高频全集成MOSFET-C THOMAS-TOW滤波器的极点分析

Thomas-Tow(T-T)电路是有源RC滤波器设计中常用的一种基本二次块,全集成MOSFET-C T-T电路往往采用平衡结构来实现,在高频下工作时,由于MOSFET的分布电容及运算放大器的有限增益带宽乘积(GB)的影响,集成T-T电路的主极点频率ω_0及品质因数Q_0值均会发生明显变化,本文用极点分析方法详细探讨了这些影响,所得出的结论对这类高频集成滤波器的设计有应用意义。     

带阻式高隔离度场效应管开关

针对典型场效应管开关电路的缺点，提出了一种新的场效应管开关．此开关利用外加的RC网络和场效应管的分布电容构成带阻滤波器，在工作频率上得到了较高的隔离度，且对插入损耗没有影响．仿真结果表明，用此方法设计的场效应管开关有着较优的开关性能．     

SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管（SiGe SOI BMHMT）构成适合在低电压下工作的新型集成电路，该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能，对不同导电类型的SiGe SOI BMHMT、SiGe SOI MOSFET、SOI BMHMT和SOI MOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟，结果表明，SiGe SOI BMHMAT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高，阈值电压降低。存在衬底栅极和横向双极晶体管，使得其驱动电流比其他结构器件的驱动电流明显提高。     

基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究

本文以In2O3及其混合物为敏感材料，采用悬浮栅结构和功函数方法，研究出可在室温下工作的HSGFET型功函数O3传感器，并给出传感器对O3响应曲线以及实验结果的理论分析等。     

单电子晶体管(SET)及其应用

当电子器件的尺寸接近纳米尺度时，量子效应对器件工作的影响变得格外重要，就需要采用具有新机理的晶体管结构，单电子晶体管（SET）就是其中一个典型的结构，文中对比传统晶体管（MOSFET）的工作原理，分析了单电子晶体管SET的工作机理，简要概述了SET的一些应用。     

双极型三极管饱和状态的探讨

建立三极管的物理模型，分析讨论了三极管饱和时的偏置状态和载流子的运动规律，进一步说明了此时三极管集电结正偏的正确性。     

高像质非晶硅薄膜晶体管结构参数的设计

分析了非晶硅薄膜晶体管的开关特性，提出了通断电流和电阻、组成膜厚度、沟道宽长比以及开口率的设计要求和参数取值，讨论了高显示性能和高成品率a—Si TFT结构设计的最新进展。     

高效率E类调谐功率振荡器研究

从理论上阐述了振荡器的最佳工作条件．提供了一种实用的反馈网络和振荡器的设计方 法．实验结果表明．振荡器中晶体管集电极电压、电流波形和效率与采用相同晶体管和同样工作 效率的Ｅ类放大器相同．     

交流步进电动机动态过程计算仿真

本文推荐了一种新型的、功能更强的、用交流电动机组成的步进电动机、这种步进电动机系统由交流机和由大功率晶体管组成的可变频的变换器组成.本文用交流机的数学分析方法讨论了它的动态特性,并在IBM PC机上完成了仿真.     

集成MOSFET跨导结构非线性的谐波分析法

MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管跨导结构是全集成 MOSFET-C连续时间滤波器的基本电阻结构.本文根据导出的 MOSFET 伏安特性的傅里叶公式,提出了失配情况下 MOSFET 跨导结构非线性的谐波分析法,并给出了详细表格以供应用时参考.