用于圆型电路管壳的新镀层体系

首次将复合电镀技术应用于圆型电路管壳,采用由暗镍—Ni-Al_2O_3—酸性脉冲金组成的新镀层体系代替传统的镀层。采用上述新的镀层体系后,可以在不增加表面镀金层厚度的情况下,大幅度降低管壳外引线的断裂倾向。通过批量生产性的中间试验,摸索出符合实际生产的工艺条件。中间试验结果表明,采用新镀层体系后,镀层质量得到了显著的改善,提高了产品的抗断腿性能,满足“七专”外壳生产的各项技术条件。同时首次建立了鉴别管壳外引线耐蚀性的试验方法。     

电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文)

栅长短于0.2μm的砷化镓(GaAs)金属一半导体场效应晶体管已被我们研制成功。电子束光刻、金属剥离(lift-off)和双层及三层电子束光刻胶等先进技术的应用,获得了亚微米的T型栅,从而改进了场效应管的高频特性。直流测试显示,这种场效应管的跨导高达135ms/mm。     

基于场效应管开关阵列的GEM探测器读出方式

为实现探测器信号成像要求,研究一种气体电子倍增膜(gasel ectron multiplier,GEM)探测器的读出方法。采用印刷电路技术,将读出电极盘与场效应管的分立元件组合构成阵列,通过场效应管开关阵列,读出GEM探测器信号,并实现成像。实测表明,该方法的动态范围(最大信号与噪声高宽的比值)可达7.3×104、积分非线性小于0.324%、灵敏度为2.55V/nC、可实现30帧/s的实时成像。该方法具有制作工艺简单、参数可调、成本低等优点,为随后采用厚膜技术及薄膜场效应管技术读出GEM探测器提供了重要的设计依据。     

栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响

用根据实际制作的有机静电感应晶体管（OSIT）建立物理模型,Matlab软件中的偏微分工具箱通过有限元法对有机静电感应晶体管特性进行解析,着重分析栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响,特别是沟道电势分布的影响.结果表明,调节栅源距离能有效控制沟道势垒高度,从而影响载流子的传输.     

TFT液晶显示原理

就TFT(Thin-Film-Transistor)液晶显示器的显示原理和驱动原理两个方面进行了总结,首先介绍了液晶的基本知识和物理特性,然后说明了液晶利用旋光特性进行显示的原理,并比较直观介绍了TFT玻璃基板结构、TFT液晶的驱动方式、驱动原理和驱动电路.最后,总结了TFT-LCD在液晶显示领域的应用和发展前景.     

IGBT模型参数提取方法研究

基于绝缘栅双极性晶体管简化等效电路,对影响IGBT输出外部信号的四个相关内部参数:栅极电容、跨导、剩余截流子寿命、栅漏极有效导电面积,进行了讨论并提出了推导方法.     

地面核磁共振找水仪大功率发射机的研制

为缓解中国西部地区淡水供需矛盾,研制了一种大功率核磁共振找水仪发射机。该发射机由DDS(Direct Digital Frequency Synthesis)芯片产生频率为当地拉莫尔频率的信号,通过大功率开关器件IGBT(Isolation Gate Bipolar Transistor)向天线等负载输出交变电流,从而激发地下水中氢质子产生可供检测的核磁信号,已成功应用到地面核磁共振找水仪样机中。与目前世界上唯一商品化的法国NUMIS(Nuclear Magnetic Induction System)系统相比,其频率范围(1~4 kHz)比NUMIS(0.8~3 kHz)宽,最大脉冲矩(18000 A.ms)比NUMIS(9000 A.ms)大,能够应用于更深层地下水的探测。     

一种基于SiGe BiCMOS的高性能运算跨导放大器的设计

绍了一种基于SiGe BiCMOS工艺,可用于开关电容电路的全差分运算跨导放大器(OTA)。在信号通路中使用复合达林顿连接以达到高增益和大带宽。用Cadence Spectre仿真,在电源电压为3.3 V、电容负载为1.1 pF时,此放大器可提供89 dB的低频直流增益,相位裕度为54°,单位增益带宽为2 GHz,功耗为19.8 mW,差动输出摆幅为2.4 V,差动输入参考噪声功率谱密度为3.2 n(V(Hz))。在闭环反馈因子β=0.5时,此放大器达到0.01%的精度所需要的建立时间约为2 ns。     

大功率晶体管横向结构参数设计与分析

为研究大功率晶体管的结构和工作原理,提出设计参数指标为集电极最大允许耗散功率P=50 W。采用梳状结构,利用近似方法结合各项工艺条件经过综合分析,计算出大功率晶体管的发射结和集电结面积、发射极总周长、发射极与基极间距、发射极金属电极条长和宽、晶片面积等横向结构参数,为大功率晶体管的结构设计和应用提供了数据支撑。计算方法通过实验验证,适用于更大功率晶体管的参数分析和计算。     

"射极跟随器"的特点及应用

讨论了晶体管电路中的一种典型电路——“射极跟随器”的特点,并对其应用给以归纳和总结．