＭ－ＢＩＯＳ例程；能够提供液晶显示组件所需的各种控制信号，尤其是与ＣＲＴ不同的信号。测试结果表明，利用所设计的控制模块能够用ＴＦＴＡＭＬＣＤ取代ＣＲＴ终端，实现ＣＧＡ方式的显示。     

两次诺贝尔物理学奖获得者—— 巴丁的科学成就和人格品质

巴丁是迄今为止唯一一位在同一领域中两次获得诺贝尔奖的传奇式人物。文章介绍了巴丁早年的生活和他的家庭,他的主要科学成就及科学风格,他在企业和政府的工作,他与同事的交往和他的爱好。