栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响

用根据实际制作的有机静电感应晶体管（OSIT）建立物理模型,Matlab软件中的偏微分工具箱通过有限元法对有机静电感应晶体管特性进行解析,着重分析栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响,特别是沟道电势分布的影响.结果表明,调节栅源距离能有效控制沟道势垒高度,从而影响载流子的传输.     

TFT液晶显示原理

就TFT(Thin-Film-Transistor)液晶显示器的显示原理和驱动原理两个方面进行了总结,首先介绍了液晶的基本知识和物理特性,然后说明了液晶利用旋光特性进行显示的原理,并比较直观介绍了TFT玻璃基板结构、TFT液晶的驱动方式、驱动原理和驱动电路.最后,总结了TFT-LCD在液晶显示领域的应用和发展前景.     

地面核磁共振找水仪大功率发射机的研制

为缓解中国西部地区淡水供需矛盾,研制了一种大功率核磁共振找水仪发射机。该发射机由DDS(Direct Digital Frequency Synthesis)芯片产生频率为当地拉莫尔频率的信号,通过大功率开关器件IGBT(Isolation Gate Bipolar Transistor)向天线等负载输出交变电流,从而激发地下水中氢质子产生可供检测的核磁信号,已成功应用到地面核磁共振找水仪样机中。与目前世界上唯一商品化的法国NUMIS(Nuclear Magnetic Induction System)系统相比,其频率范围(1~4 kHz)比NUMIS(0.8~3 kHz)宽,最大脉冲矩(18000 A.ms)比NUMIS(9000 A.ms)大,能够应用于更深层地下水的探测。     

低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型

对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解,推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型,并采用数值仿真方法对模型进行了验证.结果表明:新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合.     

多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型

提出一个多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型.该模型同时考虑了晶体管沟道内晶粒的数目、载流子在晶粒与晶粒间界处不同的输运特性和栅致迁移率降低效应,适应于从小晶粒到大晶粒线性区的多晶硅薄膜晶体管.研究表明:当晶粒尺寸Lg0.4μm时,其有效迁移率主要由晶粒间界控制;降低晶粒间界陷阱态密度可提高有效迁移率;减小栅氧化层厚度可增强栅压对有效迁移率的控制作用;高栅压时出现明显的有效迁移率退化效应.     

功耗均衡式50 A恒流源关键技术研究

为解决用电设备高稳定性以及高可靠性的恒定电流问题, 设计了一套恒流源系统。设计通过低灵敏度功率放大管冗余并联的方法提高了系统的可靠性, 通过高精度基准电压源以及基于加法器采样的电流串联负反馈方法提高系统的稳定性。同时对影响功率放大管功耗均衡的因素进行了系统分析, 选用功率三极管2N3055进行多管并联均流, 并通过风洞式一体化散热器对功率三极管进行等温梯度散热, 实现了恒流源系统的功耗均衡。实验结果表明, 系统能在保证较高的可靠性和低于0.982‰(输出电流50A时)稳定度的同时, 输出0～50 A连续可调的大电流, 输出功率达到了350 W, 实现了功耗均衡。     

液滴喷射技术在全聚合物薄膜晶体管制备中的应用

研究液滴喷射技术在全聚合物薄膜晶体管制备中的应用,并着重分析电极材料在预成型基底表面的沉积扩散情况。通过数值模拟,分析隔断材料、液滴与隔断间距、液滴碰撞速度3个因素对沉积的影响。结果发现,只有当这3个要素配置合理时,才能保证液滴的正常沉积,从而保证晶体管的质量。例如,当隔断材料采用聚酰亚胺,沟道宽度为5μm,液滴与隔断间距为30μm,液滴碰撞速度为4m/s时,液滴能够正常沉积,晶体管的质量得到保证。本文结果可为TFTs的制作提供一定的参考。     

改善高频大功率晶体管二次击穿提高fT的特殊设计方法

本文主要讨论改善高频大功率晶体管正偏（电流集中型）二次击穿并以３ＤＡ１５０、３ＣＡ１５０型高频大功率晶体管为例，介绍一种特殊的版图设计方法，使发射结面积得到充分利用，有效地提高了电流容量，消除了大电流时发射极电流集边效应，改善了电流集中型二次击穿，减慢了大电流时β０的衰减程度，从而相应地提高了特征频率ｆＴ。     

双路绝缘栅型场效应管亚微秒级电火花脉冲电源

以绝缘栅型场效应管(MOSFET)作为开关元件的独立式单路控制微能脉冲电源设计存在着缺陷，不利于稳定加工．通过对实验中采集到的波形分析，找出了缺陷产生的原因，在此基础上，设计了双路控制的MOSFET开关电路，并根据MOSFET的开关特性，采用合理电路参数，计算出理论波形．通过对比实验，不仅验证了实际波形与理论波形吻合，而且改进后的电源可以将波形有效压缩至亚微秒级，加工表面放电痕的形貌得到了极大改善，提高了加工的尺寸精度和表面精度，且加工过程稳定．     

基于可控Cd掺杂In2O3纳米线的电学特性研究

文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线,制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管,并研究了其电输运特性。结果表明,相对未掺杂的In2O3纳米线,In2O3∶Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化,载流子迁移率高达58.1cm2/(V.s),载流子浓度高达3.7×1018 cm-3。可控Cd掺杂In2O3纳米线将在纳米光电子器件方面有着广泛的应用前景。